Продукція > EGF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGF.0B.200.CZZ | LEMO | Description: CONN INSERT SHELL RCPT JAM NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.303.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 3SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.303.CLN | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 3SKT STR PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.304.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 4SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.306.CLL | LEMO | Circular Push Pull Connectors RECEPTACLE W. NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.306.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 6SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.1B.308.CLL | LEMO | Circular Push Pull Connectors LBR KeyF 8C FEMALE SOLDER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.2B.319.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.2B.319.CLN | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT STR PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.2B.319.CYM | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.4K.340.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 40SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF107M1EE11RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 25VDC; Ø6.3x11mm Body dimensions: Ø6.3x11mm Terminal pitch: 2.5mm Impedance: 0.22Ω Capacitance: 100µF Operating temperature: -40...105°C Mounting: THT Kind of capacitor: low ESR Type of capacitor: electrolytic Tolerance: ±20% Operating voltage: 25V DC Service life: 2000h | на замовлення 8070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1EE11RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 25VDC; Ø6.3x11mm Body dimensions: Ø6.3x11mm Terminal pitch: 2.5mm Impedance: 0.22Ω Capacitance: 100µF Operating temperature: -40...105°C Mounting: THT Kind of capacitor: low ESR Type of capacitor: electrolytic Tolerance: ±20% Operating voltage: 25V DC Service life: 2000h кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 8070 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1HG1BRRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Ø10x12.5mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 100µF Operating voltage: 50V DC Body dimensions: Ø10x12.5mm Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.12Ω Kind of capacitor: low ESR кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 3760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1HG1BRRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Ø10x12.5mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 100µF Operating voltage: 50V DC Body dimensions: Ø10x12.5mm Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.12Ω Kind of capacitor: low ESR | на замовлення 3760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1VE11RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 100µF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø6.3x11mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.22Ω Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 2.5mm | на замовлення 43040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1VE11RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 100µF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø6.3x11mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.22Ω Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 2.5mm кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 43040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF108M1JK25RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 63VDC; Ø16x25mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø16x25mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF108M1JK25RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 63VDC; Ø16x25mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø16x25mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF108M1VI20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Capacitance: 1mF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø12.5x20mm Tolerance: ±20% Terminal pitch: 5mm Impedance: 35mΩ Service life: 4000h Kind of capacitor: low ESR кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF108M1VI20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Capacitance: 1mF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø12.5x20mm Tolerance: ±20% Terminal pitch: 5mm Impedance: 35mΩ Service life: 4000h Kind of capacitor: low ESR | на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF10G | на замовлення 69439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EGF143 | N/A | 06+ | на замовлення 323 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 6204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt 50ns | на замовлення 15592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 9380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_B/H | Vishay | 1A,50V,50NS,UF SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 9028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 13864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, 1A, 100V, DO-21 Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 12834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 170362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns | на замовлення 11571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1BHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 100V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 14147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C | ON Semiconductor | Diode Switching 150V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/67A | Vishay | Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT EGF1C-E3/5CA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3/67A | Vishay | Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 33242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 22949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 9074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ONSEMI | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A; 2W Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 15pF Case: SMA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape | на замовлення 5463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D Код товару: 175898
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 9128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 22949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 4045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ONSEMI | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A; 2W Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 15pF Case: SMA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D DO214 | GS | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D DO214AC-ED | GS | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D DO214 | GS | на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D DO214AC-ED | GS | на замовлення 130000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D-2HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-2HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-2HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA Код товару: 180469
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 7312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 5370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200V 50ns | на замовлення 5971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D-E3/67A | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; DO214BA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 15pF Case: DO214BA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 50µA Kind of package: 7 inch reel Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Quantity in set/package: 1500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3\5CA | Vishay | Rectifiers 1A,200V,50NS,UF SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D-E3\67A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,200V,50NS,UF SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DDO214- | GS | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1DDO214AC-ED | GS | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| EGF1DHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE367A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B\H | Vishay | Rectifiers 1A,200V,50NS,SUPERECT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1DHE3_B\I | Vishay | Rectifiers 1A,200V,50NS,SUPERECT,NOT FOR NEW DESIGN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1NCDCDE050 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,50MA,SS-DC,NORM DE-EN,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1NCDCDE100 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,100MA,SS-DC,NORM DE-EN,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTDE050 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-AC,NO.,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTDE100 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-AC,NC.,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTDET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-DC,NO.,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTNE050 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-DC,NC.,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTNE100 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-AC,NO.,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1SPDTNET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-AC,NC.,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T | VISHAY | 10+ SOP32 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 5939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 12794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | VISHAY | EGF1T-E3/67A SMD universal diodes | на замовлення 1331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 75ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 4242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - EGF1T-E3/67A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 