Продукція > NP1

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP1-6YUASADescription: YUASA - NP1-6 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 6 V, Bleisäure, 1 Ah, Steckanschlüsse
tariffCode: 85072020
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Gewicht: 250g
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 6V
hazardous: true
hazardCode: 2800
Batteriekapazität: 1Ah
rohsPhthalatesCompliant: NA
Außentiefe: 51mm
Außenhöhe: 54.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 42.5mm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.14 грн
5+1357.10 грн
10+1289.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP1-63ChintАвтоматический выключатель, 1-63 А, 1р Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP1.2-12
Код товару: 164753
Додати до обраних Обраний товар
Акумулятори > Інші акумулятори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP1.2-12YUASADescription: YUASA - NP1.2-12 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 12 V, Bleisäure, 1.2 Ah, Steckanschlüsse
tariffCode: 85072020
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batterie-/Akkuspannung: 12V
Batteriekapazität: 1.2Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Außenbreite: 48mm
Außentiefe: 97mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Außendurchmesser: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 54.5mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 580g
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2193.10 грн
5+2073.09 грн
10+1952.28 грн
20+1776.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP1.2-12EnerSysDescription: 12V 1.2AH
Packaging: Case
Battery Cell Size: 12V
Capacity: 1.2Ah
Size / Dimension: 3.82" L x 1.69" W x 2.28" H (97.0mm x 43.0mm x 58.0mm)
Termination Style: Spade, .187" (4.7mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1844.50 грн
60+1637.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1.2-12EnerSysLead Acid Battery Rectangular 12V 1.2Ah Rechargeable
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3067.56 грн
10+2878.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1.2-12Yuasa BatteryDescription: 12V, 1.2 AH SLA
Voltage - Rated: 12 V
Part Status: Active
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Size / Dimension: 3.82" L x 1.89" W x 2.15" H (97.0mm x 48.0mm x 54.6mm)
Capacity: 1.2Ah
Packaging: Case
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP1.2-6YUASADescription: YUASA - NP1.2-6 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 6 V, Bleisäure, 1.2 Ah, Steckanschlüsse
tariffCode: 85072020
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batterie-/Akkuspannung: 6V
Batteriekapazität: 1.2Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Außenbreite: 25mm
Außentiefe: 97mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Außendurchmesser: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 54.5mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 310g
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1713.89 грн
5+1638.98 грн
10+1562.47 грн
20+1400.01 грн
50+1266.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP10PRO POWERDescription: PRO POWER - NP10 - Befestigungselement, Klemme, Kabelklemme, Befestigung mit Schraube, 25.4 mm, Schwarz, 31.8 mm
tariffCode: 39269097
Material der Kabelklemme/des Kabelclips: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Außenlänge: 31.8mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Kabelklemme/Kabelclip: Kabelklemme, Befestigung mit Schraube
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Höhe: 45.7mm
Farbe der Kabelklemme/des Kabelclips: Schwarz
Innendurchmesser: 25.4mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 19mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.90 грн
5+402.70 грн
10+354.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP10-300M1LUMELCategory: Portable digital multimeters
Description: Digital multimeter; LED; 2,8x/s; VDC: 660mV,6.6V,66V,660V,1kV
Type of meter: digital multimeter
Measurement: AC current; AC voltage; DC current; DC voltage; resistance; temperature
Kind of display used: LED
DC voltage measuring range: 660mV; 6.6V; 66V; 660V; 1kV
DC voltage measuring accuracy: ±(0.4% + 5 digit)
AC voltage measuring range: 660mV; 6.6V; 66V; 660V; 1kV
AC voltage measuring accuracy: ±(1% + 3 digit)
DC current measuring range: 66mA...16A
DC current measuring accuracy: ±(1.5% + 5 digit)
AC current measuring range: 66mA...16A
AC current measuring accuracy: ±(1.5% + 5 digit)
Resistance measuring range: 660...66MΩ
Temperature measuring range: 0...1300°C
Resistance measuring accuracy: ±(0.8%+5 digit)
Continuity test: acoustic indication; <30Ω
Power supply: battery LR6 AA 1,5V x2
Standard equipment: soft case; test leads; user's manual
Conform to the norm: CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Related items: 5790D; 5793D; 5794D; 5795D; 5797D; BKP60; EX871515; EX881602; EX881603; EX881605; PKT-PTA; PKT-PTF-10; PKT-PTF-20; PKT-PTF-25; PKT-PTF-30; PKT-PTF-40; PKT-PTF-50; PKT-PTF-55; PKT-PTF-56; PKT-PTF-60; SE027; SE028; SE029; SE030; SE031; SE059; SE060; SE061; SE062; SE001; SE002; SE003; SE004; SE000; TESTO-06020393; TESTO-06020645; TESTO-06024592; TESTO-06024892; TESTO-06280020; TESTO-06281292; TESTO-06287533; TP200; TP400; TP870; TP873; TP873-5M; TP882; TP-111; TP-112; TP-02; TP-03; TP-04; TP-06; TP-08; TP-09; TPK-59; TPK-62; UTT10K; UTT12
