Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
10000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
10000+23.95 грн
100000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
на замовлення 324499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358
Код товару: 56504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1740 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 16,3 мОм @ 9,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBF
Код товару: 109648
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF
Код товару: 189100
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+54.81 грн
1000+50.56 грн
10000+45.06 грн
100000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+121.74 грн
168+84.31 грн
240+58.88 грн
500+45.90 грн
1000+38.35 грн
2000+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+148.65 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362
Код товару: 48293
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBF
Код товару: 112666
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.12 грн
34+22.75 грн
100+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.38 грн
164+86.34 грн
250+82.88 грн
500+77.03 грн
1000+69.00 грн
2500+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+51.96 грн
100+34.21 грн
500+24.94 грн
1000+22.63 грн
2000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+103.89 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineonMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
1000+129.36 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+299.07 грн
67+210.73 грн
100+155.21 грн
500+133.37 грн
1000+116.63 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.21 грн
10+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+75.89 грн
250+72.85 грн
500+70.22 грн
1000+65.50 грн
2500+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -12A 11.9mOhm 25Vgs
на замовлення 8922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389HXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm/54mOhm; 7A/8,5A; 2,5/3,08W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389 HXY MOSFET TIRF9389 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389PBFInfineon / IRMOSFET TRENCH MOSFET - PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389TR UMW TIRF9389 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRJSMicro SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/52mOhm; 7,5A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389TR JSMICRO TIRF9389 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 75036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+34.04 грн
100+21.98 грн
500+15.73 грн
1000+14.16 грн
2000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.56 грн
13+33.47 грн
50+23.26 грн
100+19.83 грн
250+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.96 грн
8000+11.47 грн
12000+10.96 грн
20000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.63 грн
498+28.38 грн
616+22.93 грн
1000+19.44 грн
2000+15.73 грн
4000+13.51 грн
8000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF
Код товару: 98277
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392PBF
Код товару: 109150
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 7.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 17.5mOhms 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 7.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 17.5mOhm 25Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]