Продукція > EGF
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EGF.0B.200.CZZ | LEMO | Description: CONN INSERT SHELL RCPT JAM NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.0B.303.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 3SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.0B.303.CLN | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 3SKT STR PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.0B.304.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 4SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.0B.306.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 6SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.0B.306.CLL | LEMO | Circular Push Pull Connectors RECEPTACLE W. NUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.1B.308.CLL | LEMO | Circular Push Pull Connectors LBR KeyF 8C FEMALE SOLDER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.2B.319.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.2B.319.CLN | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT STR PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.2B.319.CYM | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 19SKT CRIMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF.4K.340.CLL | LEMO | Description: CONN PNL MNT RCPT 40SKT SLD CUP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF107M1EE11RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 25VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Capacitance: 100µF Operating voltage: 25V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.22Ω Service life: 2000h Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 2.5mm Body dimensions: Ø6.3x11mm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 13717 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF107M1EE11RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 25VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Capacitance: 100µF Operating voltage: 25V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.22Ω Service life: 2000h Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 2.5mm Body dimensions: Ø6.3x11mm | на замовлення 13717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF107M1HG1BRRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Ø10x12.5mm Type of capacitor: electrolytic Capacitance: 100µF Operating voltage: 50V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.12Ω Service life: 3000h Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 5mm Body dimensions: Ø10x12.5mm | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF107M1HG1BRRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Ø10x12.5mm Type of capacitor: electrolytic Capacitance: 100µF Operating voltage: 50V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.12Ω Service life: 3000h Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 5mm Body dimensions: Ø10x12.5mm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2697 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF107M1VE11RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Capacitance: 100µF Operating voltage: 35V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Body dimensions: Ø6.3x11mm Service life: 2000h Terminal pitch: 2.5mm Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.22Ω кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 28220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF107M1VE11RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 35VDC; Ø6.3x11mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Capacitance: 100µF Operating voltage: 35V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Body dimensions: Ø6.3x11mm Service life: 2000h Terminal pitch: 2.5mm Operating temperature: -40...105°C Impedance: 0.22Ω | на замовлення 28220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF108M1JK25RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 63VDC; Ø16x25mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø16x25mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 7.5mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF108M1JK25RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 63VDC; Ø16x25mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø16x25mm Tolerance: ±20% Service life: 2000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 7.5mm | на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF108M1VI20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø12.5x20mm Tolerance: ±20% Service life: 4000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 35mΩ Terminal pitch: 5mm Kind of capacitor: low ESR кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 10204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF108M1VI20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 35VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 1mF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø12.5x20mm Tolerance: ±20% Service life: 4000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 35mΩ Terminal pitch: 5mm Kind of capacitor: low ESR | на замовлення 10204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF10G | на замовлення 69439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
EGF143 | N/A | 06+ | на замовлення 323 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 4272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A | ON Semiconductor | Diode Switching 50V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 6204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 9380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 50 Volt 50ns | на замовлення 24002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_B/H | Vishay | 1A,50V,50NS,UF SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1AHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 16199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, 1A, 100V, DO-21 Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | ON Semiconductor | Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 9028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 16199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 170362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B-1HE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-1HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-1HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-1HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-1HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-1HE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/67A | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/67A | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns | на замовлення 12429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1BHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 100V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1BHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1C | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1C | ON Semiconductor | Diode Switching 150V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 5752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1C-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 150V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT EGF1C-E3/5CA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C-E3/67A | Vishay | Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1C-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3/67A | Vishay | Diode Switching 150V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,150V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1CHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 150V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 14138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 12696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 27452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D | ONSEMI | EGF1D-ONS SMD universal diodes | на замовлення 5641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D Код товару: 175898
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 27452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D | ON Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D DO214 | GS | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1D DO214AC-ED | GS | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1D DO214 | GS | на замовлення 2820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1D DO214AC-ED | GS | на замовлення 130000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1D-2HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-2HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-2HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA Код товару: 180469
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 5670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 7662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200V 50ns | на замовлення 6753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 7952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | VISHAY | EGF1D-E3/67A SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D-E3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1DDO214- | GS | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1DDO214AC-ED | GS | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
EGF1DHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3/67A | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1DHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1D_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1T | VISHAY | 10+ SOP32 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 5939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 12794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 4242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay Semiconductors | DO-214 | на замовлення 500 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 1300 Volt | на замовлення 43339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 1.3KV 75ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | VISHAY | EGF1T-E3/67A SMD universal diodes | на замовлення 1463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1T-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - EGF1T-E3/67A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.3 kV, 1 A, Einfach, 3 V, 75 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.3kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1T productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 18735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/67A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1300 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated | на замовлення 4115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/67A | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3/67A | VISHAY | EGF1THE3/67A SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin Case GF1 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | на замовлення 17285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/H | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Case GF1 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/I | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF1THE3_A/I | Vishay | Diode Switching 1.3KV 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF227M1JG20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 63VDC; Ø10x20mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø10x20mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Terminal pitch: 5mm Impedance: 168mΩ Service life: 3000h | на замовлення 6521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF227M1JG20RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 63VDC; Ø10x20mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 63V DC Body dimensions: Ø10x20mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Terminal pitch: 5mm Impedance: 168mΩ Service life: 3000h кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF227M1VF16RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 35VDC; Ø8x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 220µF Operating voltage: 35V DC Body dimensions: Ø8x16mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Terminal pitch: 3.5mm Impedance: 87mΩ Service life: 3000h | на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF228M1CI20RRSMP | Samxon | Конденсатор електролітичний радіальний; С = 2 200 мкФ; U, В = 16; Розм = 12,5 x 20 мм; Точн., % = 20; R, Ом = 35; Крок, мм = 5; Тексп, °C = -40...+105; Термін експл., г @ T,°C = 4000; 12,5x20mm | на замовлення 8528 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF228M1CI20RRSMP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 16VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 2.2mF Operating voltage: 16V DC Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Service life: 4000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Body dimensions: Ø12.5x20mm Impedance: 35mΩ | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF228M1CI20RRSMP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 16VDC; Ø12.5x20mm Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 2.2mF Operating voltage: 16V DC Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Service life: 4000h Operating temperature: -40...105°C Kind of capacitor: low ESR Body dimensions: Ø12.5x20mm Impedance: 35mΩ кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF228M1EI25RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 25VDC; Ø12.5x25mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 2.2mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø12.5x25mm Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Impedance: 30mΩ Operating temperature: -40...105°C Service life: 4000h | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF228M1EI25RR | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 25VDC; Ø12.5x25mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 2.2mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø12.5x25mm Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±20% Impedance: 30mΩ Operating temperature: -40...105°C Service life: 4000h кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF467 | N/A | 06+ | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF477M1EG16RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 25VDC; Ø10x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 470µF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø10x16mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 80mΩ Terminal pitch: 5mm Kind of capacitor: low ESR кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 6580 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF477M1EG16RRSHP | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 25VDC; Ø10x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Mounting: THT Capacitance: 470µF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø10x16mm Tolerance: ±20% Service life: 3000h Operating temperature: -40...105°C Impedance: 80mΩ Terminal pitch: 5mm Kind of capacitor: low ESR | на замовлення 6580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF477M1VG16RRTHP-R | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 35VDC; Ø10x16mm; ±20% Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Capacitance: 470µF Operating voltage: 35V DC Mounting: THT Tolerance: ±20% Body dimensions: Ø10x16mm Service life: 3000h Terminal pitch: 5mm Operating temperature: -40...105°C Impedance: 60mΩ | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGF478M1EK30RRS0P | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 4700uF; 25VDC; Ø16x30mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 4.7mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø16x30mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Service life: 2000h | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF478M1EK30RRS0P | SAMXON | Category: THT electrolytic capacitors Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 4700uF; 25VDC; Ø16x30mm Type of capacitor: electrolytic Kind of capacitor: low ESR Mounting: THT Capacitance: 4.7mF Operating voltage: 25V DC Body dimensions: Ø16x30mm Terminal pitch: 7.5mm Tolerance: ±20% Operating temperature: -40...105°C Service life: 2000h кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGF989 | N/A | 06+ | на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFL2SPDTDET3 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,2"AP,FMC REL,AUTO R,NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFL2SPDTNET3 | Eaton Electrical | Industrial Current Sensors PWR SENSOR,GFI,2"AP,FM C REL,AUTO R,ENE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFM-08 T SL | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 15.8÷16.5mm; Øint: 8mm; -30÷80°C Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 15.8...16.5mm Internal diameter: 8mm Material: iglidur® J Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Height: 6mm Manufacturer series: igubal® Static load: 75...550N Enclosure material: igumid G кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGFM-08 T SL | IGUS | Category: Plain Bearings Description: Bearing: joint; with flange; Øout: 15.8÷16.5mm; Øint: 8mm; -30÷80°C Type of bearing: joint Version: with flange Outside diameter: 15.8...16.5mm Internal diameter: 8mm Material: iglidur® J Mechanical elements features: lubricant-free Operating temperature: -30...80°C Height: 6mm Manufacturer series: igubal® Static load: 75...550N Enclosure material: igumid G | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGFM-10 T | IGUS | EGFM-10-T Plain Bearings | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
EGFM-12 T | IGUS | EGFM-12-T Plain Bearings | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFM-16 T | IGUS | EGFM-16-T Plain Bearings | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFM-20 T | IGUS | EGFM-20-T Plain Bearings | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFM-25 T | IGUS | EGFM-25-T Plain Bearings | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
EGFM-30 T | IGUS | EGFM-30-T Plain Bearings | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |