Продукція > PJE

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJE138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
15+21.06 грн
100+12.64 грн
500+10.98 грн
1000+7.47 грн
2000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.61 грн
8000+7.02 грн
12000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 7894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K-R1-00001PanjitMOSFETs SOT523 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138KTB89_R1_00701PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 350 mA
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 21295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+11.02 грн
100+5.01 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
2000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 702 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
56+7.55 грн
100+4.51 грн
500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 23430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138K_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.75 грн
8000+2.95 грн
12000+2.84 грн
20000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138L_R1_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 25460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+29.89 грн
100+16.94 грн
500+10.52 грн
1000+8.07 грн
2000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE138L_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.76 грн
8000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24HWS-R1-00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes SOD-323/TVS/ESD/SOD/TEA-06A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24HWS_R1_00001Panjit International Inc.Description: SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 100pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24HWS_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 24V,ESD Protection,SOD-323,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24HWS_R1_00001Panjit International Inc.Description: SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PR
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45V
Voltage - Breakdown (Min): 26V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 100pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+21.36 грн
100+13.33 грн
500+8.56 грн
1000+6.58 грн
2000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24VM5FN2-R1-00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes DFN 2L/TVS/ESD/DFN/TEA-01FG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24VM5FN2-R1-00501PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24VM5FN2_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 24V,ESD Protection,DFN 2L,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24VM5FN2_R1_00001Panjit International Inc.Description: ESD PROTECTION
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 100W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 2-DFN (1x0.6)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE24VM5FN2_R1_00001Panjit International Inc.Description: ESD PROTECTION
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 100W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V
Voltage - Breakdown (Min): 25V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 2-DFN (1x0.6)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 50pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
19+15.93 грн
100+7.80 грн
500+6.11 грн
1000+4.24 грн
2000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2FN2-R1-00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes DFN 2L/TVS/ESD/DFN/TEA-02FG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2FN2-R1-00501PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2FN2_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 28V,ESD Protection,DFN 2L,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2FN2_R1_00001Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 28VWM 55VC 2DFN
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 165W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V
Voltage - Breakdown (Min): 29V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 2-DFN (1x0.6)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2FN2_R1_00001Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 28VWM 55VC 2DFN
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 165W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V
Voltage - Breakdown (Min): 29V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 2-DFN (1x0.6)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2FN2_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29V; 3A; 0.165kW; unidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 28V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 3A
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 29V
Peak pulse power dissipation: 0.165kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE28VM2TS_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29V; 3A; 0.165kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 28V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 0.5µA
Max. forward impulse current: 3A
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 29V
Peak pulse power dissipation: 0.165kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE36HWS-R1-00001PanjitPanjit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE36HWS_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 36V,ESD Protection,SOD-323,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE36HWS_R1_00001Panjit International Inc.Description: SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PR
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70V
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 75pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
14+22.87 грн
100+11.55 грн
500+8.84 грн
1000+6.56 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE36HWS_R1_00001Panjit International Inc.Description: SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PR
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 75pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 70V
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Unidirectional Channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE48HWS_R1_00001Panjit International Inc.Description: SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PR
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 80V
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.87 грн
100+11.56 грн
500+8.85 грн
1000+6.56 грн
2000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE48HWS_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 48V,ESD Protection,SOD-323,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE48HWS_R1_00001Panjit International Inc.Description: SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PR
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 80V
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz (Max)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 5VWM 13VC DFN251010L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510; Ch: 4
Application: automotive industry
Case: DFN2510
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.6pF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.5A
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R1_000A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 5V,ESD Protection,DFN2510-10L,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 5VWM 13VC DFN251010L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+21.81 грн
50+15.76 грн
100+12.95 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A-AU_R2_000A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 5V ESD Protection UNI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 5VWM 13VC DFN251010L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 5V,ESD Protection,DFN2510-10L,UNI
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 2.5A; unidirectional; DFN2510-10; Ch: 4
Case: DFN2510-10
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.8pF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 2.5A
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5UFN10A_R1_00001Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 5VWM 13VC DFN251010L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Ethernet, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+18.19 грн
50+13.16 грн
100+10.79 грн
500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB-AU_R1_000A1PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 5V,ESD Protection,SOT-523,UNI
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB6_R1_00001Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 5VWM 35VC SOT563
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SOT-563
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz (Max)
Applications: DVI, Ethernet, USB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB6_R1_00001PanjitESD Protection Diodes / TVS Diodes 5V,ESD Protection,SOT-563,UNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB6_R1_00001Panjit International Inc.Description: TVS DIODE 5VWM 35VC SOT563
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: SOT-563
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.8pF @ 1MHz (Max)
Applications: DVI, Ethernet, USB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.38 грн
100+10.31 грн
500+7.21 грн
1000+6.41 грн
2000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, TVS/ESD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
13+24.76 грн
100+15.42 грн
500+9.90 грн
1000+7.62 грн
2000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE5V0U8TB_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, TVS/ESD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8400-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8400_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8400_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
Gate-source voltage: 12V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8400_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8400_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8401_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 900mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.42 грн
100+9.03 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8401_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 900mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Gate-source voltage: 12V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402-AU-R1-000A1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.83 грн
8000+6.43 грн
12000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 2.8A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 2.8A
Drain current: 0.7A
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 15131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+21.13 грн
100+10.66 грн
500+8.86 грн
1000+6.90 грн
2000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.4A
Drain current: -0.6A
Gate charge: 2.2nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
42+10.06 грн
100+6.29 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 39498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
32+9.59 грн
100+4.91 грн
500+4.54 грн
1000+4.47 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8404_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+25.21 грн
100+15.72 грн
500+10.09 грн
1000+7.76 грн
2000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8404_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 600mA, 4,5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8404_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Gate-source voltage: 8V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8405_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
12+25.21 грн
100+15.72 грн
500+10.09 грн
1000+7.76 грн
2000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8405_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8405_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8405_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 137 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8406TB89_R1_00701PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 800mA; SC89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Case: SC89
Gate-source voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8406_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 12644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.93 грн
100+7.43 грн
500+5.14 грн
1000+4.54 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8406_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.00 грн
8000+3.48 грн
12000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8406_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 33396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8407_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; SOT523
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8407_R1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8407_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.55 грн
100+7.19 грн
500+4.96 грн
1000+4.38 грн
2000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.5A
Gate charge: 1.4nC
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
70+6.04 грн
100+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 141615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.97 грн
8000+2.78 грн
12000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 17368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
48+6.34 грн
100+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8412_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8412_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8428_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.19 грн
100+11.19 грн
500+8.56 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8428_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT523
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-523/MOS/SOT/NFET-50TBMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+20.38 грн
100+12.67 грн
500+7.86 грн
1000+7.00 грн
2000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438_R1_00001Panjit International Inc.Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8439_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
26+11.70 грн
100+5.64 грн
500+4.90 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8439_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8472B_R1_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8472B_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Case: SOT523
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]