Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.65 грн
21+37.33 грн
100+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.03 грн
11+38.58 грн
25+34.12 грн
50+31.44 грн
100+28.83 грн
500+23.53 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSInternational RectifierP-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.02 грн
10+89.94 грн
100+60.47 грн
500+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.02 грн
10+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.31 грн
5+117.67 грн
10+100.86 грн
50+71.44 грн
100+64.72 грн
250+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.06 грн
10+108.35 грн
100+80.16 грн
500+55.22 грн
1000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.57 грн
110+129.65 грн
121+117.75 грн
250+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFIRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 11A
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.48 грн
10+86.73 грн
100+60.68 грн
500+52.23 грн
1000+48.25 грн
10000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.25 грн
50+91.62 грн
100+82.45 грн
500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.53 грн
50+100.72 грн
100+90.78 грн
500+68.83 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.68 грн
118+120.39 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.49 грн
10+73.12 грн
50+69.76 грн
100+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.14 грн
10+99.57 грн
100+64.87 грн
500+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.77 грн
10+120.57 грн
100+82.28 грн
500+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.70 грн
50+135.35 грн
100+101.97 грн
500+93.09 грн
1000+85.11 грн
2000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24VSTRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.66 грн
10+130.89 грн
100+72.62 грн
500+63.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFInternational RectifierSingle-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF
Код товару: 40285
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Id,A: 18 A
Rds(on),Om: 0,14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
  • 5 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+65.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.31 грн
10+189.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.33 грн
10+123.83 грн
100+83.09 грн
500+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.32 грн
50+101.09 грн
100+86.33 грн
500+80.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.36 грн
84+168.99 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBFVishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 8009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.74 грн
50+96.56 грн
100+91.63 грн
500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 50V 18A
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.13 грн
10+130.89 грн
100+103.34 грн
500+83.79 грн
1000+78.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34VishayТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SixnetТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SiliconixP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34 IRF9Z34 TIRF9Z34
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34L/IRIR08+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34LPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.70 грн
10+49.32 грн
100+32.36 грн
500+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NUMWTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34N
Код товару: 1336
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NInternational RectifierP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFIR08+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.63 грн
336+42.19 грн
368+38.61 грн
500+32.23 грн
1000+27.92 грн
2000+26.40 грн
5000+26.12 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.77 грн
50+42.34 грн
100+38.74 грн
500+32.34 грн
1000+28.02 грн
2000+26.49 грн
5000+26.21 грн
10000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+43.93 грн
326+43.49 грн
360+39.39 грн
500+32.43 грн
1000+27.94 грн
2000+26.38 грн
5000+26.11 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 16562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+47.92 грн
299+47.44 грн
335+42.43 грн
500+34.39 грн
1000+29.46 грн
2000+27.77 грн
5000+27.48 грн
10000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.55 грн
11+41.61 грн
25+36.14 грн
50+32.36 грн
100+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF
Код товару: 31477
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
  • 200 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 68, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 10 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 24216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.34 грн
10+78.70 грн
100+45.39 грн
500+35.68 грн
1000+30.51 грн
2000+27.65 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.34 грн
2000+32.70 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.34 грн
2000+32.70 грн
5000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFIRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 41689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.84 грн
50+43.45 грн
100+38.63 грн
500+28.29 грн
1000+25.73 грн
2000+23.58 грн
5000+20.89 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.93 грн
50+43.49 грн
100+39.39 грн
500+32.43 грн
1000+27.94 грн
2000+26.38 грн
5000+26.11 грн
10000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.79 грн
16+52.06 грн
100+44.81 грн
500+33.36 грн
1000+27.37 грн
5000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]