Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN019-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN020-30MLCX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN021-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN022-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN022-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN025-100D,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN025-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN026-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 34A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN027-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN027-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN028-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN030-150P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 55.5A Pulsed drain current: 222A Power dissipation: 250W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 49.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN034-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W Case: SOT78; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A On-state resistance: 29.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Gate charge: 23.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 127A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PSMN038-100YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 94.9W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 103.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN039-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN040-100MSEX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN045-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN057-200B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN057-200P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 39A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 250W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN059-150Y,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN069-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN075-100MSEX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN0R7-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.125mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN0R9-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN0R9-30ULDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A Pulsed drain current: 1.8kA Power dissipation: 291W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 1.44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN102-200Y,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R0-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN1R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMN1R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 255A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121.35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN1R0-40SSHJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R0-40ULDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R0-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R0-40YSHX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R1-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN1R1-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 338W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 243nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1609A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN1R1-40BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-25YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN1R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1133A Power dissipation: 179W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN1R2-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-55SLHAX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R3-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R4-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R4-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-30BLEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R6-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R6-30MLHX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R7-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R7-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN1R7-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 137nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
PSMN019-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN020-30MLCX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN021-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN022-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN022-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN025-100D,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN025-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN026-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.95 грн |
6+ | 48.37 грн |
25+ | 41.76 грн |
33+ | 33.22 грн |
90+ | 31.36 грн |
PSMN027-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN027-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.53 грн |
10+ | 101.14 грн |
13+ | 90.01 грн |
34+ | 84.44 грн |
250+ | 83.51 грн |
PSMN028-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN030-150P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN030-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.94 грн |
6+ | 53.77 грн |
25+ | 46.49 грн |
30+ | 36.75 грн |
82+ | 34.70 грн |
PSMN034-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN034-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
On-state resistance: 29.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 127A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
On-state resistance: 29.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 127A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN038-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.94 грн |
10+ | 54.16 грн |
30+ | 36.84 грн |
81+ | 34.89 грн |
250+ | 33.50 грн |
PSMN039-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN041-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.94 грн |
10+ | 52.42 грн |
46+ | 23.85 грн |
125+ | 22.55 грн |
1000+ | 21.71 грн |
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN057-200B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
PSMN057-200B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN057-200P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.83 грн |
3+ | 217.78 грн |
7+ | 172.50 грн |
18+ | 163.04 грн |
250+ | 156.82 грн |
PSMN059-150Y,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
PSMN059-150Y.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN069-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN075-100MSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN075-100MSEX SMD N channel transistors
PSMN075-100MSEX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN0R7-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN0R7-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 131.91 грн |
10+ | 114.67 грн |
13+ | 88.15 грн |
34+ | 83.51 грн |
1000+ | 80.73 грн |
1500+ | 79.80 грн |
PSMN0R9-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN0R9-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN0R9-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN0R9-30ULDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN0R9-30ULDX SMD N channel transistors
PSMN0R9-30ULDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 198.86 грн |
5+ | 173.45 грн |
7+ | 154.96 грн |
20+ | 146.61 грн |
100+ | 141.05 грн |
PSMN102-200Y,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R0-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R0-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R0-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R0-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 167.88 грн |
5+ | 145.51 грн |
10+ | 111.35 грн |
27+ | 104.86 грн |
500+ | 103.00 грн |
PSMN1R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 152.89 грн |
5+ | 132.98 грн |
11+ | 102.07 грн |
30+ | 96.50 грн |
500+ | 94.65 грн |
PSMN1R0-40SSHJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
PSMN1R0-40SSHJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R0-40ULDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors
PSMN1R0-40ULDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R0-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R0-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R0-40YSHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
PSMN1R0-40YSHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R1-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R1-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R1-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 243nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1609A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 243nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1609A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 391.73 грн |
4+ | 282.34 грн |
11+ | 257.04 грн |
50+ | 246.83 грн |
PSMN1R1-40BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-25YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.71 грн |
24+ | 46.40 грн |
65+ | 43.61 грн |
1500+ | 41.76 грн |
PSMN1R2-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R2-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-55SLHAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R3-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R4-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R4-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-30BLEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R6-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R6-30MLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R7-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R7-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R7-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.83 грн |
5+ | 215.85 грн |
6+ | 195.79 грн |
16+ | 185.59 грн |
100+ | 184.66 грн |
250+ | 178.16 грн |