Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Всі товари виробника NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (666) > Сторінка 7 з 12

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MBR80100 Navitas Semiconductor, Inc. mbr80100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR80100R Navitas Semiconductor, Inc. mbr80100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF200150 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF200150R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF500100 MBRF500100 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF500100R MBRF500100R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50020 MBRF50020 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 20V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50030 MBRF50030 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50030R MBRF50030R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50035 MBRF50035 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50035R MBRF50035R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50045 MBRF50045 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50045R MBRF50045R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50060 MBRF50060 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50060R MBRF50060R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF600200 MBRF600200 Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF600200R MBRF600200R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF60020R MBRF60020R Navitas Semiconductor, Inc. Description: DIODE MOD SCHOT 20V 300A TO244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH12040R MBRH12040R Navitas Semiconductor, Inc. mbrh12020r.pdf Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4804.00 грн
36+3249.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT40045 MBRT40045 Navitas Semiconductor, Inc. mbrt400100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 3TOWER
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8607.85 грн
40+6528.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20060AD MSRTA20060AD Navitas Semiconductor, Inc. msrta20060ad.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20060D Navitas Semiconductor, Inc. msrta20060d.pdf Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2505 Navitas Semiconductor, Inc. mur2505.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 25A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2505R Navitas Semiconductor, Inc. mur2505.pdf Description: DIODE STANDARD REV 50V 25A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2510 MUR2510 Navitas Semiconductor, Inc. mur2505.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 25A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X030A10 MUR2X030A10 Navitas Semiconductor, Inc. mur2x030a10.pdf Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A02 MUR2X060A02 Navitas Semiconductor, Inc. mur2x060a02.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3651.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A06 MUR2X060A06 Navitas Semiconductor, Inc. mur2x060a06.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A02 MUR2X100A02 Navitas Semiconductor, Inc. mur2x100a02.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A04 MUR2X100A04 Navitas Semiconductor, Inc. mur2x100a04.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4002.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A10 MUR2X120A10 Navitas Semiconductor, Inc. mur2x120a10.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20060 MURTA20060 Navitas Semiconductor, Inc. murta200120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20060R MURTA20060R Navitas Semiconductor, Inc. murta200120.pdf Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6025C NV6025C Navitas Semiconductor, Inc. NV6025C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6025C NV6025C Navitas Semiconductor, Inc. NV6025C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.72 грн
10+283.80 грн
50+223.79 грн
100+191.90 грн
500+177.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6026C NV6026C Navitas Semiconductor, Inc. NV6026C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+171.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6026C NV6026C Navitas Semiconductor, Inc. NV6026C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.45 грн
10+299.20 грн
50+236.44 грн
100+202.95 грн
500+189.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6027 NV6027 Navitas Semiconductor, Inc. NV6027_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6027 NV6027 Navitas Semiconductor, Inc. NV6027_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.64 грн
10+365.24 грн
50+291.03 грн
100+250.72 грн
500+243.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6028 NV6028 Navitas Semiconductor, Inc. NV6028_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6028 NV6028 Navitas Semiconductor, Inc. NV6028_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.57 грн
10+549.86 грн
50+445.56 грн
100+406.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6029 NV6029 Navitas Semiconductor, Inc. NV6029_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6029 NV6029 Navitas Semiconductor, Inc. NV6029_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.28 грн
10+698.25 грн
50+584.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6044C NV6044C Navitas Semiconductor, Inc. NV6044C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6044C NV6044C Navitas Semiconductor, Inc. NV6044C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
10+162.81 грн
50+125.67 грн
100+106.71 грн
500+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C NV6048C Navitas Semiconductor, Inc. NV6048C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C NV6048C Navitas Semiconductor, Inc. NV6048C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C-RA NV6048C-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6048C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C-RA NV6048C-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6048C_Datasheet.pdf Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113 NV6113 Navitas Semiconductor, Inc. NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+156.92 грн
25+143.74 грн
100+121.33 грн
250+114.86 грн
500+113.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113 NV6113 Navitas Semiconductor, Inc. NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113-RA NV6113-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113-RA NV6113-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+156.92 грн
25+143.74 грн
100+121.33 грн
250+114.86 грн
500+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115 NV6115 Navitas Semiconductor, Inc. NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115 NV6115 Navitas Semiconductor, Inc. NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 8A
Voltage: 650 V
Current: 8 A
Configuration: Half Bridge
Type: MOSFET
Voltage - Load: 650V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 170mOhm
Output Configuration: High Side or Low Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Switch Type: General Purpose
Interface: PWM
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.74 грн
10+206.43 грн
25+189.75 грн
100+160.91 грн
250+152.72 грн
500+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115-RA NV6115-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115-RA NV6115-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.74 грн
10+206.43 грн
25+189.78 грн
100+160.91 грн
250+152.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6117 NV6117 Navitas Semiconductor, Inc. NV6117-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6117 NV6117 Navitas Semiconductor, Inc. NV6117-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.77 грн
