Продукція > STF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.82 грн
89+160.08 грн
100+145.07 грн
500+110.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+157.33 грн
100+142.58 грн
500+113.49 грн
1000+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M2 транзистор
Код товару: 216827
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M6
Код товару: 177056
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
10+143.64 грн
50+110.38 грн
100+93.52 грн
500+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
10+156.92 грн
50+121.01 грн
100+102.68 грн
500+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 64A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 29nC
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.63 грн
4+135.86 грн
10+121.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.18 грн
67+214.04 грн
100+173.49 грн
500+140.02 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NF10
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NF12STMN-channel 120V - 0.070. - 24A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NF12
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
10+209.91 грн
50+163.70 грн
100+139.66 грн
500+115.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 11A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.82 грн
10+138.38 грн
25+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+98.88 грн
100+97.68 грн
500+95.45 грн
1000+90.82 грн
2000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.58 грн
147+96.40 грн
500+94.20 грн
1000+89.63 грн
2000+82.86 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 0.16 Ohms 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 19A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N10F7STMicroelectronicsMOSFET Nchanl 100V 0025 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
Kind of package: tube
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.27 грн
10+135.02 грн
25+123.28 грн
50+117.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
10+163.41 грн
50+126.20 грн
100+107.16 грн
500+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF25N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.175 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.59 грн
50+238.01 грн
100+217.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+513.88 грн
33+436.09 грн
50+331.19 грн
100+318.23 грн
200+277.82 грн
500+234.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM50NSTM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM60NST
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF260N4F7STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 11A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.36 грн
10+203.64 грн
50+158.20 грн
350+115.22 грн
700+106.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.97 грн
50+160.87 грн
100+142.07 грн
500+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
10+121.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.53 грн
89+159.70 грн
101+141.02 грн
500+117.81 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
10+163.03 грн
50+125.88 грн
100+106.90 грн
500+87.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N
Код товару: 133690
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.00 грн
10+387.43 грн
50+309.73 грн
100+267.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+224.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+399.20 грн
10+267.53 грн
30+232.31 грн
50+218.05 грн
100+202.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
786+310.03 грн
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+306.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60N-HSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF26NM60Z
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.40 грн
10+188.11 грн
25+173.12 грн
50+165.21 грн
100+143.20 грн
250+132.71 грн
500+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF27N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF27N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.52 грн
10+160.92 грн
50+124.16 грн
100+105.40 грн
500+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF27N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+206.40 грн
76+188.11 грн
82+173.12 грн
83+165.21 грн
100+143.20 грн
250+132.71 грн
500+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF2818X0504-ANANOTECDescription: NANOTEC - STF2818X0504-A - Schrittmotor, ultraflach, Eine Welle, Bipolar, 1.8 °, 0.98 N-cm, 500 mA
tariffCode: 85011091
Schrittmotor: Eine Welle
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Bipolar
Außenlänge: 9.4mm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Motorgröße: -
Wellendurchmesser: 3mm
Nennstrom: 500mA
Drehmoment, max.: 0.98N-cm
Schrittwinkel: 1.8°
euEccn: NLR
Anzahl der Drähte: 4
Länge der Welle: 10mm
Nennspannung, max.: 1.85VDC
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.49 грн
75+188.67 грн
100+166.39 грн
250+152.46 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+189.53 грн
50+147.17 грн
100+125.33 грн
500+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.66 грн
10+211.49 грн
25+188.67 грн
100+166.39 грн
250+152.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.12 грн
50+134.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+271.56 грн
58+245.15 грн
107+132.98 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+279.08 грн
10+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2STMMOSFET N-CH 650V 20A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
50+133.79 грн
100+121.20 грн
500+93.02 грн
1000+86.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50NSTMN-кан. MOSFET 500V, 21A, 0.158 Ом, TO-220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.72 грн
10+362.82 грн
50+289.07 грн
100+249.01 грн
500+210.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 13A; Idm: 84A; 35W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ II
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 550V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO220FP
On-state resistance: 158mΩ
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+520.22 грн
10+300.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.