Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN1R1-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W Case: SOT78; TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 338W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 243nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1609A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN1R1-40BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-25YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN1R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1133A Power dissipation: 179W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN1R2-25YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A Mounting: SMD Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Drain-source voltage: 25V Drain current: 205A On-state resistance: 2.87mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 172W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60.3nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1163A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R2-55SLHAX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R3-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R4-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R4-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-30BLEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R5-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R6-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R6-30MLHX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R7-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R7-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN1R7-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 137nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN1R8-30MLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 110A Power dissipation: 106W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Pulsed drain current: 624A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R8-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R8-40YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R8-80SSFJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W Mounting: SMD Case: LFPAK88; SOT1235 Drain-source voltage: 80V Drain current: 205A On-state resistance: 4.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 341W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 222nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1158A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R9-40PLQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R9-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R9-80SSEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-100SSFJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-25MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN2R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-30YLE,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1015A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN2R0-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-60PSRQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R1-40PLQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 141W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN2R2-40BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R2-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R2-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R4-30MLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: NextPowerS3 Pulsed drain current: 580A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R4-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R5-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R5-60PLQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R6-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R6-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 131W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN2R6-60PSQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R7-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R7-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R7-30PL | NEXPERIA | PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-25MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PSMN1R1-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 243nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1609A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 243nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1609A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 387.28 грн |
5+ | 279.13 грн |
12+ | 254.12 грн |
50+ | 244.02 грн |
PSMN1R1-40BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN1R1-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-25YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
PSMN1R2-25YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.02 грн |
24+ | 45.87 грн |
65+ | 43.12 грн |
1500+ | 41.28 грн |
PSMN1R2-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 205A
On-state resistance: 2.87mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 172W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60.3nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1163A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 205A
On-state resistance: 2.87mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 172W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60.3nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1163A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R2-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R2-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R2-55SLHAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R3-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN1R3-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R4-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R4-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R4-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R4-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-30BLEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN1R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R5-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN1R5-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R5-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN1R5-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R6-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN1R6-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R6-30MLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R7-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R7-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN1R7-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R7-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.99 грн |
5+ | 213.40 грн |
6+ | 193.57 грн |
16+ | 183.48 грн |
100+ | 182.56 грн |
250+ | 176.14 грн |
PSMN1R8-30MLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R8-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R8-40YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R8-80SSFJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Mounting: SMD
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 205A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1158A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Mounting: SMD
Case: LFPAK88; SOT1235
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 205A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1158A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R9-40PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R9-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R9-80SSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-100SSFJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-25MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.46 грн |
3+ | 181.96 грн |
8+ | 137.61 грн |
22+ | 130.27 грн |
250+ | 128.43 грн |
PSMN2R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN2R0-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-30YLE,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.00 грн |
10+ | 114.32 грн |
14+ | 79.81 грн |
38+ | 75.23 грн |
250+ | 74.31 грн |
500+ | 72.47 грн |
PSMN2R0-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-60PSRQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R1-40PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.72 грн |
5+ | 82.88 грн |
17+ | 64.22 грн |
46+ | 60.55 грн |
500+ | 58.71 грн |
PSMN2R2-40BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R4-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 580A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 580A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R4-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R5-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R5-60PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R6-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R6-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R6-60PSQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R7-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R7-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R7-30PL |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-25MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.