Dimensions (W x H x D): 79x174x38mm
Measuring instrument features: auto and manual ranging; automatic and manual sensitivity adjustment; automatic power-off; for use with type-K thermocouple; HOLD function; measures peak values; with an extra quality inspection certificate
Battery/ rechargeable battery: battery LR6 AA 1,5V x2
Interface language: PL
Bargraph: yes
Operating temperature: 0...50°C
Temperature measurement accuracy: ±(2% + 3 digit)
Weight with battery: 480g
Sampling: 2,8x/s
Manufacturer series: NP10
Test: diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14210.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP10-6YUASADescription: YUASA - NP10-6 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 6 V, Bleisäure, 10 Ah, Steckanschlüsse, 1
tariffCode: 85072020
NEDA-Code: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: NA
Batteriekonformität: -
Batterie-/Akkuspannung: 6V
Batteriekapazität: 10Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
isCanonical: Y
Batterietyp/-größe: Bleisäure
Außenbreite: 50mm
Außentiefe: 151mm
Batterie-/Akkugrößencode: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 97.5mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 1.93kg
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2711.77 грн
5+2676.34 грн
10+2640.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04NUJ
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PDH
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUH
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK(1)-E1-AYRenesasNP100N04PUK(1)-E1-AY
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+545.74 грн
100+518.57 грн
500+491.40 грн
1000+447.65 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK(1)-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+381.52 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 100A 2.3mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N04PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.81 грн
1600+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PDH
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUH
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.32 грн
10+165.92 грн
25+142.90 грн
100+104.24 грн
500+103.55 грн
800+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AYRenesasMP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE, MP-25ZP/TO-263, 55V, ID(DC)100A, кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
10+157.50 грн
100+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N06PDG-E1-AY
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N06PLG-E1-AY
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP100P04PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.37 грн
10+264.98 грн
100+206.18 грн
500+164.53 грн
1000+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG-E1-AYRenesasTO263/SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.10 грн
10+309.24 грн
100+250.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
10+302.14 грн
100+244.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+225.62 грн
1600+186.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PLG-E1-AYRenesasMP-25ZP/TO-263ZPPCH, SINGLE, MP-25ZP/TO-263ZP, -40V, ID(DC)-100A NP100P04
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYRenesasTO263/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.84 грн
10+291.55 грн
100+211.01 грн
500+188.46 грн
1000+163.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYNEC Electronics AmericaТранзистор P-channel MOS Field Effect Transistor ПТ (Vds=-60V, Id=300mA@t=25C, 1.8A@t=70C, Rds... Транзистори Корпус: TO-263 (MP-25ZP) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.80 грн
10+283.14 грн
100+204.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.01 грн
10+343.76 грн
100+245.07 грн
500+208.48 грн
800+169.82 грн
2400+167.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYNECТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.90 грн
10+285.31 грн
100+206.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PLG-E1-AYNECMOSFET P-CH 60V 100A TO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100T12P2T3ZNexperia USA Inc.Description: IGBT MODULE 1200V 50A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12079.76 грн
10+9897.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100T12P2T3ZNEXPERIADescription: NEXPERIA - NP100T12P2T3Z - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 100 A, 1.65 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10649.77 грн
5+10495.14 грн
10+10340.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100T12P2T3ZNexperiaIGBT Modules 0.5 V to 1.0 V, 1.5 A peak, 11 mohm, load switch
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11099.19 грн
10+10084.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010000000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010000000GAmphenol AnytekDescription: NP- 10.0-10P BLACK 90D A TYPE ;
Voltage: 300 V
Number of Levels: 1
Current: 50 A
Wire Termination: Screwless - Spring Cage, Tension Clamp
Positions Per Level: 10
Mating Orientation: Vertical with Board
Pitch: 0.394" (10.00mm)