3 V, 75 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.3kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 3350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay Semiconductors | DO-214 | на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt | на замовлення 33236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 18735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Case GF1 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | на замовлення 17285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin Case GF1 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF227M1JG20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 63VDC; Ø10x20mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø10x20mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Impedance: 168mΩ Service life: 3000h Terminal pitch: 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF227M1JG20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 63VDC; Ø10x20mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø10x20mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Impedance: 168mΩ Service life: 3000h Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF227M1VF16RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Ø8x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 35V DC Terminal pitch: 3.5mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Body dimensions: Ø8x16mm Impedance: 87mΩ | на замовлення 9490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF227M1VF16RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Ø8x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 35V DC Terminal pitch: 3.5mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Body dimensions: Ø8x16mm Impedance: 87mΩ кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 9490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF228M1CI20RRSMP | Samxon | Конденсатор електролітичний радіальний; С = 2 200 мкФ; U, В = 16; Розм = 12,5 x 20 мм; Точн., % = 20; R, Ом = 35; Крок, мм = 5; Тексп, °C = -40...+105; Термін експл., г @ T,°C = 4000; 12,5x20mm | на замовлення 8528 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF228M1CI20RRSMP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 16VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Capacitance: 2.2mF Terminal pitch: 5mm Body dimensions: Ø12.5x20mm Impedance: 35mΩ Operating voltage: 16V DC Tolerance: ±20% Service life: 4000h кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF228M1CI20RRSMP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 16VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Capacitance: 2.2mF Terminal pitch: 5mm Body dimensions: Ø12.5x20mm Impedance: 35mΩ Operating voltage: 16V DC Tolerance: ±20% Service life: 4000h | на замовлення 2770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF228M1EI25RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 25VDC; Ø12.5x25mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 2.2mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø12.5x25mm Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Impedance: 30mΩ Operating temperature: -40...105°C Service life: 4000h кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1768 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF228M1EI25RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 25VDC; Ø12.5x25mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 2.2mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø12.5x25mm Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Impedance: 30mΩ Operating temperature: -40...105°C Service life: 4000h | на замовлення 1768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF2NCLAT3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,JUMPER,NC FM B REL,LATCH | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF2SPDTDE050 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,2"AP,NC FM B REL,LATCHTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF2SPDTDE100 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,2"AP,NO FMA REL,LATCHTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF2SPDTDET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,2"AP,FMC REL,AUTO R,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF2SPDTNE050 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial PWR SENSOR,GFI,2"AP,FM C REL,AUTO R,ENE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF2SPDTNE100 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial E 3P 15A 65kA FXD therm FXD mag single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF2SPDTNET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial E 3P 15A 65kA FXD therm FXD mag 3T125EF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF3NCDCDET3 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,5-10-30MA,SS-DC,NO.,NC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF467 | N/A | 06+ | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF477M1EG16RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 25VDC; Ø10x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 470µF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø10x16mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 80mΩ Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 5mm | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF477M1VG16RRTHP-R | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 35VDC; Ø10x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 470µF Operating voltage: 35V DC Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 60mΩ Kind of capacitor: low ESR Body dimensions: Ø10x16mm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 9850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF477M1VG16RRTHP-R | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 35VDC; Ø10x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 470µF Operating voltage: 35V DC Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 60mΩ Kind of capacitor: low ESR Body dimensions: Ø10x16mm | на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF478M1EK30RRS0P | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 4700uF; 25VDC; Ø16x30mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 4.7mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø16x30mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF478M1EK30RRS0P | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 4700uF; 25VDC; Ø16x30mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 4.7mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø16x30mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF989 | N/A | 06+ | на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFBX1003RP0 | Mersen | Disconnect Switches ENC J FD SWITCH 100A N4XN RP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFC1003RP0 | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: NEMA 4X NM100A FSSC3-POLERE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFC303BP3 | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: ENCLOSED FSSC30 BLACK HANDLE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFC303RP3 | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: ENCLOSED FSSC30 RED HANDLE N Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFL1SPDTDET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial EG 3P 60A 70KA 415 65KA 480V FXD therm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFL1SPDTNET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial EGH 3P 90A FXD therm FXD Mag C/W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFL2SPDTDET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial EGH CB 3P 125A W/1A-1B A/S RH&W/L&L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFL2SPDTNET3 | Eaton Electrical | Current Sensors – Industrial TYPE EGK MCCB SW 3P 125A W/ 380- 500VAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFM-08 T SL | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 15.8÷16.5mm; Øint: 8mm; -30÷80°C Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 15.8...16.5mm Internal diameter: 8mm Material: iglidur® J Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Height: 6mm Static load: 75...550N Manufacturer series: igubal® Enclosure material: igumid G кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGFM-08 T SL | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 15.8÷16.5mm; Øint: 8mm; -30÷80°C Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 15.8...16.5mm Internal diameter: 8mm Material: iglidur® J Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Height: 6mm Static load: 75...550N Manufacturer series: igubal® Enclosure material: igumid G | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGFM-10 T | IGUS | EGFM-10-T Plain Bearings | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGFM-16 T | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 29.8÷30.6mm; Øint: 16mm; igubal® Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 29.8...30.6mm Internal diameter: 16mm Material: iglidur® W300 Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Manufacturer series: igubal® Height: 13mm Enclosure material: igumid G Static load: 300...3000N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFM-20 T | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 34.8÷35.6mm; Øint: 20mm; igubal® Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 34.8...35.6mm Internal diameter: 20mm Material: iglidur® W300 Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Manufacturer series: igubal® Height: 16mm Enclosure material: igumid G Static load: 400...4500N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGFM-30 T | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 46.8÷47.6mm; Øint: 30mm; igubal® Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 46.8...47.6mm Internal diameter: 30mm Material: iglidur® W300 Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Manufacturer series: igubal® Height: 22mm Enclosure material: igumid G Static load: 1500...8500N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |