Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Всі товари виробника NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (714) > Сторінка 8 з 12
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUR2X030A10 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 78 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MUR2X060A02 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR2X060A06 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MUR2X100A02 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MUR2X100A04 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR2X120A10 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MURF20010 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 100V 100A TO-244 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MURF20010R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 100V 100A TO-244 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MURF20020 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 200V 100A TO-244 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MURF20020R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MODULE GP 200V 100A TO-244 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
MURF20040 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD GP 400V 100A TO-244AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURF20060 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD GP 600V 100A TO-244AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURF20060R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD GP 600V 100A TO-244AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURTA20060 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MURTA20060R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6015C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6015C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6025C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6025C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6026C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6026C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6027 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6027 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6028 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6028 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6029 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6029 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V |
на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6044C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6044C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA |
на замовлення 2301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6045C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA |
на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6045C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6048C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6048C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6048C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6048C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6113 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 5 A Voltage: 650 V |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6113 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 5 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6113-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Current: 5 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6113-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Current: 5 A Voltage: 650 V |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6115 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 170mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 8 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6115 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 170mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 8 A Voltage: 650 V |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6115-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 170mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 8 A Voltage: 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6115-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 170mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 8 A Voltage: 650 V |
на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6117 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 120mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 12 A Voltage: 650 V |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6117 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 120mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 12 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6117-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 120mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 12 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6117-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 120mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 12 A Voltage: 650 V |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6123 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NV6123 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Part Status: Active |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6123-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 5 A Voltage: 650 V |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6123-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 5 A Voltage: 650 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6125 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 175mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 8 A Voltage: 650 V |
на замовлення 4701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6125 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 175mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 8 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NV6125-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 175mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Part Status: Active |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6125-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 175mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 8A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Part Status: Active |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NV6127 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 125mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 12 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NV6127 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 125mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 12 A Voltage: 650 V |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NV6127C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
NV6127C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NV6127-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-PowerVQFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 125mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V Current - Output (Max): 12A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 30-QFN (6x8) Current: 12 A Voltage: 650 V |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MUR2X030A10 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X060A02 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3696.94 грн |
| MUR2X060A06 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A02 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2X100A04 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4052.43 грн |
| MUR2X120A10 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20010 |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A TO-244
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A TO-244
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20010R |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A TO-244
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A TO-244
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20020 |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A TO-244
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A TO-244
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20020R |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A TO-244
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A TO-244
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20040 |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD GP 400V 100A TO-244AB
Description: DIODE MOD GP 400V 100A TO-244AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20060 |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD GP 600V 100A TO-244AB
Description: DIODE MOD GP 600V 100A TO-244AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURF20060R |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD GP 600V 100A TO-244AB
Description: DIODE MOD GP 600V 100A TO-244AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20060 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20060R |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6015C-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
Description: GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6015C-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
Description: GANFAST DISCRETE 650V 150MOHM PQ
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.04 грн |
| 10+ | 229.92 грн |
| 50+ | 179.63 грн |
| 100+ | 153.36 грн |
| 500+ | 134.40 грн |
| NV6025C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6025C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 445.16 грн |
| 10+ | 287.31 грн |
| 50+ | 226.56 грн |
| 100+ | 194.27 грн |
| 500+ | 179.40 грн |
| NV6026C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.17 грн |
| 10+ | 302.90 грн |
| 50+ | 239.37 грн |
| 100+ | 205.46 грн |
| 500+ | 191.87 грн |
| NV6026C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 173.46 грн |
| NV6027 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6027 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.56 грн |
| 10+ | 369.76 грн |
| 50+ | 294.63 грн |
| 100+ | 253.82 грн |
| 500+ | 246.94 грн |
| NV6028 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 834.77 грн |
| 10+ | 556.66 грн |
| 50+ | 451.07 грн |
| 100+ | 411.56 грн |
| NV6028 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6029 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6029 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1083.13 грн |
| 10+ | 732.94 грн |
| 50+ | 613.36 грн |
| NV6044C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6044C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.04 грн |
| 10+ | 181.10 грн |
| 50+ | 139.83 грн |
| 100+ | 118.74 грн |
| 500+ | 97.04 грн |
| NV6045C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.65 грн |
| 10+ | 213.04 грн |
| 50+ | 165.51 грн |
| 100+ | 140.96 грн |
| 500+ | 119.76 грн |
| NV6045C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 210MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6048C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6048C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 415.80 грн |
| 10+ | 266.91 грн |
| 50+ | 209.72 грн |
| 100+ | 179.55 грн |
| 500+ | 162.65 грн |
| NV6048C-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6048C-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NV6113 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 220.59 грн |
| 10+ | 159.17 грн |
| 25+ | 145.76 грн |
| 100+ | 123.05 грн |
| 250+ | 116.48 грн |
| 500+ | 114.63 грн |
| NV6113 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6113-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6113-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 313.43 грн |
| 10+ | 198.98 грн |
| 100+ | 140.44 грн |
| 500+ | 108.36 грн |
| NV6115 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6115 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 292.01 грн |
| 10+ | 212.19 грн |
| 25+ | 195.03 грн |
| 100+ | 165.38 грн |
| 250+ | 156.96 грн |
| 500+ | 156.22 грн |
| NV6115-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 173.56 грн |
| NV6115-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 170mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.17 грн |
| 10+ | 253.30 грн |
| 100+ | 181.20 грн |
| NV6117 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 423.73 грн |
| 10+ | 312.37 грн |
| 25+ | 288.53 грн |
| 100+ | 246.21 грн |
| 250+ | 236.97 грн |
| NV6117 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6117-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6117-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 650 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 539.58 грн |
| 10+ | 351.49 грн |
| 100+ | 256.54 грн |
| 500+ | 202.81 грн |
| NV6123 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6123 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 220.59 грн |
| 10+ | 159.17 грн |
| 25+ | 145.76 грн |
| 100+ | 123.05 грн |
| 250+ | 116.48 грн |
| 500+ | 114.63 грн |
| NV6123-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 313.43 грн |
| 10+ | 198.98 грн |
| 100+ | 140.44 грн |
| 500+ | 108.36 грн |
| NV6123-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 5 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 127.68 грн |
| NV6125 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 8 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 8 A
Voltage: 650 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.04 грн |
| 10+ | 209.29 грн |
| 25+ | 192.47 грн |
| 100+ | 163.18 грн |
| 250+ | 154.87 грн |
| 500+ | 154.13 грн |
| NV6125 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 8 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 8 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6125-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 171.67 грн |
| NV6125-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
Description: MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 175mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Part Status: Active
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 391.20 грн |
| 10+ | 250.48 грн |
| 100+ | 179.22 грн |
| 500+ | 139.66 грн |
| NV6127 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 125mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 125mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 12 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6127 |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 125mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 125mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 12 A
Voltage: 650 V
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 423.73 грн |
| 10+ | 312.37 грн |
| 25+ | 288.53 грн |
| 100+ | 246.21 грн |
| 250+ | 236.97 грн |
| NV6127C |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN
Description: GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6127C-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN
Description: GANFAST SINGLE 650V 125MOHM PQFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NV6127-RA |
![]() |
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 125mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 12 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 30-PowerVQFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 125mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 30V
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 30-QFN (6x8)
Current: 12 A
Voltage: 650 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 539.58 грн |
| 10+ | 351.49 грн |
| 100+ | 256.54 грн |







