Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9540NSTRLPBF
Код товару: 188176
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.14 грн
2400+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.01 грн
2400+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 14249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.68 грн
10+122.81 грн
25+93.17 грн
100+80.53 грн
250+73.82 грн
500+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 18573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.99 грн
10+88.38 грн
50+66.63 грн
100+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.14 грн
157+90.02 грн
174+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.14 грн
10+90.02 грн
100+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+106.30 грн
500+95.67 грн
1000+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9540NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+106.30 грн
500+95.67 грн
1000+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF
Код товару: 22645
1 Додати до обраних Обраний товар
FSТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1400/61
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+24.50 грн
10+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.77 грн
10+123.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.20 грн
10+130.16 грн
100+107.34 грн
500+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9540PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+455.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.20 грн
109+130.16 грн
132+107.34 грн
500+80.70 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF
Код товару: 150143
1 Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 19 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1400/61
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+41.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+207.77 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
на замовлення 13703 шт:
термін постачання 338-347 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Очікується: 60 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9540PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 19A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.53 грн
10+173.17 грн
50+133.83 грн
100+113.71 грн
500+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.84 грн
76+185.71 грн
100+172.54 грн
250+156.22 грн
500+138.77 грн
1000+128.70 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.20 грн
5+142.21 грн
10+127.82 грн
25+111.74 грн
50+102.43 грн
100+95.66 грн
250+89.73 грн
500+85.50 грн
1000+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.69 грн
10+223.30 грн
50+174.34 грн
100+148.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9540SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 19A P-CH MOSFET
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.23 грн
10+150.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLIR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRF9540STRLPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 19 Amp
на замовлення 10075 шт:
термін постачання 192-201 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRPBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541HARRISIRF9541
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.22 грн
500+185.81 грн
1000+175.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+151.50 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541HARRISIRF9541
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9541HARRISIRF9541
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.22 грн
500+185.81 грн
1000+175.22 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9542Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+139.05 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9542HARRISIRF9542
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+179.93 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9543HARRISIRF9543
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9543Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+96.16 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SiliconixP-MOSFET 1.8A 200V 20W 3Ω IRF9610 TIRF9610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610
Код товару: 174702
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,0 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
у наявності: 64 шт
  • 14 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+30.00 грн
10+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -200, Id = -1,8, Ptot, Вт = 20, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ -25, Qg, нКл = 11, Rds = 3 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = -3 В,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+25.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+48.92 грн
292+48.44 грн
298+47.39 грн
500+41.93 грн
1000+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9610PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.75 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.27 грн
10+141.48 грн
50+108.53 грн
100+91.88 грн
500+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+94.04 грн
163+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFIRF9610PBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.18 грн
50+48.69 грн
100+47.63 грн
500+42.15 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF
Код товару: 35442
Додати до обраних Обраний товар
IR/InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,0 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/11
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.45 грн
10+63.07 грн
50+52.82 грн
100+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.01 грн
50+109.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+109.78 грн
50+83.42 грн
100+70.30 грн
500+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9610SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.58 грн
10+123.57 грн
50+94.30 грн
100+79.64 грн
500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 200V 1.8A P-CH MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBF
Код товару: 176781
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1A; Idm: -7A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 20W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]