Продукція > NDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDS9948ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain current: -2A
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 0.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.67 грн
8+54.18 грн
10+47.97 грн
50+35.89 грн
100+31.45 грн
500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1175+30.11 грн
10000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 1175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.22 грн
500+24.83 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+48.99 грн
100+32.15 грн
500+23.37 грн
1000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.72 грн
10000+32.40 грн
15000+29.07 грн
20000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948_NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+56.47 грн
1000+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A-F011onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952DYT1FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952_NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953NSSOP-8
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS99532NDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 257016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+46.62 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953DYFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955NSSOP-8
на замовлення 22850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955-NL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956NSSOP-8
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956-NL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956Aonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V DUAL N-CH. FET, 80 MO, SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A_Qonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956Q
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957-NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958NSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958-NL
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959Fairchild
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959-NL
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959ANLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959_NL
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959_NLonsemi / FairchildMOSFET 50V DUAL N-CH. FET, 300 MO, SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9977NS09+ SOP8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9986NSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9999ANLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSC-200002+
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 680pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.42 грн
10+287.65 грн
450+176.48 грн
900+161.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.39 грн
10+341.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 10A TO247
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.73 грн
10+554.09 грн
450+407.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120CON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120ConsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120CONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.46 грн
5+537.29 грн
10+438.12 грн
50+374.37 грн
100+311.44 грн
250+276.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120ConsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.87 грн
5+612.07 грн
10+497.46 грн
50+435.51 грн
100+377.62 грн
250+369.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.92 грн
10+542.69 грн
25+517.45 грн
100+421.66 грн
450+367.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AON Semiconductor
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AONSEMICategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 35A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 35A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+921.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.32 грн
30+697.42 грн
120+611.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AOn SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.77 грн
5+1316.00 грн
10+1267.23 грн
50+1132.18 грн
100+1003.28 грн
250+961.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 38A
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.98 грн
10+725.42 грн
25+691.68 грн
100+563.64 грн
450+490.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.89 грн
5+784.40 грн
10+651.09 грн
50+532.88 грн
100+454.26 грн
250+416.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH40120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.86 грн
5+932.33 грн
10+720.99 грн
50+668.74 грн
100+528.12 грн
250+517.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 46A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2840pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 46A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.04 грн
10+688.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]