Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMV55ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV60ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV65ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV65UNEAR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV65UNER | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 13719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PMV65XP,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 833mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PMV65XPEAR | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMV65XPER | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMV65XPVL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV74EPER | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV75UP,215 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV88ENEAR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV88ENER | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMV90ENER | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMXB120EPEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB350UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB360ENEAZ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 0.7A On-state resistance: 887mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: DFN1010D-3; SOT1215 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 4.5nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4.4A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB40UNEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB43UNEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB56ENZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB65ENEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB65UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMXB75UPEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ1000UN,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ1200UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DFN1006-3; SOT883 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Version: ESD Gate charge: 1.2nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain current: -0.26A Pulsed drain current: -1.7A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ130UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ200UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ320UPEYL | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.6A Pulsed drain current: -4A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 810mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 9834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMZ370UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ390UN,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ550UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ600UNELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ600UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ600UNEZ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ950UPELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZ950UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB1200UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB150UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB200UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMZB320UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB550UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB600UNELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB950UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PNE20010ERX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PNS40010ER,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V Type of diode: rectifying Case: SOD123W Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 32A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.3W Max. forward voltage: 0.93V Reverse recovery time: 1.8µs Leakage current: 0.5mA Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PQMD10Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD12Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD16Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD3Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2AX,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B Mounting: SMD Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: unidirectional Breakdown voltage: 6...9V Leakage current: 0.1µA Type of diode: TVS array Case: SOT143B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PRTR5V0U2F,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2X,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B Type of diode: TVS array Mounting: SMD Case: SOT143B Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: unidirectional Breakdown voltage: 7.5V Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U4D,125 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6 Type of diode: TVS array Case: SC74; SOT457; TSOP6 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 0.1µA Breakdown voltage: 7.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSC1065KQ | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward impulse current: 42A Kind of package: tube Max. forward voltage: 2.6V Leakage current: 120µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
PMV55ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV60ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
PMV60ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV65ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
PMV65ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV65UNEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65UNEAR SMD N channel transistors
PMV65UNEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV65UNER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65UNER SMD N channel transistors
PMV65UNER SMD N channel transistors
на замовлення 13719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.71 грн |
131+ | 8.24 грн |
359+ | 7.79 грн |
PMV65XP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 833mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 833mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.61 грн |
15+ | 20.10 грн |
50+ | 13.54 грн |
100+ | 11.57 грн |
197+ | 5.44 грн |
540+ | 5.14 грн |
21000+ | 5.03 грн |
PMV65XPEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.83 грн |
85+ | 12.73 грн |
232+ | 12.04 грн |
PMV65XPER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65XPER SMD P channel transistors
PMV65XPER SMD P channel transistors
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.00 грн |
108+ | 9.91 грн |
297+ | 9.45 грн |
PMV65XPVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65XPVL SMD P channel transistors
PMV65XPVL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV74EPER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV74EPER SMD P channel transistors
PMV74EPER SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV75UP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
PMV75UP.215 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV88ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
PMV88ENEAR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV88ENER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV88ENER SMD N channel transistors
PMV88ENER SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMV90ENER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV90ENER SMD N channel transistors
PMV90ENER SMD N channel transistors
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.81 грн |
149+ | 7.25 грн |
409+ | 6.79 грн |
PMXB120EPEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB350UPEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB360ENEAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DFN1010D-3; SOT1215
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB40UNEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
PMXB40UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB43UNEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
PMXB43UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB56ENZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
PMXB56ENZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB65ENEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
PMXB65ENEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB65UPEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMXB75UPEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
PMXB75UPEZ SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ1000UN,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
PMZ1000UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ1200UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1.7A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DFN1006-3; SOT883
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Version: ESD
Gate charge: 1.2nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.26A
Pulsed drain current: -1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ130UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
PMZ130UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ200UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ290UNE2YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZ290UNE2YL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ320UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.6A
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ350UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
PMZ350UPEYL SMD P channel transistors
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.71 грн |
249+ | 4.32 грн |
683+ | 4.09 грн |
PMZ370UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
PMZ370UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ390UN,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
PMZ390UN.315 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ550UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
PMZ550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ600UNELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
PMZ600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ600UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
PMZ600UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ600UNEZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
PMZ600UNEZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ950UPELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
PMZ950UPELYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZ950UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
PMZ950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB1200UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
PMZB1200UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB150UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
PMZB150UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB200UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB290UNE2YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.05 грн |
250+ | 4.30 грн |
687+ | 4.07 грн |
10000+ | 4.06 грн |
PMZB320UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB350UPE,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB390UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB550UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB600UNELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB670UPE,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB950UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PNE20010ERX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PNE20010ERX SMD universal diodes
PNE20010ERX SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PNS40010ER,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Max. forward voltage: 0.93V
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Max. forward voltage: 0.93V
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
13+ | 22.58 грн |
25+ | 16.73 грн |
100+ | 10.28 грн |
237+ | 4.56 грн |
651+ | 4.32 грн |
3000+ | 4.31 грн |
PQMD10Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
PQMD10Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD12Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD12Z Complementary transistors
PQMD12Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD16Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD16Z Complementary transistors
PQMD16Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD3Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD3Z Complementary transistors
PQMD3Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PRTR5V0U2AX,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
Case: SOT143B
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
Case: SOT143B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
10+ | 30.96 грн |
62+ | 17.43 грн |
170+ | 16.42 грн |
1000+ | 15.87 грн |
PRTR5V0U2F,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
PRTR5V0U2F.115 Protection diodes - arrays
на замовлення 3863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.28 грн |
64+ | 16.92 грн |
175+ | 16.00 грн |
PRTR5V0U2X,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 7.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
11+ | 27.25 грн |
72+ | 15.05 грн |
196+ | 14.22 грн |
650+ | 13.85 грн |
1500+ | 13.76 грн |
PRTR5V0U4D,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
11+ | 27.34 грн |
75+ | 14.40 грн |
207+ | 13.67 грн |
500+ | 13.39 грн |
1000+ | 13.12 грн |
PSC1065KQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.6V
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.6V
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.57 грн |
3+ | 260.08 грн |
6+ | 208.25 грн |
15+ | 197.24 грн |
1000+ | 188.06 грн |