Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Всі товари виробника NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (348) > Сторінка 1 з 6

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N1186A 1N1186A Navitas Semiconductor, Inc. 1n1183a.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.69 грн
10+600.26 грн
100+470.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N1200A 1N1200A Navitas Semiconductor, Inc. 1n1199a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.41 грн
10+387.10 грн
250+257.37 грн
500+230.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N3881 1N3881 Navitas Semiconductor, Inc. 1n3879.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.00 грн
10+403.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N3883 1N3883 Navitas Semiconductor, Inc. 1n3879.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.12 грн
10+445.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N3890 Navitas Semiconductor, Inc. 1n3889.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M Navitas Semiconductor, Inc. 2W005M-2W10M.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR1010 Navitas Semiconductor, Inc. br1010.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR610 Navitas Semiconductor, Inc. br66.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR810 BR810 Navitas Semiconductor, Inc. br86.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A BR-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-8
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-8
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB105G Navitas Semiconductor, Inc. db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G Navitas Semiconductor, Inc. db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB107G Navitas Semiconductor, Inc. db105g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB157G Navitas Semiconductor, Inc. db155g.pdf description Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR40G02 FR40G02 Navitas Semiconductor, Inc. fr40b02.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR40KR05 FR40KR05 Navitas Semiconductor, Inc. fr40k05.pdf Description: DIODE STD REV 800V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1467.46 грн
10+1012.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR40MR05 FR40MR05 Navitas Semiconductor, Inc. fr40k05.pdf Description: DIODE STANDARD REV 1000V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1467.46 грн
10+1012.99 грн
100+801.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FST7335M FST7335M Navitas Semiconductor, Inc. FST7335M.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 35A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT33J.pdf Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1722.45 грн
10+1202.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT33J.pdf Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1020.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R12MT12K.pdf Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4861.01 грн
30+3563.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3033.32 грн
30+1997.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT12N.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4459.71 грн
10+3286.49 грн
100+3208.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8023.54 грн
30+6489.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT17N.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9882.04 грн
10+8310.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R30MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2021.93 грн
30+1259.63 грн
120+1202.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1658.27 грн
10+1152.98 грн
100+1147.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1642.01 грн
30+1004.72 грн
120+924.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.34 грн
10+411.74 грн
100+324.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.28 грн
30+635.34 грн
120+547.16 грн
510+505.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+673.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.65 грн
10+820.43 грн
100+789.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 34810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.79 грн
10+98.55 грн
100+91.67 грн
500+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 24465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.02 грн
10+203.19 грн
100+143.71 грн
500+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.05 грн
10+246.70 грн
100+176.49 грн
500+159.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 Navitas Semiconductor, Inc. GB05MPS33-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2608.91 грн
50+1655.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10M Navitas Semiconductor, Inc. gbj10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510T GBPC2510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W GBPC2510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.87 грн
50+203.80 грн
100+185.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510T GBPC3510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc3510t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W GBPC3510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc3506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.38 грн
50+225.32 грн
100+205.95 грн
500+161.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc5006t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010W GBPC5010W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc5006t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10A GBU10A Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10B Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 7471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
1000+39.64 грн
2000+36.59 грн
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10D GBU10D Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
1000+39.64 грн
2000+36.59 грн
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10G Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10J Navitas Semiconductor, Inc. gbu10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10K Navitas Semiconductor, Inc. gbu10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10M Navitas Semiconductor, Inc. gbu10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 7479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
1000+39.64 грн
2000+36.59 грн
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A GBU4A Navitas Semiconductor, Inc. gbu4a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.79 грн
10+73.25 грн
100+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4G GBU4G Navitas Semiconductor, Inc. gbu4a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.79 грн
10+73.25 грн
100+48.90 грн
500+36.11 грн
1000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M Navitas Semiconductor, Inc. gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M Navitas Semiconductor, Inc. gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8B GBU8B Navitas Semiconductor, Inc. gbu8a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.19 грн
10+82.56 грн
100+55.54 грн
500+41.26 грн
1000+37.76 грн
2000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D GBU8D Navitas Semiconductor, Inc. gbu8a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.19 грн
10+82.56 грн
100+55.54 грн
500+41.26 грн
1000+37.76 грн
2000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N1186A 1n1183a.pdf
1N1186A
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 200V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.69 грн
10+600.26 грн
100+470.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N1200A 1n1199a.pdf
1N1200A
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.41 грн
10+387.10 грн
250+257.37 грн
500+230.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N3881 1n3879.pdf
1N3881
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 200V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.00 грн
10+403.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N3883 1n3879.pdf
1N3883
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 400V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.12 грн
10+445.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N3890 1n3889.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2W10M 2W005M-2W10M.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A WOM
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Circular, WOM
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: WOM
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR1010 br1010.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A BR-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR610 br66.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-6
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-6
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR810 br86.pdf
BR810
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A BR-8
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, BR-8
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-8
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB105G db105g.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB106G db105g.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB107G db105g.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DB157G description db155g.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR40G02 fr40b02.pdf
FR40G02
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 400V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR40KR05 fr40k05.pdf
FR40KR05
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STD REV 800V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1467.46 грн
10+1012.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FR40MR05 fr40k05.pdf
FR40MR05
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 1000V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1467.46 грн
10+1012.99 грн
100+801.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FST7335M FST7335M.pdf
FST7335M
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 35A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1722.45 грн
10+1202.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1020.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4861.01 грн
30+3563.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3033.32 грн
30+1997.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4459.71 грн
10+3286.49 грн
100+3208.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8023.54 грн
30+6489.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9882.04 грн
10+8310.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2021.93 грн
30+1259.63 грн
120+1202.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1658.27 грн
10+1152.98 грн
100+1147.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1642.01 грн
30+1004.72 грн
120+924.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.34 грн
10+411.74 грн
100+324.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1077.28 грн
30+635.34 грн
120+547.16 грн
510+505.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+673.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.65 грн
10+820.43 грн
100+789.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 34810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.79 грн
10+98.55 грн
100+91.67 грн
500+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+112.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 24465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.02 грн
10+203.19 грн
100+143.71 грн
500+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.05 грн
10+246.70 грн
100+176.49 грн
500+159.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2608.91 грн
50+1655.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10M gbj10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510T gbpc2506t.pdf
GBPC2510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W gbpc2506t.pdf
GBPC2510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.87 грн
50+203.80 грн
100+185.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510T gbpc3510t.pdf
GBPC3510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W gbpc3506t.pdf
GBPC3510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.38 грн
50+225.32 грн
100+205.95 грн
500+161.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010T gbpc5006t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010W gbpc5006t.pdf
GBPC5010W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10A gbu10a.pdf
GBU10A
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10B gbu10a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 7471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
1000+39.64 грн
2000+36.59 грн
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10D gbu10a.pdf
GBU10D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
1000+39.64 грн
2000+36.59 грн
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10G gbu10a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10J gbu10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10K gbu10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10M gbu10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 7479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.33 грн
10+86.19 грн
100+58.14 грн
500+43.27 грн
1000+39.64 грн
2000+36.59 грн
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A gbu4a.pdf
GBU4A
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.79 грн
10+73.25 грн
100+48.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4G gbu4a.pdf
GBU4G
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.79 грн
10+73.25 грн
100+48.90 грн
500+36.11 грн
1000+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M gbu4j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M gbu6j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8B gbu8a.pdf
GBU8B
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.19 грн
10+82.56 грн
100+55.54 грн
500+41.26 грн
1000+37.76 грн
2000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8a.pdf
GBU8D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.19 грн
10+82.56 грн
100+55.54 грн
500+41.26 грн
1000+37.76 грн
2000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]