Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 22 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP12NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+352.08 грн
67+210.96 грн
100+184.36 грн
500+147.43 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NK80ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STN-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+301.17 грн
68+208.18 грн
100+194.87 грн
500+157.09 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50
Код товару: 32729
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMN-кан. MOSFET 500V, 12A, 0.35Ом, -55...+150, TO-220 (MDmesh) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.00 грн
10+209.46 грн
100+196.06 грн
500+158.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+291.20 грн
10+211.63 грн
50+140.52 грн
100+132.06 грн
250+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.42 грн
50+227.05 грн
100+207.56 грн
500+162.77 грн
1000+152.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FDFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FDFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: MDmesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 550V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.82 грн
10+144.75 грн
50+127.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.01 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTN-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+114.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.90 грн
99+143.60 грн
101+140.51 грн
500+132.04 грн
1000+120.87 грн
2500+114.87 грн
5000+113.73 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.38 грн
10+190.98 грн
100+189.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FP
Код товару: 116311
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 13802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.91 грн
10+144.49 грн
100+141.36 грн
500+132.84 грн
1000+121.61 грн
2500+115.57 грн
5000+114.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.21 грн
50+198.40 грн
100+180.97 грн
500+141.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50NST
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50ZFP
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12P06
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12PF06STMicroelectronicsMOSFETs P-Ch 60 Volt 12 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12PF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12PF06STMTO-220,P-CHANNEL,Vdss=60V,Rds(on)=0.18 Om, Id=12A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1300STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: warning; L: 33m; W: 50mm; PVC; black,yellow
Length: 33m
Colour: black; yellow
Width: 50mm
Material: PVC
Type of tape: warning
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1495.07 грн
6+1312.09 грн
24+1235.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP130161AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130161BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N10F3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N10F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3305 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 100V 8mOhm 120A STripFET MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.95 грн
10+83.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.43 грн
10+109.02 грн
50+82.78 грн
100+69.75 грн
500+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 80 V, 5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NH02LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 90A TO220
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NH02L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NS04ZBSTMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NS04ZB
Код товару: 84255
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130NS04ZB-MXSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1312STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: packaging; ESD; L: 33m; W: 12mm; Thk: 50um; colourless; <1GΩ
Version: ESD
Colour: colourless
Type of tape: packaging
Operating temperature: 0...65°C
Length: 33m
Surface resistance: <1GΩ
Thickness: 50µm
Width: 12mm
Features of antistatic elements: dissipative
Conform to the norm: ANSI ESD S541; IEC 61340-5-1-ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+418.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP135-1R2
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N10
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60FI
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.92 грн
10+85.31 грн
50+83.99 грн
100+71.90 грн
500+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.47 грн
10+106.36 грн
50+80.74 грн
100+68.00 грн
500+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+85.00 грн
169+83.68 грн
190+74.29 грн
500+51.57 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+142.21 грн
10+84.57 грн
25+73.22 грн
50+66.11 грн
100+60.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60ZFP
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.67 грн
10+97.93 грн
25+94.38 грн
100+88.94 грн
500+80.58 грн
1000+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STN-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.12 грн
50+135.23 грн
100+122.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+226.23 грн
100+212.50 грн
500+172.61 грн
1000+157.68 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.80 грн
100+171.36 грн
500+151.49 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+281.69 грн
3+231.94 грн
10+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.70 грн
50+248.60 грн
100+232.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N95K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60Z
Код товару: 81542
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.71 грн
10+162.58 грн
50+125.31 грн
100+106.35 грн
500+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.85 грн
109+130.18 грн
114+124.04 грн
500+95.18 грн
1000+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.41 грн
5+154.07 грн
10+132.90 грн
25+106.66 грн
50+93.12 грн
100+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 22 33 44 55 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]