Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (93140) > Сторінка 423 з 1553

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 155 310 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 465 620 775 930 1085 1240 1395 1550 1553  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN2R5-30YL.pdf PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDX NEXPERIA PSMN2R5-40YLD.pdf PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQ NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R6-30YLC.pdf PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA PSMN2R6-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQ NEXPERIA PSMN2R6-60PS.pdf PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118 NEXPERIA PSMN2R7-30BL.pdf PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R7-30PL.pdf PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL NEXPERIA PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115 NEXPERIA PSMN2R8-25MLC.pdf PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127 NEXPERIA PSMN2R8-40PS.pdf PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX NEXPERIA PSMN2R8-40YSD.pdf PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN2R9-25YLC.pdf PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115 NEXPERIA PSMN3R0-30MLC.pdf PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 497A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 497A
Power dissipation: 81W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.04mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA PSMN3R0-30YLD.pdf PSMN3R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 NEXPERIA PSMN3R0-60BS.pdf PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 824A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+326.02 грн
3+290.56 грн
5+234.85 грн
13+222.01 грн
250+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDX NEXPERIA PSMN3R2-40YLD.pdf PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX NEXPERIA PSMN3R3-40MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 NEXPERIA PSMN3R3-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-60PLQ NEXPERIA PSMN3R3-60PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 NEXPERIA PSMN3R3-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80PS,127 PSMN3R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R3-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 830A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118 NEXPERIA PSMN3R4-30BL.pdf PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R4-30PL,127 NEXPERIA PSMN3R4-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDX NEXPERIA PSMN3R5-25MLD.pdf PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.05 грн
5+67.64 грн
17+64.22 грн
25+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDX NEXPERIA PSMN3R5-40YSD.pdf PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN3R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 139nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFX NEXPERIA PSMN3R5-80YSF.pdf PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ NEXPERIA PSMN3R7-100BSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX NEXPERIA PSMN3R9-100YSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115 NEXPERIA PSMN3R9-25MLC.pdf PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.96 грн
3+216.26 грн
7+167.42 грн
18+158.25 грн
250+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-25YLC,115 NEXPERIA PSMN4R0-25YLC.pdf PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN4R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 378A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.27 грн
6+56.02 грн
21+53.67 грн
25+52.11 грн
56+50.73 грн
100+50.18 грн
500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.27 грн
6+56.02 грн
21+53.67 грн
25+52.11 грн
56+50.73 грн
100+50.18 грн
500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN4R0-60YS.pdf PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115 NEXPERIA PSMN4R1-30YLC.pdf PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.99 грн
10+112.42 грн
16+68.80 грн
43+65.13 грн
750+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX NEXPERIA PSMN4R2-40VSH.pdf PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-60PLQ NEXPERIA PSMN4R2-60PL.pdf PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 698A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.10 грн
9+129.56 грн
24+118.34 грн
500+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-100PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 673A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118 NEXPERIA PSMN4R3-30BL.pdf PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127 NEXPERIA PSMN4R3-30PL.pdf PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHX NEXPERIA PSMN4R3-40MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 392A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHX NEXPERIA PSMN4R3-40MSH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
On-state resistance: 9.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 392A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127 NEXPERIA PSMN4R3-80PS.pdf PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115 NEXPERIA PSMN4R4-30MLC.pdf PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.86 грн
5+223.88 грн
7+174.49 грн
18+164.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 96A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 545A
Power dissipation: 148W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 NEXPERIA PSMN4R5-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 545A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.86 грн
10+124.80 грн
11+103.66 грн
29+98.16 грн
50+96.33 грн
100+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-40YLDX PSMN2R5-40YLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30BL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R7-30PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R7-30PL
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-40PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-25YLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 497A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 497A
Power dissipation: 81W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.04mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 824A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.02 грн
3+290.56 грн
5+234.85 грн
13+222.01 грн
250+213.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX PSMN3R3-40MLH.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLQ PSMN3R3-60PL.pdf
PSMN3R3-60PLQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80PS,127 PSMN3R3-80PS.pdf
PSMN3R3-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 830A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PL,127 PSMN3R4-30PL.pdf
PSMN3R4-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 609A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 609A
Power dissipation: 114W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-25MLDX PSMN3R5-25MLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.05 грн
5+67.64 грн
17+64.22 грн
25+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS.pdf
PSMN3R5-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 139nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSF.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R8-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081564474DFA259&compId=PSMN3R8-100BS.pdf?ci_sign=15f5fba9cd5bd7b3cca774c6f4b7f411fc3bd5ad
PSMN3R8-100BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSF.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-25MLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R9-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.96 грн
3+216.26 грн
7+167.42 грн
18+158.25 грн
250+154.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-25YLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R0-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 396A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 69W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 378A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.27 грн
6+56.02 грн
21+53.67 грн
25+52.11 грн
56+50.73 грн
100+50.18 грн
500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.27 грн
6+56.02 грн
21+53.67 грн
25+52.11 грн
56+50.73 грн
100+50.18 грн
500+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R0-60YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-30YLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R1-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
10+112.42 грн
16+68.80 грн
43+65.13 грн
750+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSH.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-60PLQ PSMN4R2-60PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-60PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 698A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.10 грн
9+129.56 грн
24+118.34 грн
500+113.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-100PS.pdf
PSMN4R3-100PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 673A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30BL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R3-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-30PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R3-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MLHX PSMN4R3-40MLH.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 392A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-40MSHX PSMN4R3-40MSH.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 69A; Idm: 392A
Mounting: SMD
Case: LFPAK33; SOT1210
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 69A
On-state resistance: 9.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 392A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R3-80PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R3-80PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-30MLC.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R4-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.86 грн
5+223.88 грн
7+174.49 грн
18+164.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 96A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 545A
Power dissipation: 148W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS.pdf
PSMN4R5-40PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 545A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.86 грн
10+124.80 грн
11+103.66 грн
29+98.16 грн
50+96.33 грн
100+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 155 310 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 465 620 775 930 1085 1240 1395 1550 1553  [ Наступна Сторінка >> ]