Продукція > DI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI200N04D2Diotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 200A, 1.6m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 40V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5832 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.26 грн
10+123.27 грн
100+77.83 грн
500+74.42 грн
5000+60.49 грн
10000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.14 грн
10+136.61 грн
100+94.93 грн
500+76.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTECDescription: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+266.05 грн
10+173.65 грн
100+121.08 грн
500+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N10D2-DIO SMD N channel transistors
на замовлення 827 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+300.57 грн
12+100.59 грн
33+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 100V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.65 грн
10+150.00 грн
100+104.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.06 грн
10+105.21 грн
100+76.47 грн
500+71.01 грн
1000+65.41 грн
2000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.26 грн
10+126.63 грн
25+107.81 грн
50+88.99 грн
100+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird TechnologiesPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.97 грн
10+134.26 грн
25+87.39 грн
100+77.15 грн
2000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI225MN/A
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.57 грн
100+25.80 грн
500+18.65 грн
1000+16.86 грн
2000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORDI2579N-DIO NPN SMD transistors
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+19.65 грн
106+11.05 грн
291+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
14+23.95 грн
100+12.43 грн
500+12.36 грн
1000+11.95 грн
2000+10.58 грн
4000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+16.59 грн
854+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 780
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTECDescription: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.25 грн
30+27.08 грн
100+16.17 грн
500+14.87 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 260A, 1.5?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.20 грн
10+180.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTECDescription: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.67 грн
10+208.70 грн
100+148.16 грн
500+133.14 грн
1000+120.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.30 грн
10+195.51 грн
100+144.74 грн
500+132.46 грн
2000+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTECDescription: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.67 грн
10+208.70 грн
100+148.16 грн
500+133.14 грн
1000+120.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorMOSFETs
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.79 грн
10+109.14 грн
100+57.15 грн
500+56.53 грн
1000+54.76 грн
2500+40.62 грн
5000+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.72 грн
10+103.26 грн
100+62.01 грн
500+55.63 грн
1000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N80D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 4.5A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 4.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N80D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 4.5A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 9.6nC
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 4.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.7A; Idm: 6A; 34.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 34.4W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Version: ESD
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.10 грн
10+54.44 грн
100+36.07 грн
500+26.45 грн
1000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.81 грн
10+58.89 грн
100+33.93 грн
500+26.56 грн
1000+24.10 грн
2500+21.51 грн
5000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2Diotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C, AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.03 грн
13+25.05 грн
100+13.72 грн
500+10.79 грн
1000+9.70 грн
4000+6.90 грн
12000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.