Продукція > STF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF24NF10 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF24NF12 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF24NF12 | STM | N-channel 120V - 0.070. - 24A TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF24NM60N | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF24NM65N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF24NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET Nchanl 100V 0025 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25N10F7 | STMicroelectronics | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF25N10F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25N60M2-EP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V | на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N60M2-EP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N60M2-EP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF25N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N60M2-EP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 12.3A; Idm: 78A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 12.3A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 78A | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF25NM50N | STM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF25NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25NM60N | ST | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF25NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF25NM60ND | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF260N4F7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF260N4F7 | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26N60DM6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26N60M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26N65DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26N65DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh | на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 786 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 123 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N Код товару: 133690
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF26NM60N-H | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26NM60ND | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF26NM60Z | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STF27N60M2-EP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF27N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF27N60M2-EP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF27N60M2-EP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF27N60M2-EP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF2818X0504-A | NANOTEC | Description: NANOTEC - STF2818X0504-A - Schrittmotor, ultraflach, Eine Welle, Bipolar, 1.8 °, 0.98 N-cm, 500 mA tariffCode: 85011091 Schrittmotor: Eine Welle rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Spulentyp: Bipolar Außenlänge: 9.4mm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Motorgröße: - Wellendurchmesser: 3mm Nennstrom: 500mA Drehmoment, max.: 0.98N-cm Schrittwinkel: 1.8° euEccn: NLR Anzahl der Drähte: 4 Länge der Welle: 10mm Nennspannung, max.: 1.85VDC Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60DM2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 | на замовлення 751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF28N60M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N65M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF28N65M2 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package | на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N65M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N65M2 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N65M2 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28N65M2 | STM | MOSFET N-CH 650V 20A TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF28NM50N | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STF28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28NM50N Код товару: 84344
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 13A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 158mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 50nC Pulsed drain current: 84A | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28NM50N | STM | N-кан. MOSFET 500V, 21A, 0.158 Ом, TO-220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V | на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28NM60ND | STMicroelectronics | STF28NM60ND STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET Nchanl 600V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF28NM60ND | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF28NM60ND | STMicroelectronics | STF28NM60ND STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STF2E1-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 16A (DC) Mounting Type: Panel Mount Circuit: DPDT Switch Function: On-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Illumination: Non-Illuminated Actuator Length: 14.25mm Actuator Type: Standard Round Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF2E1-53 | Carling Technologies | Toggle Switches STF2E1-53 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF2E1-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Toggle Switches STF2E1-53/HDW ASSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF2E1-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Voltage Rating - DC: 24 V Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Actuator Type: Standard Round Actuator Length: 14.25mm Illumination: Non-Illuminated Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Switch Function: On-Mom Circuit: DPDT Mounting Type: Panel Mount Current Rating (Amps): 16A (DC) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF2E4-53 | Carling Technologies | Toggle Switches STF2E4-53 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF2E4-53 | Carling Technologies | Description: SWITCH TOGGLE DPDT 16A 24V Voltage Rating - DC: 24 V Panel Cutout Dimensions: Circular - 12.70mm Dia Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof Actuator Type: Standard Round Actuator Length: 14.25mm Illumination: Non-Illuminated Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Switch Function: On-Mom Circuit: DPDT Mounting Type: Panel Mount Current Rating (Amps): 16A (DC) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STF2E4-53/HDW ASSM | Carling Technologies | Toggle Switches STF2E4-53/HDW ASSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

