Продукція > PJS

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJS008-2002-0-01YAMAICHI
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2003-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors MicroSD Crd Conn SMT Revrs Mnt Push-Push
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2003-1Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors REVERSE MNT MICRO SD PUSH-PUSH TYPE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2003-1Yamaichi ElectronicsDescription: REVERSE MOUNT PUSH-PUSH MICRO SD
Number of Positions: 9 (8 + 1)
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Features: Switch
Packaging: Tape & Reel (TR)
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Reverse - Bottom
Height Above Board: 0.073" (1.85mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2005-0-VEYamaichi ElectronicsDescription: REVERSE SMT MOUNT MICRO SD CARD
Part Status: Active
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Normal, Standard - Top
Height Above Board: 0.073" (1.85mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
Number of Positions: 9 (8 + 1)
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Features: Switch
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2005-0-VEYamaichi ElectronicsMemory Card Connectors RVRSE SMT Push-Push Auto Micro SD Card
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2100-0(01)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2120-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors STD MNT MICRO SD PUSH-PUSH, SMT CONN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2120-0Yamaichi ElectronicsDescription: MICROSD, PUSH-PUSH, STD MOUNT, S
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Normal, Standard - Top
Height Above Board: 0.059" (1.50mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
Number of Positions: 9 (8 + 1)
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Features: Switch
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-2130-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors STD MNT MICRO SD PUSH-PUSH, SMT CONN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-4100-0-VEYamaichi ElectronicsРоз'єм MicroSD кутовий, К-сть виводів = 8,... Роз'єми Корпус: SMD Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+416.36 грн
100+391.87 грн
1000+339.12 грн
5000+327.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-4100-0-VEYamaichi ElectronicsDescription: AUTOMOTIVE PUSH-LOCK MICRO SD CA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008-4100-0-VEYamaichi ElectronicsMemory Card Connectors AutoGrd MicroSD Card SMT Push-Lock Socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008U-0002Yamaichi ElectronicsDescription: HINGE TYPE MICROSD CARD CONNECTO
Number of Positions: 8
Mounting Type: Surface Mount
Contact Finish: Gold-Nickel
Connector Type: Connector and Ejector
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Insertion, Removal Method: Push In, Push Out
Mounting Feature: Normal, Standard - Top
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Height Above Board: 0.069" (1.75mm)
Card Type: Secure Digital - microSD™
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
5+110.68 грн
10+103.21 грн
25+87.73 грн
50+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008U-0002Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors Standard SMT Clam Shell Card Insertion
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS008U-3000-0Yamaichi ElectronicsMemory Card Connectors MicroSD Card Conn Ver Dip Mnt Manual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS26RB-SP-LEaton Wiring DevicesDescription: 1 GANG DECOR WALLPLATE W/O SCREW
Packaging: Bulk
Material: Polycarbonate
Accessory Type: Wall Plate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6400-S1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6400_S1_00001PanjitMOSFET /S00/TRR/7"/HF/3K/SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLMN/NF30TL-QI16/PJ/SOT236L1-AS07/SOT236L1-AS08/SOT236L1-AS35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6401-S1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6401_S1_00001PanjitMOSFET /S01/TRR/7"/HF/3K/SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLMP/NF30TL-QI17/PJ/SOT236L1-AS09/SOT236L1-AS10/SOT236L1-AS35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6401_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6401_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6403_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
12+25.35 грн
100+17.29 грн
500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6403_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6404_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
13+23.78 грн
100+16.19 грн
500+11.40 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6404_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6405-S1-00001PanjitMOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-30TLMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001PANJITMOSFET 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M SOT-23-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.63 грн
16+20.88 грн
100+11.53 грн
500+8.63 грн
1000+7.73 грн
3000+7.25 грн
6000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.50 грн
100+16.34 грн
500+11.60 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6412_S1_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6413-S1-00001PanjitMOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-20TLMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6413_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6413_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
13+24.68 грн
100+16.80 грн
500+11.82 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6414_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6414_S1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6414_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A-AU-S1-000A1PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A-S1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A-S2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415AE-AU-S1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415AE-S1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415AE_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415AE_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A_S2_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A_S2_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415A_S2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6415_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
14+21.69 грн
100+13.01 грн
500+11.30 грн
1000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6416-S1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6416_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6416_S1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6417-S1-00001PanjitMOSFET SOT-23 6L-1/MOS/NFET-20TLMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6417_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
12+25.05 грн
100+17.40 грн
500+12.75 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6417_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.74 грн
100+16.08 грн
500+12.15 грн
1000+10.91 грн
3000+8.84 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6417_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-AU-S1-000A1PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-AU_S1_000A1PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
13+24.75 грн
100+18.51 грн
500+13.65 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 29501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
14+23.02 грн
100+12.77 грн
500+9.60 грн
1000+8.63 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
12+25.80 грн
100+16.66 грн
500+12.36 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6461-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.12 грн
100+28.89 грн
500+20.98 грн
1000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6461-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.26 грн
6000+16.24 грн
9000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6461_S1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 9943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+25.80 грн
100+16.50 грн
500+11.68 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6461_S1_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
6000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6600-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 DUAL CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6600_S1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; SOT23-6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6600_S1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V, 125pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V, 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.83 грн
100+15.85 грн
500+11.23 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6600_S1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93pF @ 15V, 125pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V, 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-AU-S1-000A1PanjitMOSFET SOT23-6L/MOS/SOT/NFET-20TLNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-AU_S1_000A1PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.1A. 4.5V, 115mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-AU_S1_000A1Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.1A. 4.5V, 115mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.56 грн
100+20.30 грн
500+14.51 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-AU_S1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; SOT23-6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-S1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601-S2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.6/5.4nC
On-state resistance: 95/190mΩ
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2586 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
24+17.78 грн
100+13.54 грн
250+12.05 грн
500+11.05 грн
1000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001PanjitMOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
12+28.50 грн
100+15.88 грн
500+12.22 грн
1000+11.11 грн
3000+9.39 грн
6000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S2_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602-AU-S1-000A1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602-S1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602-S2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602_S1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; SOT23-6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602_S1_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602_S2_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6602_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396pF @ 10V, 522pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6603-S1-00001PanjitMOSFETs SOT23 DUAL CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6603-S2-00001PanjitMOSFETs SOT23 DUAL CHAN 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6603_S1_00001PanjitMOSFETs 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6603_S1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 4.2A; SOT23-6
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.2A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6603_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.28 грн
100+21.46 грн
500+15.36 грн
1000+13.82 грн
2000+12.53 грн
5000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6603_S2_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]