Продукція > DI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DI200N04D2Diotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 200A, 1.6m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 40V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5832 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 800A; 225W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 225W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 800A; 180W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 180W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.73 грн
10+140.17 грн
100+88.50 грн
500+84.62 грн
5000+68.78 грн
10000+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.50 грн
10+149.36 грн
100+103.79 грн
500+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+216.85 грн
10+132.62 грн
100+97.85 грн
200+88.95 грн
250+85.72 грн
400+80.87 грн
500+78.44 грн
800+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTECDescription: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.87 грн
10+189.85 грн
100+132.37 грн
500+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.22 грн
10+165.27 грн
100+117.42 грн
200+106.75 грн
250+102.86 грн
400+97.04 грн
500+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 100V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.01 грн
10+164.00 грн
100+113.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10LAIRDInductor Power Shielded Wirewound 0.3uH 10% 2MHz 8A 0.01Ohm DCR 2220 Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.64 грн
10+119.63 грн
100+86.95 грн
500+80.74 грн
1000+74.37 грн
2000+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 6370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.11 грн
10+138.45 грн
25+117.87 грн
50+97.29 грн
100+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird TechnologiesPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.28 грн
10+152.67 грн
25+99.37 грн
100+87.73 грн
2000+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI225MN/A
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
10+43.26 грн
100+28.21 грн
500+20.39 грн
1000+18.43 грн
2000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+18.81 грн
20+15.42 грн
100+12.91 грн
2000+10.29 грн
4000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTECDescription: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.68 грн
500+16.25 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.05 грн
14+27.23 грн
100+14.13 грн
500+14.05 грн
1000+13.59 грн
2000+12.03 грн
4000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+15.95 грн
854+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 780
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.68 грн
33+12.37 грн
100+10.76 грн
2000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTECDescription: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.45 грн
30+29.61 грн
100+17.68 грн
500+16.25 грн
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 260A, 1.5?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 184A; Idm: 1.039kA; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1.039kA
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.12 грн
10+195.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTECDescription: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.29 грн
10+228.17 грн
100+161.98 грн
500+145.56 грн
1000+131.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.10 грн
10+212.48 грн
100+131.20 грн
500+125.77 грн
2000+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFET, TOLL, 100V, 280A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTECDescription: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.29 грн
10+228.17 грн
100+161.98 грн
500+145.56 грн
1000+131.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorMOSFETs
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.22 грн
10+124.10 грн
100+64.98 грн
500+64.28 грн
1000+62.26 грн
2500+46.19 грн
5000+43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.48 грн
10+112.89 грн
100+67.79 грн
500+60.82 грн
1000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1K-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.7A; Idm: 6A; 34.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 34.4W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.8nC
Version: ESD
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 700V 1.6OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.57 грн
10+64.37 грн
100+40.05 грн
500+31.73 грн
1000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.35 грн
10+72.67 грн
100+38.58 грн
500+34.62 грн
1000+34.08 грн
2500+27.87 грн
5000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 700V 1.6OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3A; Idm: 12A; 1.4W; QFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.4W
Case: QFN2X2
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2Diotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C, AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.38 грн
13+28.48 грн
100+15.60 грн
500+12.27 грн
1000+11.02 грн
4000+7.84 грн
12000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.