Продукція > RN4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN4906FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4906FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4906FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A SOT563 | на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4906FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907(TE85L) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907,LF | Toshiba | Digital Transistors US6-PLN | на замовлення 7133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=10kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907FE | на замовлення 1081 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4907FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907FE(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP/NPN 50V 100MA ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907FE(TE85LF) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4907FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4907FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4908(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4908(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4908(TE85L) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4908,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors PNP + NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A | на замовлення 8862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, 10kOhm 47kOhm 10kOhm 47kOhm -50V (SOT-363) | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT, Q1B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908/v1 | TOSHIBA | на замовлення 366000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4908FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4908FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4908FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4908FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | на замовлення 7940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4908T5LEKA(VI) | на замовлення 540000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4908TE85L | TOSHIBA | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4909 | TOSHIBA | 03+ SOT-363 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4909,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A | на замовлення 8897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4909,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4909,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP + NPN BRT 22kOhm 47kOhm 22kOhm 47kOhm -50V (SOT-363) | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4909FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4909FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4909FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4909FE,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910 | TOSHIBA | на замовлення 7200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF | Toshiba | Digital Transistors US6-PLN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363) | на замовлення 5999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910/VK | TOSHIBA | на замовлення 33200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4910FE | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RN4910FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910FE,LXHF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4910FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4910\VK | TOSHIBA | SOT-33 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4911 | TOSHIBA | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| RN4911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4911,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A | на замовлення 8689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| RN4911,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR= Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| RN4911,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT 4.7kOhm 4.7kOhm -50V -0.1A (SOT-363) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

