Продукція > RML
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RML42-0311 | AMPHENOL | RML420311-AMP Unclassified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RML42-1223 | Amphenol | RML42-1223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RML42-1274 | Amphenol | RML42-1274 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RML7S-183J | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLA3565C | на замовлення 67 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLMK063BBJ474KPLF | Taiyo Yuden | RMLMK063BBJ474KPLF | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLMK063BC6474KPLF | Taiyo Yuden | RMLMK063BC6474KPLF | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLMK063BJ103KP-F | на замовлення 64925 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLMK063BJ103KP-F | 0201c | на замовлення 64925 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RMLMK105B7474MV-F | Taiyo Yuden | RMLMK105B7474MV-F | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLMK105BJ104KV | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLMK105BJ104KV-F | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLMK105BJ105KVHF | Taiyo Yuden | RMLMK105BJ105KVHF | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLMK105BJ105MVHF | Taiyo Yuden | RMLMK105BJ105MVHF | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLMK105BJ473KV-F | на замовлення 17936 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLMK105BJ473KV-F | 0402c | на замовлення 17936 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RMLMK105F224ZV-F | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLS8273J | на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RMLS8G103 | Rohm Semiconductor | 10K0 2% SIL 8-Bussed Resistor Network | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#AA0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X8 STSOP32 45NS -40TO85C | на замовлення 3248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Packaging: Tray Package / Case: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#KA0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 32STSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: STSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0408EGSA-4S2#KA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: STSOP rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: STSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X8 STSOP32 45NS -40TO85C | на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP II Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#AA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C | на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#AA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Packaging: Bulk Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP II Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 14008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0408EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, TSOP-II, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K Wörter x 8 Bit IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 45ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#CA0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 32SOP | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#CA0 | Renesas Electronics | SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x8, SOP, 45NS, Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#CA0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin SOP Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#CA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB X8 3V SOP 45NS -40TO85C | на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#CA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP Packaging: Tube Package / Case: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 32-SOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#CA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0408EGSP-4S2#CA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 8 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#HA0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 32SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#HA0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin SOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0408EGSP-4S2#HA0 | Renesas Electronics | SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x8, SOP, 45NS, T+R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 | на замовлення 3543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM SRAM LP(4M) 4M | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGBG-4S2#AC0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 48FBGA | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGBG-4S2#AC0 | Renesas Electronics | SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16 FBGA 45NS Tray | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGBG-4S2#KC0 | Renesas Electronics America Inc | Description: STANDARD SRAM, 256KX16, 45NS | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGBG-4S2#KC0 | Renesas Electronics | SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#AA0 | Rochester Electronics, LLC | Description: STANDARD SRAM, 256KX16, 45NS | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#AA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C | на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics | SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, TSOP, 45NS, T+R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 4MBIT 45NS 44TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 4MB 3V X16 TSOP44 45NS -40TO85C | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0416EGSB-4S2#HA1 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 256Kword x 16 Bit | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0808BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 1M x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x8 TSOP44, 45ns, WTR | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x8 TSOP44, 45ns, WTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 | California Eastern Laboratories | 8MB 3V ADV.SRAM X16 FBGA48, 45NS, WTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 FBGA48, 45ns, WTR | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGBG-4S2#KC0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 FBGA48, 45ns, WTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGBG-4S2#KC0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSA-4S2#AA0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP48, 45ns, WTR | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSA-4S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSA-4S2#KA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSA-4S2#KA0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP48 45ns WTR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSA-4S2#KA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | RENESAS | RMLV0816BGSB4S2AA Parallel SRAM memories - integ. circ. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#AA00 | RENESAS | SRAM, 8Mbit (512k x 16bit), 45ns, 2.4?3.6V, -40?85°C RMLV0816BGSB-4S2#AA0 RMLV0816BGSB-4S2 Renesas PS0816bgsb-4s2 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV0816BGSB-4S2#HA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 8 Mbit, 512Kword x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 512Kword x 16 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP44, 45ns, WTR | на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40/+85C | на замовлення 438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AA1 (uTSOP-52, Renesas) Код товару: 195306
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 2.5V/3V/3.3V 8M-bit 1M/512K x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 | Renesas Electronics America | Description: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#HA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 8MB X16 3V uTSOP 45NS -40TO85C T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | Renesas Electronics | SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52 45ns WTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 8, 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-4U2#AC0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-4U2#KC0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC 48TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5S2#AC0 | California Eastern Laboratories | SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5S2#AC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5S2#AC0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C | на замовлення 506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5S2#KC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5S2#KC0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C | на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5S2#KC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5U2#AC0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGBG-5U2#KC0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-4U2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-4U2#KA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#AA0 | California Eastern Laboratories | SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#AA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV1616AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 16 Mbit, 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 2M x 8 Bit / 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#AA0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C | на замовлення 3237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#AA0 | RENESAS | RMLV1616AGSA5S2AA0 Parallel SRAM memories - integ. circ. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#KA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#KA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5S2#KA0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5U2#AA0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSA-5U2#KA0 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 1M x 16, 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB X16 3V uTSOP 55NS -40/+85C | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AA1 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AC0 | California Eastern Laboratories | SRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AC0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#AC0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HA1 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB X16 3V uTSOP 55NS -40TO85C T+R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HA1 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HC0 | California Eastern Laboratories | SRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HC0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 16M-bit 2M/1M x 8/16-bit 55ns 52-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 8, 1M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV1616AGSD-5S2#HC0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP52 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGBG-5S2#AC0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGBG-5S2#AC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16 | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGBG-5S2#KC0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGBG-5S2#KC0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#AA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV3216AGSA-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 32Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#AA0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C | на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#AA0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TSOP-I | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#KA0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#KA0 | Renesas | SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 32M-bit 4M/2M x 8/16-bit 55ns 48-Pin TSOP-I | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGSA-5S2#KA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGSD-5S2#AA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGSD-5S2#AA0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGSD-5S2#AA0 | RENESAS | Description: RENESAS - RMLV3216AGSD-5S2#AA0 - SRAM, Asynchroner SRAM, LPSRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit, UTSOP-II, 52 Pin(s) tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: UTSOP-II Speicherdichte: 32Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM, LPSRAM Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit / 4Mword x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RMLV3216AGSD-5S2#HA0 | Renesas Electronics | SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RMLV3216AGSD-5S2#HA0 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 32MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 4M x 8, 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |