Продукція > IDW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDW100E60 | Infineon Technologies | Description: IDW100E60 - SILICON POWER DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW100E60 | INF | TO-247 | на замовлення 146400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW100E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 100A; tube; Ifsm: 400A; TO247-3; 120ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 100A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.4kA Case: TO247-3 Reverse recovery time: 120ns | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 Код товару: 168636
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes INDUSTRY 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 150A PGTO24731 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 600 V | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW100E60FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW100E60FKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 150 A, Einfach, 2 V, 400 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDW10 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G120C5B | Infineon technologies | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY SIC 1200V TO247-3-41 Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW10G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5 | Infineon | Schottky 650V, 10A, TO-247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 10A PGTO247341 Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO247-3; Ir: 2uA Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. forward impulse current: 46A Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Mounting: THT Leakage current: 2µA Power dissipation: 65W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Type of diode: Schottky rectifying | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 Код товару: 190599
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW10G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW10S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW10S120FKSA1 - IDW10S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW12G65C5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW12G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW12G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW12G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 650V 12A PGTO247341 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW12G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 650V 30A TO247-3-1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | на замовлення 19680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS Rapid Switching | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 19680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 Код товару: 132796
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 11280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 650V 30A PGTO24731 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon | Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW15E65D2FKSA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 24A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 1200 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon | Diode: Schottky rectifying, THT, 1.2kV, 15A, 200W, PG-TO247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW15G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3 | на замовлення 6483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDW15S120FKSA1 - IDW15S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW15S120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW16G65C5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW16G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW16G65C5 | Infineon | Schottky 650V, 16A, TO-247-3 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW16G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20C65D2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20C65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 2.2 V, 30 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 2.2V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Rapid2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARRAY GP 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20C65D2XKSA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS | на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G120C5B | Infineon technologies | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE ARR SIC 1200V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 83 µA @ 1200 V | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G120C5BFKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5B | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5B | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 46A Leakage current: 2µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5BXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDW20G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IDW20G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IDW20G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |

