Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9520SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NInternational RectifierP-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520N
Код товару: 30166
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 6,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,48 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NL
Код товару: 50677
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-262
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 6,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 480 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: /27
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9520NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.48 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 48
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET PLANAR >= 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.18 грн
273+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.20 грн
13+58.18 грн
100+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=6.8A@T=25C, Id=4.8A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NPBF
Код товару: 149959
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 6,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,48 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NSInternational RectifierP-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF
Код товару: 154193
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 6,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 390/18
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVishayMOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF
Код товару: 123233
1 Додати до обраних Обраний товар
Vishay / SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 6,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,06 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 390/18
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 12 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 6,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25, Qg, нКл = 18, Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 60 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+24.99 грн
100+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF
Код товару: 32841
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SSiliconixP-MOSFET 6,8A 100V 60W 0.6? IRF9520S smd TIRF9520s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SSiliconixP-MOSFET 6,8A 100V 60W 0.6? IRF9520S smd TIRF9520s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SPBFVishayTO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs P-Chan 100V 6.8 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9522HARRISIRF9522
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.41 грн
500+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9522HARRISIRF9522
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+113.41 грн
500+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9522Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+80.43 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SiliconixP-MOSFET 12A 100V 88W 0.3Ω IRF9530 IRF9530 TIRF9530
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+60.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530
Код товару: 78154
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 48 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+29.50 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530HARRISIRF9530
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530HARRISIRF9530
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530-220MWelwyn Components / TT ElectronicsMOSFET MOSFET - POWER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530-220MSemelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NInfineonP-MOSFET 14A 100V 79W 0.2Ω IRF9530N TIRF9530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N
Код товару: 7932
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530N-MLMOSLEADERTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9530; IRF9530-BE3; IRF9530N; SP001570634; IRF9530N-ML MOSLEADER TIRF9530n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NLPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 15251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.50 грн
50+70.79 грн
100+63.40 грн
500+47.33 грн
1000+43.42 грн
2000+40.13 грн
5000+35.97 грн
10000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.31 грн
50+37.71 грн
100+37.33 грн
500+35.63 грн
1000+32.67 грн
2000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.14 грн
50+38.23 грн
100+37.86 грн
500+36.13 грн
1000+33.12 грн
2000+31.48 грн
5000+31.17 грн
10000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF
Код товару: 32844
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 500/25
Монтаж: THT
у наявності: 402 шт
  • 367 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 14 шт
  • 14 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+22.00 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.75 грн
372+38.02 грн
375+37.65 грн
500+35.93 грн
1000+32.94 грн
2000+31.30 грн
5000+31.00 грн
10000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInternational RectifierMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.45 грн
2000+40.25 грн
5000+36.66 грн
10000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineonMOSFET,-100V,-14 A, TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.31 грн
375+37.71 грн
379+37.33 грн
500+35.63 грн
1000+32.67 грн
2000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.21 грн
10+43.93 грн
25+40.58 грн
50+38.24 грн
100+35.90 грн
250+32.80 грн
500+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.45 грн
2000+40.25 грн
5000+36.66 грн
10000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF 50K
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF/IRIR08+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NS
Код товару: 58984
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 A, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 760 @ 25, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 8,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+49.90 грн
100+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]