Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN005-75B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN008-75B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN009-100B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 784 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN010-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN011-100YSFX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN011-60MLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN011-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN012-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN012-60MSX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN012-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN012-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4536 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN013-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN013-100YSEX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN013-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN013-40VLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN013-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN014-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN014-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN015-100B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN015-100YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN015-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 736 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMN015-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 20.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN016-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN016-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN017-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN017-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 45W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 5.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 44A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN017-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN017-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
PSMN018-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 45A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN019-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN020-30MLCX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN021-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN022-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN022-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN025-100D,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN025-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN026-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 34A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN027-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN027-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 37A Pulsed drain current: 148A Power dissipation: 103W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN028-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN030-150P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 55.5A Pulsed drain current: 222A Power dissipation: 250W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 49.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN034-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W Case: SOT78; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A On-state resistance: 29.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Gate charge: 23.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 127A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
PSMN038-100YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 94.9W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 103.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 801 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN039-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN040-100MSEX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN045-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.96 грн |
5+ | 211.49 грн |
7+ | 176.14 грн |
17+ | 166.96 грн |
800+ | 160.54 грн |
PSMN005-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN008-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.01 грн |
3+ | 219.11 грн |
7+ | 177.97 грн |
17+ | 168.80 грн |
100+ | 167.88 грн |
250+ | 162.38 грн |
PSMN010-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-60MLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.13 грн |
6+ | 52.78 грн |
25+ | 45.87 грн |
27+ | 41.47 грн |
72+ | 39.26 грн |
500+ | 37.70 грн |
PSMN011-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.11 грн |
10+ | 111.27 грн |
18+ | 62.66 грн |
48+ | 59.26 грн |
1000+ | 58.07 грн |
1500+ | 56.97 грн |
PSMN012-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.77 грн |
4+ | 93.36 грн |
10+ | 81.65 грн |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.47 грн |
5+ | 109.56 грн |
13+ | 85.32 грн |
35+ | 80.73 грн |
800+ | 78.90 грн |
1600+ | 77.06 грн |
PSMN013-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-100YSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.49 грн |
10+ | 33.44 грн |
50+ | 21.83 грн |
137+ | 20.64 грн |
250+ | 19.82 грн |
PSMN013-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN013-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-40VLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
6+ | 56.21 грн |
25+ | 48.07 грн |
26+ | 42.84 грн |
70+ | 40.55 грн |
500+ | 40.27 грн |
PSMN013-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN014-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN014-40YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN014-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN014-80YLX SMD N channel transistors
PSMN014-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN015-100B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN015-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.10 грн |
10+ | 107.65 грн |
18+ | 63.30 грн |
48+ | 59.63 грн |
500+ | 57.80 грн |
PSMN015-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.22 грн |
10+ | 80.98 грн |
38+ | 75.23 грн |
50+ | 72.47 грн |
PSMN016-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN016-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.72 грн |
10+ | 113.37 грн |
28+ | 102.75 грн |
500+ | 101.83 грн |
PSMN016-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN017-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN017-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN017-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.88 грн |
10+ | 72.47 грн |
16+ | 71.56 грн |
42+ | 67.89 грн |
50+ | 66.97 грн |
PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.57 грн |
25+ | 51.06 грн |
28+ | 39.81 грн |
75+ | 37.61 грн |
1500+ | 37.15 грн |
PSMN017-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN017-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.45 грн |
14+ | 80.64 грн |
37+ | 76.23 грн |
PSMN018-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.19 грн |
10+ | 54.21 грн |
25+ | 46.97 грн |
29+ | 37.43 грн |
80+ | 35.32 грн |
1500+ | 34.04 грн |
PSMN019-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
PSMN019-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN020-30MLCX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
PSMN020-30MLCX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN021-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
PSMN021-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN022-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN022-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN022-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN022-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN025-100D,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
PSMN025-100D.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN025-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
PSMN025-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN026-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.14 грн |
6+ | 47.82 грн |
25+ | 41.28 грн |
33+ | 32.84 грн |
91+ | 31.01 грн |
PSMN027-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN027-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN027-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 37A; Idm: 148A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.18 грн |
10+ | 100.00 грн |
13+ | 88.07 грн |
34+ | 83.48 грн |
250+ | 82.56 грн |
PSMN028-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN028-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN030-150P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 55.5A; Idm: 222A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 55.5A
Pulsed drain current: 222A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN030-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.99 грн |
6+ | 53.16 грн |
25+ | 45.96 грн |
30+ | 36.33 грн |
82+ | 34.31 грн |
PSMN034-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN034-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN034-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
On-state resistance: 29.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 127A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
On-state resistance: 29.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 127A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN038-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.01 грн |
10+ | 53.54 грн |
30+ | 36.70 грн |
81+ | 34.77 грн |
250+ | 33.39 грн |
PSMN039-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN039-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN040-100MSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
PSMN040-100MSEX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN041-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
10+ | 51.83 грн |
46+ | 23.58 грн |
126+ | 22.29 грн |
1000+ | 21.47 грн |
PSMN045-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN045-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.