Продукція > RJK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK4515DPK
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4515DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 27A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4518DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4518DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4532DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4532DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 450V 4A MP3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK4532DPD-E0#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH MP3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5002DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.87 грн
6000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5002DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5003
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5003DP
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5003DPD-
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5003DPD-00-J2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5003DPD-01-J2
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5006DPD
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5006DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 6A SC63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5006DPD-WS#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5009DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5010DPF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
rjk5010dpk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPE-WS#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 12A 620mohm TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-K0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-M0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5012DPP-MG#T2RenesasDescription: RJK5012DPP - N CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5013DPE-00#J3Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5013DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - 500V, 14A, LDPAK(S)-(1)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5013DPE-00-J3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5013DPK
на замовлення 18854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5013DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5013DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5014DPK-00#T0onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5014DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+189.68 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5014DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK5014DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+392.29 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5014DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 19A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5014DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET - 500V, 19A, TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPK-00
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPK-00#T0RenesasTO3P/NCH, VDSS 500V, ID(DC)25A,RDS(ON)MAX 0.24OHM RJK5015
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Ta)
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPM-00#T1Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPM-00#T1Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1 RJK5015DPM-00#T1
Код товару: 168956
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5018DPK-00#T0Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5018DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5020
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5020DPK-00#T0Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5020DPK-00#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5020DPK01-ERenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+542.99 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5020DPK01-E
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5020DPK01-ERenesasRJK5020DPK01-E
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+762.57 грн
100+724.85 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-00#T2RenesasSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-00#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-00#T2Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-M0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5026DPP-V0#T2Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 5A 1600mohm TO-252 / DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPD-01#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPD-02#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPD-03#J2RenesasDescription: RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 5A 1600mohm TO-220F
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5030DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
25+75.81 грн
100+72.48 грн
500+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5031DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5031DPD-01#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5032DPD-00#J2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5032DPP-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5033DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+128.31 грн
100+88.72 грн
500+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5033DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5033DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 6A 1300mohm TO-252 / DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5033DPD-01#J2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH GENERAL PURPOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5033DPP-M0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.4W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
25+144.10 грн
100+117.50 грн
500+90.29 грн
1000+83.87 грн
2000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5033DPP-M0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 500V 6A 1300mohm TO-220F
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5034DPP-A0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5034DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5034DPP-E0#T2Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5035DPP-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
10+180.70 грн
100+126.94 грн
500+97.61 грн
1000+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5035DPP-A0#T2Renesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5035DPP-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5035DPP-E0#T2Infineon TechnologiesDescription: RJK5035DPPNSINGPOWMOSF501850MOTO
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK5035DPP-E0#T2RenesasDescription: RJK5035DPP-E0 - Nch Single Power
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DJE-00#Z0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO92
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DPD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DPD-00#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: MP-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DPD-00#J2Renesas ElectronicsMOSFET GENERIC Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DPD-00-J2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DPD-WS#J2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 2A MP3A
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: MP-3A
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK6002DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 2A LDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]