Продукція > EGF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGF.0B.200.CZZ | LEMO | Description: CONN INSERT SHELL RCPT JAM NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.303.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 3SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.303.CLN | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 3SKT STR PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.304.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 4SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.306.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 6SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.0B.306.CLL | LEMO | Circular Push Pull Connectors RECEPTACLE W. NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.1B.308.CLL | LEMO | Circular Push Pull Connectors LBR KeyF 8C FEMALE SOLDER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.2B.319.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.2B.319.CLN | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT STR PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.2B.319.CYM | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF.4K.340.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 40SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF107M1EE11RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 25VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 100µF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø6.3x11mm Terminal pitch: 2.5mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Impedance: 0.22Ω Operating temperature: -40...105°C Height: 11mm Diameter: 6.3mm | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1HG1BRRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Ø10x12.5mm Mounting: THT Operating temperature: -40...105°C Tolerance: ±20% Kind of capacitor: low ESR Capacitance: 100µF Terminal pitch: 5mm Body dimensions: Ø10x12.5mm Diameter: 10mm Height: 12.5mm Impedance: 0.12Ω Operating voltage: 50V DC Service life: 3000h Type of capacitor: electrolytic | на замовлення 3290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF107M1VE11RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 100µF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø6.3x11mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Height: 11mm Diameter: 6.3mm Terminal pitch: 2.5mm Impedance: 0.22Ω Kind of capacitor: low ESR | на замовлення 3720 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF108M1JK25RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 63VDC; Ø16x25mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø16x25mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Height: 25mm Diameter: 16mm Service life: 2000h | на замовлення 3662 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF108M1VI20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø12.5x20mm Tolerance: ±20% Service life: 4000h Operating temperature: -40...105°C Height: 20mm Diameter: 12.5mm Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 5mm Impedance: 35mΩ | на замовлення 5959 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF10G | на замовлення 69439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| EGF143 | N/A | 06+ | на замовлення 323 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF158M1CG20CB 1500 мкФ 16 В | Man Yue Electronics Compa | EHR 10*20 3000hrs@105C Конденсатори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | onsemi | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 8012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2977 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 6204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay | 50V 1A DO214BA Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt 50ns | на замовлення 15592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A | на замовлення 9380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1AHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1AHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 11835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 170362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 9028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 11835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, 1A, 100V, DO-21 Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-1HE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns | на замовлення 11203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns | на замовлення 11571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1BHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1BHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | ON Semiconductor | Diode Switching 150V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7440 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 14147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT EGF1C-E3/5CA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1C-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1CHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | onsemi | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 9074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| EGF1D | Vishay | DO-214BA 1.0 Amp 200V 50ns Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 33242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

