Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9530NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBFAmphenolCircular MIL Spec Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBF
Код товару: 154938
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLInfineonP-MOSFET 100V 14A IRF9530NS, IRF9530NSTRL, IRF9530NSTRR IRF9530NS TIRF9530ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.26 грн
134+105.91 грн
188+75.21 грн
500+54.98 грн
800+45.89 грн
2400+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.06 грн
10+76.48 грн
50+59.24 грн
100+52.80 грн
250+44.85 грн
500+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
10+91.88 грн
100+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.26 грн
10+105.91 грн
100+75.21 грн
500+54.98 грн
800+45.89 грн
2400+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.33 грн
1600+42.89 грн
2400+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBFInternational RectifierIRF9530NSTRLPBF MOSFET,-100V,-14 A, TO-263AB , D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9530NSTRRPBF
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+129.36 грн
1000+118.78 грн
10000+102.38 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9530NSTRRPBF - IRF9530NS 100V SINGLE P-CHANNEL IR MOSF
tariffCode: 85423990
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: -48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF
Код товару: 215123
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.79 грн
50+118.07 грн
100+106.68 грн
500+81.38 грн
1000+75.36 грн
2000+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 12 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 300 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+147.64 грн
100+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 12A P-CH MOSFET
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.62 грн
2000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; 88W; TO220AB
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Drain current: -12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.62 грн
2000+61.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.13 грн
50+87.92 грн
100+79.02 грн
500+59.53 грн
1000+54.83 грн
2000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9530PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3.VISHAYDescription: VISHAY - IRF9530PBF-BE3. - MOSFET, P-CH, 100V, 12A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
directShipCharge: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SSiliconixP-MOSFET 12A 100V 75W 0.2Ω IFR9530S smd TIRF9530s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF
Код товару: 35683
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 860/38
Монтаж: SMD
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+49.50 грн
10+43.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF
Код товару: 192850
Додати до обраних Обраний товар
VBsemiТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2765/67
Монтаж: SMD
у наявності: 77 шт
  • 64 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9530STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 12A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRPBFVishay / SiliconixRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9531Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±320V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9532Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 19101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9532HARRISIRF9532
на замовлення 10774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
10000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9532HARRISIRF9532
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9532HARRISIRF9532
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9533HARRISIRF9533
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9533HARRISIRF9533
на замовлення 11434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+88.57 грн
500+79.71 грн
1000+73.51 грн
10000+63.20 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9533Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9533Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 11834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9536
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540Fairchild SemiconductorDescription: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+136.41 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540International Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SiliconixP-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540Fairchild SemiconductorIRF9540
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+186.98 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF9540 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SiliconixP-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NInfineonP-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NInfineonP-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NJSMSEMITransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NL
Код товару: 15210
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-262
Примітка: Польовий транзистор, 140 W
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLInternational RectifierP-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.82 грн
50+137.63 грн
100+123.87 грн
500+96.19 грн
1000+82.14 грн
2000+73.28 грн
5000+67.24 грн
10000+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.16 грн
10+56.48 грн
25+49.87 грн
40+47.11 грн
50+45.94 грн
100+42.68 грн
500+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.57 грн
3000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 36446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.15 грн
230+61.53 грн
500+52.63 грн
1000+46.52 грн
3000+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]