Продукція > DI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI200N04D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET D2PAK N 40V 200A
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5832 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04D2Diotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 200A, 1.6m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.56 грн
10+138.13 грн
100+95.99 грн
500+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+124.64 грн
100+78.70 грн
500+75.25 грн
5000+61.16 грн
10000+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DiotecMOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2Diotec SemiconductorMOSFETs
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+116.70 грн
100+82.15 грн
800+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.88 грн
10+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.62 грн
10+157.86 грн
100+119.20 грн
500+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+114.20 грн
25+104.25 грн
100+87.61 грн
250+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.20 грн
500+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; 50A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI212N14TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 140V; 212A; Idm: 848A; 277W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 140V
Drain current: 212A
Power dissipation: 277W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 848A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI212N14TL-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 140V; 212A; Idm: 848A; 277W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 140V
Drain current: 212A
Power dissipation: 277W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 848A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Current Rating (Amps): 8 A
Inductance: 300 nH
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Material - Core: Ferrite
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Drum Core, Wirewound
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Current Rating (Amps): 8 A
Inductance: 300 nH
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Material - Core: Ferrite
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Drum Core, Wirewound
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird TechnologiesPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 7595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
10+182.60 грн
25+118.74 грн
100+104.93 грн
500+104.24 грн
1000+100.79 грн
2000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±10%
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.84 грн
10+170.22 грн
25+144.55 грн
50+118.95 грн
100+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+106.38 грн
100+77.32 грн
500+71.80 грн
1000+66.13 грн
2000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI225MN/A
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI255N04PQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 40V, 255A, 1.1m, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.75 грн
100+17.76 грн
500+12.64 грн
1000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
12+27.15 грн
100+15.81 грн
500+14.70 грн
1000+13.32 грн
2000+12.36 грн
4000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.50 грн
27+30.44 грн
100+20.38 грн
500+17.65 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+41.28 грн
100+26.95 грн
500+19.48 грн
1000+17.61 грн
2000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 40V, 260A, 1.5?, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04D2-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 184A; Idm: 1.039kA; 150W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 184A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.039kA
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04PQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 40V, 260A, 0.8m, 175C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04PQ-AQDiotec Semiconductor PowerQFN 5x6, N, 40V, 260A, 0.8m, 175C, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI260N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 260A; Idm: 1040A; 79W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.8mΩ
Drain current: 260A
Pulsed drain current: 1040A
Power dissipation: 79W
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.76 грн
10+199.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2kA
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 425W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.11 грн
10+215.04 грн
100+148.19 грн
500+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.19 грн
500+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+254.05 грн
100+154.64 грн
500+133.93 грн
1000+125.64 грн
2000+111.84 грн
4000+108.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 4132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+86.60 грн
100+58.50 грн
500+43.58 грн
1000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorMOSFETs
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+110.35 грн
100+57.78 грн
500+57.16 грн
1000+55.37 грн
2500+41.08 грн
5000+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A2N100D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+59.54 грн
100+34.31 грн
500+26.85 грн
1000+24.37 грн
2500+21.75 грн
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+55.04 грн
100+36.47 грн
500+26.75 грн
1000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 2.7A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2Diotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI2A8N03PWK2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 2x2, N+N, 30V, 2.8A, 72m?, 150C, AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
13+25.33 грн
100+13.88 грн
500+10.91 грн
1000+9.80 грн
4000+6.97 грн
12000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.