Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+299.82 грн
68+207.25 грн
100+194.00 грн
500+156.39 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STN-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+117.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.31 грн
10+205.89 грн
50+136.71 грн
100+128.48 грн
250+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FDFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FDFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.15 грн
99+142.96 грн
101+139.88 грн
500+131.45 грн
1000+120.33 грн
2500+114.36 грн
5000+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTN-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.56 грн
50+193.03 грн
100+176.07 грн
500+137.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.38 грн
10+190.13 грн
100+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.16 грн
10+143.84 грн
100+140.73 грн
500+132.25 грн
1000+121.06 грн
2500+115.06 грн
5000+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: MDmesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 550V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+222.62 грн
10+140.83 грн
50+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FP
Код товару: 116311
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50NST
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50ZFP
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12P06
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12PF06STMTO-220,P-CHANNEL,Vdss=60V,Rds(on)=0.18 Om, Id=12A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1300STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: warning; L: 33m; W: 50mm; PVC; black,yellow
Length: 33m
Colour: black; yellow
Width: 50mm
Material: PVC
Type of tape: warning
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1454.57 грн
6+1276.55 грн
24+1202.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP130161AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130161BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.57 грн
50+79.27 грн
100+71.16 грн
500+53.46 грн
1000+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 80 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NH02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NH02L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NS04ZBSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NS04ZB
Код товару: 84255
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NS04ZB-MXSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP135-1R2
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N10
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60FI
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.80 грн
50+78.75 грн
100+70.67 грн
500+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.36 грн
10+82.28 грн
25+71.24 грн
50+64.32 грн
100+58.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60ZFP
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.21 грн
10+97.49 грн
25+93.96 грн
100+88.54 грн
500+80.22 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STN-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+143.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+225.22 грн
100+211.55 грн
500+171.84 грн
1000+156.98 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.01 грн
100+170.59 грн
500+150.81 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.64 грн
50+131.57 грн
100+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.84 грн
50+241.86 грн
100+226.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 150W; -55°C ~ 150°C; STP13NK60Z TSTP13NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.26 грн
109+129.60 грн
114+123.48 грн
500+94.76 грн
1000+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60Z
Код товару: 81542
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.44 грн
50+128.77 грн
100+122.70 грн
500+94.16 грн
1000+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.31 грн
50+119.44 грн
100+108.01 грн
500+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.66 грн
5+149.89 грн
10+129.30 грн
25+103.77 грн
50+90.59 грн
100+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.23 грн
50+117.81 грн
100+106.51 грн
500+81.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.38 грн
10+136.71 грн
25+119.42 грн
50+107.89 грн
100+101.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 13A; 35W; -55°C ~ 150°C; STP13NK60ZFP TSTP13NK60ZFP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+101.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.79 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFP (TO-220FP)
Код товару: 82192
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 22 33 44 55 66 77 88 99 110 117  [ Наступна Сторінка >> ]