Wire Gauge: 8-20 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Black
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010200000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010200000GAmphenol AnytekDescription: NP- 10.0-10P RED 90D A TYPE ; GR
Packaging: Bulk
Color: Red
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 8-20 AWG
Pitch: 0.394" (10.00mm)
Mating Orientation: Vertical with Board
Positions Per Level: 10
Wire Termination: Screwless - Spring Cage, Tension Clamp
Current: 50 A
Number of Levels: 1
Voltage: 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010300000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010400000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010500000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010600000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010600000GAmphenol AnytekDescription: NP- 10.0-10P BLUE 90D A TYPE ; G
Voltage: 300 V
Number of Levels: 1
Current: 50 A
Wire Termination: Screwless - Spring Cage, Tension Clamp
Positions Per Level: 10
Mating Orientation: Vertical with Board
Pitch: 0.394" (10.00mm)
Wire Gauge: 8-20 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Blue
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010800000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010900000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1010C00000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SprClamp90
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1011510000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 10POS SIDE ENT 10MM PCB
Voltage: 600 V
Number of Levels: 1
Wire Termination: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Positions Per Level: 10
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.394" (10.00mm)
Wire Gauge: 4-20 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Green
Features: Interlocking (Side)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1011510000GAmphenol AnytekFixed Terminal Blocks 1000 TB SPR CLA 180D B/T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP10115100J0GAmphenol FCIDescription: 1000 TB SPR CLA 180D B/T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP108456
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP108550
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP108565
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP109590
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP109612
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP109622
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUJ-E1B-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUJ-E2B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.36 грн
10+230.87 грн
100+164.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.14 грн
10+268.82 грн
25+263.49 грн
100+201.65 грн
500+142.52 грн
1000+135.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.06 грн
1600+122.00 грн
2400+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+314.14 грн
53+268.82 грн
54+263.49 грн
100+201.65 грн
500+142.52 грн
1000+135.56 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N04PUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 110A 1.75mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUJ-E1B-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUJ-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUJ-E2B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.53 грн
10+204.24 грн
100+144.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 55V 110A 2.2mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP109N055PUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP11Apex Tool GroupPliers & Tweezers PLIERS,11",NAIL PULLING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SAMCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 90V 150A DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SAT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NP1100SAT3G - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SAT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SAT3GonsemiDescription: THYRISTOR 90V 50A DO214AA
Packaging: Bulk
Capacitance: 58pF
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 130V
Voltage - Off State: 90V
Voltage - On State: 4 V
Supplier Device Package: SMB
Current - Hold (Ih): 150 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SBMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 90V 250A SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SBT3Gon10
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SBT3GonsemiDescription: THYRISTOR 90V 80A DO214AA
Packaging: Bulk
Capacitance: 95pF
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 130V
Voltage - Off State: 90V
Voltage - On State: 4 V
Supplier Device Package: SMB
Current - Hold (Ih): 150 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 80 A
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SBT3GonsemiDescription: THYRISTOR 90V 80A DO214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 80 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 90V
Voltage - Breakover: 130V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 95pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP1100SBT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NP1100SBT3G - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]