10+308.03 грн
25+284.52 грн
100+242.79 грн
250+233.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6117-RA NV6117-RA Navitas Semiconductor, Inc. NV6117-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR80100 mbr80100.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR80100R mbr80100.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF200150
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF200150R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF500100
MBRF500100
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF500100R
MBRF500100R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50020
MBRF50020
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50030
MBRF50030
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50030R
MBRF50030R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50035
MBRF50035
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50035R
MBRF50035R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50045
MBRF50045
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50045R
MBRF50045R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50060
MBRF50060
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF50060R
MBRF50060R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF600200
MBRF600200
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF600200R
MBRF600200R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF60020R
MBRF60020R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 300A TO244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH12040R mbrh12020r.pdf
MBRH12040R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4804.00 грн
36+3249.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT40045 mbrt400100.pdf
MBRT40045
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 3TOWER
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8607.85 грн
40+6528.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20060AD msrta20060ad.pdf
MSRTA20060AD
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA20060D msrta20060d.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2505 mur2505.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 50V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2505R mur2505.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 50V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2510 mur2505.pdf
MUR2510
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X030A10 mur2x030a10.pdf
MUR2X030A10
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A02 mur2x060a02.pdf
MUR2X060A02
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3651.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X060A06 mur2x060a06.pdf
MUR2X060A06
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A02 mur2x100a02.pdf
MUR2X100A02
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X100A04 mur2x100a04.pdf
MUR2X100A04
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4002.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2X120A10 mur2x120a10.pdf
MUR2X120A10
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20060 murta200120.pdf
MURTA20060
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MURTA20060R murta200120.pdf
MURTA20060R
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6025C NV6025C_Datasheet.pdf
NV6025C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6025C NV6025C_Datasheet.pdf
NV6025C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+439.72 грн
10+283.80 грн
50+223.79 грн
100+191.90 грн
500+177.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6026C NV6026C_Datasheet.pdf
NV6026C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+171.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6026C NV6026C_Datasheet.pdf
NV6026C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+462.45 грн
10+299.20 грн
50+236.44 грн
100+202.95 грн
500+189.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6027 NV6027_Datasheet.pdf
NV6027
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6027 NV6027_Datasheet.pdf
NV6027
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+559.64 грн
10+365.24 грн
50+291.03 грн
100+250.72 грн
500+243.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6028 NV6028_Datasheet.pdf
NV6028
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6028 NV6028_Datasheet.pdf
NV6028
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+824.57 грн
10+549.86 грн
50+445.56 грн
100+406.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6029 NV6029_Datasheet.pdf
NV6029
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6029 NV6029_Datasheet.pdf
NV6029
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1032.28 грн
10+698.25 грн
50+584.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6044C NV6044C_Datasheet.pdf
NV6044C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6044C NV6044C_Datasheet.pdf
NV6044C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.66 грн
10+162.81 грн
50+125.67 грн
100+106.71 грн
500+87.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C NV6048C_Datasheet.pdf
NV6048C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C NV6048C_Datasheet.pdf
NV6048C
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C-RA NV6048C_Datasheet.pdf
NV6048C-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV6048C-RA NV6048C_Datasheet.pdf
NV6048C-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113 NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6113
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.90 грн
10+156.92 грн
25+143.74 грн
100+121.33 грн
250+114.86 грн
500+113.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113 NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6113
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113-RA NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6113-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6113-RA NV6113-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6113-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.90 грн
10+156.92 грн
25+143.74 грн
100+121.33 грн
250+114.86 грн
500+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115 NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6115
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115 NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6115
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 8A
Voltage: 650 V
Current: 8 A
Configuration: Half Bridge
Type: MOSFET
Voltage - Load: 650V
Input Type: Non-Inverting
Rds On (Typ): 170mOhm
Output Configuration: High Side or Low Side
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Switch Type: General Purpose
Interface: PWM
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.74 грн
10+206.43 грн
25+189.75 грн
100+160.91 грн
250+152.72 грн
500+152.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115-RA NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6115-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+169.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6115-RA NV6115-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6115-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.74 грн
10+206.43 грн
25+189.78 грн
100+160.91 грн
250+152.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6117 NV6117-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6117
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV6117 NV6117-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6117
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+417.77 грн
10+308.03 грн
25+284.52 грн
100+242.79 грн
250+233.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NV6117-RA NV6117-Datasheet-FINAL-04-11-22.pdf
NV6117-RA
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.