Продукція > SP8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SP8K2TB
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K2TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3-TB
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K31FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.19 грн
500+20.38 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K31FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.60 грн
37+22.35 грн
100+22.19 грн
500+20.38 грн
1000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.20 грн
250+61.63 грн
500+59.40 грн
1000+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.59 грн
100+63.30 грн
500+47.22 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+190.47 грн
117+121.63 грн
200+102.78 грн
500+78.38 грн
1000+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K31HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.65 грн
17+49.99 грн
100+33.65 грн
500+31.02 грн
1000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K31TB1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 30V 3.5A NCH DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32N/A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K32FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.46 грн
500+56.68 грн
1000+44.87 грн
5000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 60V Vds 4.5A 0.055Rds(on) 7Qg
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K32FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
10+87.79 грн
100+71.04 грн
500+51.40 грн
1000+41.80 грн
5000+40.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+104.39 грн
100+71.00 грн
500+53.21 грн
1000+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.35 грн
106+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.25 грн
10+108.11 грн
100+76.49 грн
500+56.68 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+98.00 грн
152+93.61 грн
250+89.86 грн
500+83.52 грн
1000+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32MB1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32TB1ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K33FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.034 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
11+75.03 грн
100+54.22 грн
500+41.74 грн
1000+38.46 грн
2000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 60V Vds 5A 0.055Rds(on) 8Qg
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K33FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.034 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.22 грн
500+41.74 грн
1000+38.46 грн
2000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+125.52 грн
100+86.22 грн
500+65.14 грн
1000+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.78 грн
128+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.09 грн
10+131.68 грн
100+91.85 грн
500+58.19 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K33HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.85 грн
500+58.19 грн
1000+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33TBROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K33TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FD5TB1ROHM09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FD5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FRATBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+105.22 грн
100+71.57 грн
500+53.66 грн
1000+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K3FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, SOP, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
10+85.35 грн
100+65.35 грн
500+53.67 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3FU6TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V, 7A; DC-DC Conv. Switch, Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB
Код товару: 109475
Додати до обраних Обраний товар
RohmТранзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TBROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4-TB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K41HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 3.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.65 грн
86+166.19 грн
100+141.44 грн
200+129.56 грн
500+112.60 грн
1000+101.02 грн
2500+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K41HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+123.11 грн
100+84.75 грн
500+64.11 грн
1000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4FU6TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V 9A N-CHAN DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4FU6TB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4FU6TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4FU7TBROHM09+
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TBROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TB
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5ROHM07+ SOP8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5 F TBROHM
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5-TB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K51
на замовлення 50600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K51E00TB
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATBROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+57.97 грн
100+45.07 грн
500+35.85 грн
1000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.40 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATBROHMDescription: ROHM - SP8K52FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.12 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.12ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
14+61.04 грн
100+40.40 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52FRATBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.96 грн
500+82.64 грн
1000+70.31 грн
2500+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.51 грн
500+53.36 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+99.63 грн
100+79.32 грн
500+62.99 грн
1000+53.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.00 грн
179+79.30 грн
250+76.11 грн
500+70.75 грн
1000+63.37 грн
2500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBROHMDescription: ROHM - SP8K52HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3 A, 3 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
10+102.42 грн
100+75.51 грн
500+53.36 грн
1000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K52HZGTBROHM SemiconductorMOSFET AECQ
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SP8K5FU6TB
на замовлення 8124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]