Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6322ACPZ-RLAnalog Devices Inc.Description: IC AMP CLASS AB STEREO 24LFCSP
Features: Depop
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad, CSP
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Supplier Device Package: 24-LFCSP (4x4)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6322CP-EBZAnalog Devices, Inc.SSM6322 Audio Amplifier Evaluation Board
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10470.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6322CP-EBZAnalog DevicesAudio IC Development Tools Eval board for 24 lead LFCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6322CP-EBZAnalog Devices Inc.Description: EVAL BOARD FOR SSM6322
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class AB
Contents: Board(s)
Voltage - Supply: ±3V ~ 6V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SSM6322
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8246.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6322CP-EBZAnalog Devices, Inc.SSM6322 Audio Amplifier Evaluation Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRLAnalog DevicesAudio Amplifiers Class D Audio Amp, ultra-low power
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRLAnalog Devices Inc.Description: CLASS D AUDIO AMP, ULTRA-LOW POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Output Type: 1-Channel (Mono)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class D
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRL7ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - SSM6515BCBZRL7 - Audioleistungsverstärker, 80mW x 1 bei 16 Ohm, D, 1.1V bis 1.98V, WLCSP, 11 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 1 x Mono
Versorgungsspannung: 1.1V bis 1.98V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 16ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 80mW x 1 bei 16 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRL7Analog Devices Inc.Description: CLASS D AMP, ULTRA-LOW POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 1-Channel (Mono)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.63 грн
10+240.17 грн
25+221.27 грн
100+188.14 грн
250+179.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRL7Analog DevicesAudio Amplifiers Class D Audio Amp, ultra-low power
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRL7Analog Devices Inc.Description: CLASS D AMP, ULTRA-LOW POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 11-WLCSP (0.98x1.44)
Max Output Power x Channels @ Load: 80mW x 1 @ 16Ohm
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.98V, 1.7V ~ 1.98V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 1-Channel (Mono)
Package / Case: 11-XFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+180.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6515BCBZRL7ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - SSM6515BCBZRL7 - Audioleistungsverstärker, 80mW x 1 bei 16 Ohm, D, 1.1V bis 1.98V, WLCSP, 11 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Lastimpedanz: 16ohm
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6800H24YL3 Narda-MITEQDescription: SINGLE SIDEBAND UPCONVERTER
Packaging: Box
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6E01TUTOSHIBA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112ohm a. 4.5V, in UDFN6 package
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6G18NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A 6UDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.29 грн
6000+6.38 грн
9000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+20.08 грн
100+12.76 грн
500+8.99 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LFToshibaMOSFETs UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6H19NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.44 грн
889+15.92 грн
1035+13.67 грн
1091+12.50 грн
2000+10.73 грн
3000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J06FUTOSHIBA
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J07FUTOSHIBASOT-363
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J07FU TE85L SOT363-KDFTOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J07FU(TE85L)TOSHIBASOT363-KDF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J07FU(TE85L) SOT363-TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J07FU(TE85L)SOT363-KDF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J07FUTE85LSOT363-KDFTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J08FUTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J08FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J205FEToshibaMOSFET Vds=-20V Id=-800mA 6Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
на замовлення 7491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
на замовлення 7491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FE,LFToshibaMOSFET SS FET P-Ch 0.32Ohm -2A -8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J206FETE85L
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FEToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.79 грн
100+14.57 грн
500+10.31 грн
1000+9.21 грн
2000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LFToshibaMOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+41.42 грн
356+39.75 грн
500+38.32 грн
1000+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J207FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.79 грн
331+42.81 грн
373+37.94 грн
414+33.00 грн
500+28.67 грн
1000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE
Код товару: 77267
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FEToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
на замовлення 16109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
463+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.66 грн
500+9.51 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CAToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+22.96 грн
620+22.84 грн
647+21.88 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J212FE,LF(CATOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.60 грн
40+20.81 грн
100+13.66 грн
500+9.51 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,FToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J213FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.50 грн
8000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J214FE(TE85L,F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
500+13.66 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,FToshibaMOSFET P-CH 30V 3.6A ES6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J214FE(TE85L,F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.05 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.66 грн
27+30.64 грн
100+19.51 грн
500+13.66 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.40 грн
100+14.89 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
2000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J214FE(TE85L,FToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
на замовлення 13070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,FToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J215FE(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 8278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.06 грн
100+13.38 грн
500+9.44 грн
1000+8.44 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J216FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J21TUtoshiba09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J23FETOSHIBA
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J25FE
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J26FETOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.98 грн
100+14.96 грн
500+13.00 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm a. 4V, in UF6 package
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J401TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J402TU(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J402TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.0A, RDS(ON)=0.225Ohm a. 4V, in UF6 package
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J402TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UF6
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J402TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A UF6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J402TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.91 грн
500+10.87 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J402TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J402TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.117 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.19 грн
31+26.42 грн
100+16.91 грн
500+10.87 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J409TU(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.99 грн
6000+6.99 грн
9000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LFToshibaMOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427ohm a. 4.5V, in UF6 package
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.44 грн
100+13.58 грн
500+9.56 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.85 грн
35+23.25 грн
100+15.12 грн
500+10.34 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J412TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.12 грн
500+10.34 грн
1000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.93 грн
100+15.28 грн
500+10.84 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P CH 20V 6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J414TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6J414TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0225 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.30 грн
28+29.18 грн
100+18.70 грн
500+13.13 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.68 грн
100+13.11 грн
500+9.23 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm at 4.5V, in UF6 package
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
12+26.72 грн
100+19.97 грн
500+14.73 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J422TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]