Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N60 | to-220/f | AAT | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N60 AAT | TO-220/F 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N60-B | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N600 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6004 | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N600A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N601 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N601A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N602 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6025 | ON | 09+ | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 | ON | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6027 | Solid State Inc. | Description: PUT TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | на замовлення 5475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APM PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction | на замовлення 14222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N6027 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 PBFREE | Central Semiconductor Corp. | Programmable Unijunction Transistor (UJT) 40V 300 mW TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA). Аналог: N13T1 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Through-Hole-Programmable UJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRB PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRB TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRB TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027G | onsemi | Description: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027G | On Semiconductor | PUT TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027G Код товару: 28415
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Напруга в закритому стані Uзакр, В: 40 В Струм у відкритому стані Iвідкр, мА: 0,15 мА Максимальний струм Imax, А: 0,5 А Характеристики: Одноперехідний транзистор | на замовлення: 30 шт
|
| ||||||||||||
| 2N6027G-T92-B | UTC | PUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 995 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N6027RL1 | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027RL1G | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027RLRA | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Power Dissipation (Max): 300 mW Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Part Status: Obsolete Current - Valley (Iv): 50 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Peak: 2 µA Voltage: 40V Voltage - Output: 11V Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6027RLRAG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 2 µA Voltage - Offset (Vt): 1.6 V Current - Valley (Iv): 50 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 | NTE Electronics, Inc. | Thyristor UJT 40V 5A 3-Pin TO-92 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N6028 | Centralsemi | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 | Solid State Inc. | Description: PUT TO92 Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N6028 | MOTOROLA | CAN | на замовлення 50030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 | On Semiconductor | Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 APM PBFREE | Central Semiconductor | Silicon Programmable Unijunction Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Active Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N6028 PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Thyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vak 50mA 300mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 150MA TH PROGRAMMABLE UJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 6V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,150mA Through-Hole Programmable UJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028G | On Semiconductor | Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028G | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028G (2N6028) Код товару: 28416
Додати до обраних
Обраний товар
| Тиристори > Тиристори, діністори Корпус: TO-92 Напруга в закритому стані Uзакр, В: 40 В Струм у відкритому стані Iвідкр, мА: 0,15 мА Максимальний струм Imax, А: 0,5 А Характеристики: Одноперехідний транзистор | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6028LOSE | On Semiconductor | Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRA | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Power Dissipation (Max): 300 mW Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Part Status: Obsolete Current - Valley (Iv): 25 µA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Peak: 150 nA Voltage: 40V Voltage - Output: 11V Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRA | On Semiconductor | Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRA | ON | 05+06+ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRAG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Power Dissipation (Max): 300 mW Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Part Status: Obsolete Current - Valley (Iv): 25 µA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Peak: 150 nA Voltage: 40V Voltage - Output: 11V Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRAG | On Semiconductor | Программируемый однопереходный транзистор (PUT), 40V, 0.3Вт, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRMG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRP | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6028RLRPG | onsemi | Description: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Voltage - Output: 11V Voltage: 40V Current - Peak: 150 nA Voltage - Offset (Vt): 600 mV Current - Valley (Iv): 25 µA Part Status: Obsolete Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA Power Dissipation (Max): 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6029 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 16A TO204AA Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6029 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6029 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6029 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Pwr | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6029 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 7.0Vebo 16A 200W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N602A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N603 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6030 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6030 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 120V 16A TO204AA Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6030 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6031 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6031 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 140V 16A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6031 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 16A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6031 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N6031 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. |