Продукція > BGH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BGH 182M E6327Infineon TechnologiesDescription: FILTER LC ESD SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH 92M E6327Infineon TechnologiesDescription: FILTER LC ESD SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1-1/3EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1-1/3Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1/4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1/4EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-10EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-10Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-12180NBBatteryGuyDescription: 12V 18AH HIGH RATE SLA BATTERY
Packaging: Box
Capacity: 18Ah
Size / Dimension: 7.13" L x 2.99" W x 6.36" H (181.1mm x 75.9mm x 161.5mm)
Termination Style: Nut and Bolt
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7215.91 грн
2+5557.35 грн
10+5352.98 грн
50+4175.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1255F2BatteryGuyDescription: 12V 5.5AH HIGH RATE SLA BATTERY
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1275F2BatteryGuyDescription: 12V 7.5AH HIGH RATE HIGH RATE SL
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-1290F2BatteryGuyDescription: 12V 9.0AH HIGH RATE SLA BATTERY
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-15Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-15EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-2Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-3Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-3/4EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-3/4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-690F2BatteryGuyDescription: 6V 9.0AH HIGH RATE SLA BATTERY
Packaging: Box
Capacity: 9Ah
Size / Dimension: 5.95" L x 1.34" W x 3.70" H (151.1mm x 34.0mm x 93.9mm)
Termination Style: Spade, .250" (6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 6 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2375.37 грн
10+1721.44 грн
50+1603.53 грн
100+1416.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH-BS-SYL-49713InterlightDescription: Replacement for Ballast Shop BGH
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH129KBox PartnersDescription: 7-3/4"WX4 3/4"DX16"H HARDWARE BA
Packaging: Box
Color: Kraft
Size / Dimension: 7-3/4" x 4-3/4" x 16"
Type: Hardware Bags
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10810.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH1608B102LT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH181B E6327INFINEONTSL7
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH2012A221HT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH2012A301HT
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH2012A301HT0805BEAD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH2012B601LT0805BEAD
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH2012B601LT
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH3216B601LT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+688.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+825.86 грн
2+603.39 грн
3+580.10 грн
6+548.97 грн
30+548.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1119.43 грн
2+745.43 грн
5+678.20 грн
600+669.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+932.86 грн
2+598.18 грн
5+565.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+967.05 грн
2+778.73 грн
5+709.33 грн
150+681.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+805.88 грн
2+624.91 грн
5+591.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+853.28 грн
2+696.45 грн
5+633.87 грн
30+630.09 грн
150+610.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH50N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.07 грн
2+558.88 грн
5+528.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N120HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1119.43 грн
2+800.28 грн
4+729.14 грн
5+728.19 грн
150+700.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH75N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+932.86 грн
2+642.20 грн
4+607.61 грн
5+606.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH91B
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGH91B E6327INFINEONSMD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT06PANDUITDescription: PANDUIT - BGHSTT06 - Wärmeschrumpfschlauch, 2:1, 0.063 ", 1.6 mm, Schwarz, 42.7 ft, 13 m
tariffCode: 85469010
Innendurchmesser nach Schrumpf - metrisch: 0.8mm
rohsCompliant: YES
Schrumpfverhältnis: 2:1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Material d. Schrumpfschlauchs/-teils: PO (Polyolefin)
Innendurchmesser bei Lieferung - metrisch: 1.6mm
usEccn: EAR99
Farbe d. Schrumpfschlauchs/Formschrumpfteils: Schwarz
euEccn: NLR
Länge - metrisch: 13m
Produktpalette: HSTT
productTraceability: No
Innendurchmesser nach Schrumpf - imperial: 0.031"
Länge - imperial: 42.7ft
Innendurchmesser bei Lieferung - imperial: 0.063"
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.17 грн
5+2221.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT25PanduitWire Ducting & Raceways Heat Shrink Thin, 0.25"(6.4mm) Dia X 8.5m Length per box, Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT25Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT25-2Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M RED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT25-45Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT25-6Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M BLUE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT25-CPanduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M CLR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGHSTT50-45Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT
Packaging: Bulk
Color: Green, Yellow
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 24.6' (7.5m)
Type: Tubing, Flexible
Operating Temperature: -55°C ~ 135°C
Shrinkage Ratio: 2 to 1
Inner Diameter - Supplied: 0.500" (12.70mm)
Inner Diameter - Recovered: 0.250" (6.35mm)
Recovered Wall Thickness: 0.025" (0.64mm)
Shrink Temperature: 90°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.