Продукція > TPH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPHR7404PU,L1QToshibaMOSFETs 40V UMOS9 SOP-ADV(N) 0.65mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7404PUL1Q(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PBToshibaMOSFETs SOPADVANCE N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1HLQ(OToshiba SOPADVANCE N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQToshibaMOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PB,L1XHQ(OToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.34 грн
82+173.47 грн
100+167.58 грн
250+156.70 грн
500+141.14 грн
1000+132.18 грн
2500+129.26 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR7904PBL1Q(OToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL
Код товару: 144412
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaMOSFETs 40 Volt N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaMOSFET N-CH 40V 8SOP Advance (5x5) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP / 8-PowerVDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W; SOP8A
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,LQ(M1WToshiba SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 850 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 850 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL1LQ(MWToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PLLQ(M1WToshibaMOSFETs SOP N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NCToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.66 грн
5+158.50 грн
25+140.05 грн
100+135.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+257.37 грн
10000+255.25 грн
15000+253.12 грн
20000+242.02 грн
25000+222.18 грн
50000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
10+121.60 грн
100+83.97 грн
500+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q
Код товару: 128207
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+257.37 грн
10000+255.25 грн
15000+253.12 грн
20000+242.02 грн
25000+222.18 грн
50000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+110.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+110.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaN-MOSFET 30V 60A 1.6W 0.9mΩ TPHR9003NL,L1Q Toshiba TTPHR9003nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaTPHR9003NL,LQ(M1
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQToshibaMOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MToshibaTPHR9003NL1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.98 грн
121+117.48 грн
250+112.77 грн
500+104.82 грн
1000+93.89 грн
2500+87.46 грн
5000+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 770 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NL1LQ(MToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLL1Q(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9003NLLQ(M1ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 3661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+105.97 грн
100+72.18 грн
500+54.17 грн
1000+49.81 грн
2000+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.40 грн
10+112.94 грн
25+100.51 грн
100+87.43 грн
500+77.01 грн
1000+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.40 грн
126+112.94 грн
141+100.51 грн
156+87.43 грн
500+77.01 грн
1000+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL,LQ(M1ToshibaTPHR9203PL,LQ(M1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+107.48 грн
1000+99.13 грн
10000+85.22 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshibaMOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
на замовлення 30034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.03 грн
10+100.61 грн
100+68.43 грн
500+51.27 грн
1000+47.11 грн
2000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR9203PLL1Q(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPHWC-EUVENTIONCategory: Computer Adapters
Description: Hub USB; USB 3.0,USB 3.1 Gen 1; white; Number of ports: 12; 0.25m
PC accessories: hub USB
Standard: Power Delivery
Colour: white
Version: USB 3.1 Gen 1; USB 3.0
Cable length: 0.25m
Enclosure material: ABS
Cable/adapter structure: DC 5V female; HDMI socket; Jack 3.5mm socket; microSD; RJ45 socket; SD; USB A socket x3; USB C socket x2; VGA
Insulation colour: white
Number of ports: 12
Contact plating: nickel plated
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5777.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9