Продукція > PJP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJP100N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.71 грн
10+81.30 грн
100+55.44 грн
500+47.03 грн
1000+38.25 грн
2500+36.09 грн
5000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJP100N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.26 грн
50+64.41 грн
100+57.55 грн
500+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJP100P03-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP100P03_T0_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP100P03_T0_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP10NA60_T0_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP10NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P10NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI15/PJ/TO220AB-AS23/TO220AB-AS24/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP10NA80_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P10NA80/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-800CTMN//PJ/TO220AB-AS39/TO220AB-AS40/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP10NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP125N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.53 грн
10+125.80 грн
100+87.81 грн
250+80.37 грн
500+72.85 грн
1000+62.95 грн
2500+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJP125N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.68 грн
50+98.38 грн
100+88.54 грн
500+66.87 грн
1000+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJP12NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P12NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS17/TO220AB-AS18/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP13NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P13NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN//PJ/TO220AB-AS07/TO220AB-AS08/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001PanjitMOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP18N20_T0_00001Panjit International Inc.Description: TO-220AB, MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.28 грн
50+66.34 грн
100+59.30 грн
500+44.07 грн
1000+40.34 грн
2000+37.21 грн
5000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJP2NA1K_T0_00001Panjit International Inc.Description: 1000V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP2NA1K_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA1K/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-1000CTMN//PJ/TO220AB-AS54/TO220AB-AS55/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP2NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI27/PJ/TO220AB-AS09/TO220AB-AS10/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP2NA60_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 257 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP2NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN/NF700-QI08/PJ/TO220AB-AS25/TO220AB-AS26/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP2NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P2NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS46/TO220AB-AS47/ TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP35N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP35N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP35N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP3NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P3NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NF-500CTMN//PJ/TO220AB-AS56/TO220AB-AS57/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP3NA50_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP3NA80-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP3NA80_T0_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP3NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 406 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP40N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP40N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP40N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP45N06A-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP45N06A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
50+45.50 грн
100+40.43 грн
500+29.58 грн
1000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJP45N06A_T0_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA50A-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA50A_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 449 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA50A_T0_00001PanjitMOSFETs 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI31/PJ/TO220AB-AS11/TO220AB-AS12/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA60_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA65H-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA65H_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA65H_T0_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA65_T0_00001Panjit International Inc.Description: 650V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 463 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI09/PJ/TO220AB-AS19/TO220AB-AS20/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA70_T0_00001Panjit International Inc.Description: 700V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN//PJ/TO220AB-AS27/TO220AB-AS28/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA90_T0_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP4NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P4NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS48/TO220AB-AS49/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP55N10A-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP5NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P5NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN//PJ/TO220AB-AS03/TO220AB-AS04/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP5NA50_T0_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 87.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP5NA80_T0_00001PanjitMOSFET 800V N-Channel MOSFET
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.19 грн
10+133.50 грн
100+90.04 грн
500+74.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJP5NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP6000
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJP6055
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60N08-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R190E-T0-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R190E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R190E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R290E-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R290E_T0_00001PanjitMOSFETs 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R290E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R390E-T0-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R390E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.41 грн
50+93.16 грн
100+83.87 грн
500+63.44 грн
1000+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R390E_T0_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R540E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R540E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS76/PJx60R540E-ASO7/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R620E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R620E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS77/PJx60R620E-ASO8/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R620E_T0_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R900S-T0-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R900S-T0-00201PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP60R980E_T0_00001PanjitMOSFET PJ/60R980E/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN//PJ/TO220AB-AS78/PJx60R980E-ASO9/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP6NA40_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA40/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-400CTMN//PJ/TO220AB-AS01/TO220AB-AS02/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP6NA40_T0_00001Panjit International Inc.Description: 400V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP6NA70_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA70/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-700CTMN/NF700-QI04/PJ/TO220AB-AS29/TO220AB-AS30/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP6NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P6NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS50/TO220AB-AS51/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP70N06-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP70N10L-T0-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP74Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Optional Panel PJ744 -Aluminum
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1415.10 грн
5+1326.43 грн
10+1115.46 грн
25+1077.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJP74Hammond ManufacturingDescription: PANEL INNER STL 4X3.13" WHT
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJP75N06SA-AU_T0_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.12 грн
10+68.63 грн
100+46.43 грн
500+39.36 грн
1000+32.00 грн
2500+30.21 грн
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJP75N06SA-AU_T0_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tube
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.25 грн
50+51.87 грн
100+45.67 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJP75N75PANJIT08+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJP7NA60_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA60/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-600CTMN/NF600-QI22/PJ/TO220AB-AS13/TO220AB-AS14/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP7NA65_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA65/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN/NF650-QI10/PJ/TO220AB-AS21/TO220AB-AS22/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP7NA80_T0_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP7NA80_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P7NA80/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-800CTMN//PJ/TO220AB-AS37/TO220AB-AS38/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP8NA50_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P8NA50/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-500CTMN/NF500-QI10/PJ/TO220AB-AS05/TO220AB-AS06/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP8NA65A_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P8NA65A/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-650CTMN//PJ/TO220AB-AS62/PJx8NA65A-AS20/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP94Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Inner Panel - For use with PJ944 - Steel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP94Hammond ManufacturingDescription: PANEL INNER STL 6.25X3.13" WHT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJP9NA90_T0_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1634 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJP9NA90_T0_00001PanjitMOSFET PJ/P9NA90/TP//HF/0.05K/TO-220AB/MOS/TO/NFET-900CTMN//PJ/TO220AB-AS52/TO220AB-AS53/TO220AB-AS41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT10Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 12106
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT10Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PJ, PJU Series
Accessory Type: Mounting Kit
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7531.98 грн
5+6199.91 грн
10+5794.82 грн
25+5345.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT12Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PJ, PJU Series
Accessory Type: Mounting Kit
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9045.30 грн
5+7443.39 грн
10+6956.14 грн
25+6505.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT12Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 1214, 12126, 14126
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9864.91 грн
5+9074.46 грн
10+7751.68 грн
25+7611.04 грн
50+7497.93 грн
100+7329.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT14Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PJ, PJU Series
Accessory Type: Mounting Kit
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10724.44 грн
5+8827.96 грн
10+8472.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT14Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 16148
на замовлення 7 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+11938.95 грн
5+10984.52 грн
10+9380.60 грн
25+9210.94 грн
50+9074.02 грн
100+8869.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 18168, 20168, PJHD 181610
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT16Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT20Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT20Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 242010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT24Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 242410, 302410
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14325.52 грн
5+14113.17 грн
10+12252.98 грн
25+12222.47 грн
50+12191.96 грн
100+12174.84 грн
250+12161.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT24Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT30Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories J Box Pole Mount Kit PJEC - 363012 PJW - 363014, 483610, 483614, 603610, 603614
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT6Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 664, 864
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT8Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Kit PJ 1084, 1086
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7816.92 грн
5+6648.39 грн
10+5402.44 грн
25+5272.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJPOLEMNT8Hammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PJ, PJU Series
Accessory Type: Mounting Kit
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6979.78 грн
5+5743.50 грн
10+5367.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.