Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN5R6-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R6-60YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R8-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-25YLB,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-25YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 61A; Idm: 244A; 43W Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 25V Drain current: 61A On-state resistance: 8.29mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 244A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R1-25MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R1-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R3-120PS | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R4-30MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R5-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R5-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN6R5-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 470A Power dissipation: 210W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN6R7-40MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R7-40MSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R9-100YSFX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN7R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMN7R0-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 63A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN7R5-30MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R5-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A Pulsed drain current: 202A Power dissipation: 34W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 346A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 19.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN7R6-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R6-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R6-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R8-100PSEQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R0-40BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R0-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R3-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R5-100PSQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R5-40MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R5-40MSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 76A Pulsed drain current: 303A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R7-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R7-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Pulsed drain current: 361A Power dissipation: 170W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R9-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R0-25MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R1-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R5-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R5-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R5-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R8-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR51-25YLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 380A Pulsed drain current: 2174A Power dissipation: 333W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.46mΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR55-40SSHJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 500A Pulsed drain current: 2237A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 267nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR58-30YLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 347A; Idm: 1960A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 347A Pulsed drain current: 1960A Power dissipation: 333W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 188nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR60-25YLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1758A Power dissipation: 268W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.82mΩ Mounting: SMD Gate charge: 147nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR67-30YLEX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 361A Pulsed drain current: 2.07kA Power dissipation: 333W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR70-30YLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 30V Drain current: 281A On-state resistance: 2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 268W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 157nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1589A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR70-40SSHJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A Case: LFPAK88; SOT1235 Drain-source voltage: 40V Drain current: 350A On-state resistance: 1.53mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 202nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1983A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMNR90-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 243nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMNR90-40YLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 285A Pulsed drain current: 1613A Power dissipation: 333W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMNR90-50SLHAX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 302A Pulsed drain current: 1711A Power dissipation: 375W Case: LFPAK88; SOT1235 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.03mΩ Mounting: SMD Gate charge: 383nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSSI2021SAY,115 | NEXPERIA |
![]() Description: IC: driver; CV/CC controller; SOT353; 50mA; 5÷75VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: CV/CC controller Case: SOT353 Output current: 50mA Supply voltage: 5...75V DC Mounting: SMD Operating temperature: -65...150°C Application: for LED applications кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PTVS10VP1UP,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
PSMN5R6-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R6-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R8-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-25YLB,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 61A; Idm: 244A; 43W
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 61A
On-state resistance: 8.29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 61A; Idm: 244A; 43W
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 61A
On-state resistance: 8.29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R1-25MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R1-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN6R1-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R1-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R3-120PS |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R4-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R5-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R5-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R5-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.64 грн |
8+ | 157.19 грн |
20+ | 143.11 грн |
1000+ | 137.61 грн |
PSMN6R7-40MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R7-40MSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R9-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
6+ | 50.30 грн |
25+ | 43.58 грн |
32+ | 34.31 грн |
86+ | 32.38 грн |
PSMN7R0-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.72 грн |
5+ | 93.36 грн |
14+ | 77.98 грн |
39+ | 73.39 грн |
500+ | 72.47 грн |
1500+ | 69.72 грн |
PSMN7R5-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R5-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.57 грн |
5+ | 80.98 грн |
19+ | 58.71 грн |
51+ | 55.04 грн |
PSMN7R6-100BSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R6-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R6-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R8-100PSEQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R0-40BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R0-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.36 грн |
10+ | 111.46 грн |
14+ | 79.81 грн |
39+ | 75.23 грн |
500+ | 72.47 грн |
PSMN8R0-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R2-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.46 грн |
5+ | 110.51 грн |
13+ | 83.21 грн |
36+ | 78.62 грн |
PSMN8R3-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-100PSQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-40MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-40MSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.77 грн |
5+ | 86.69 грн |
17+ | 66.97 грн |
45+ | 63.30 грн |
500+ | 62.38 грн |
PSMN8R7-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R7-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.02 грн |
3+ | 141.00 грн |
10+ | 107.33 грн |
28+ | 101.46 грн |
250+ | 100.00 грн |
PSMN8R9-100BSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R0-25MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R0-25MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN9R0-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R1-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R1-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN9R1-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R5-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R5-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R5-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN9R5-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R5-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN9R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R8-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R8-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN9R8-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR51-25YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 380A
Pulsed drain current: 2174A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 380A
Pulsed drain current: 2174A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR55-40SSHJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Pulsed drain current: 2237A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 500A; Idm: 2237A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 500A
Pulsed drain current: 2237A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 267nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR58-30YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 347A; Idm: 1960A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 347A
Pulsed drain current: 1960A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 347A; Idm: 1960A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 347A
Pulsed drain current: 1960A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR60-25YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1758A
Power dissipation: 268W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 300A; Idm: 1758A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1758A
Power dissipation: 268W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR67-30YLEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 361A
Pulsed drain current: 2.07kA
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 361A
Pulsed drain current: 2.07kA
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR70-30YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 281A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 268W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 157nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1589A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 281A; Idm: 1589A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 281A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 268W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 157nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1589A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR70-40SSHJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 202nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1983A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 350A; Idm: 1983A
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 202nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1983A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR90-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 243nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 243nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR90-40YLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1613A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 285A; Idm: 1613A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 285A
Pulsed drain current: 1613A
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMNR90-50SLHAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 1711A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 383nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 302A; Idm: 1711A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 302A
Pulsed drain current: 1711A
Power dissipation: 375W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.03mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 383nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSSI2021SAY,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; CV/CC controller; SOT353; 50mA; 5÷75VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: CV/CC controller
Case: SOT353
Output current: 50mA
Supply voltage: 5...75V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Application: for LED applications
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: driver; CV/CC controller; SOT353; 50mA; 5÷75VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: CV/CC controller
Case: SOT353
Output current: 50mA
Supply voltage: 5...75V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -65...150°C
Application: for LED applications
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.55 грн |
11+ | 28.39 грн |
50+ | 20.73 грн |
80+ | 13.76 грн |
219+ | 13.03 грн |
1000+ | 12.48 грн |
PTVS10VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.69 грн |
75+ | 14.40 грн |
206+ | 13.62 грн |