Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 565A Power dissipation: 211W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN4R6-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN4R8-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404 Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 405W Polarisation: unipolar Gate charge: 278nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN4R8-100PSEQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN4R8-100YSEX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN5R0-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 338W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 622A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN5R0-40MLHX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R0-40MSHX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R0-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R0-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R2-60YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R3-25MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R4-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 74A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2821 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN5R6-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R6-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R6-60YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN5R8-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-25YLB,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R1-25MLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60A Pulsed drain current: 235A Power dissipation: 42W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R1-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R3-120PS | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R4-30MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R5-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R5-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN6R5-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 470A Power dissipation: 210W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN6R7-40MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R7-40MSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN6R9-100YSFX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN7R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PSMN7R0-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 63A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN7R5-30MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R5-30YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A Pulsed drain current: 202A Power dissipation: 34W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 12.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 346A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 19.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN7R6-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R6-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R6-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN7R8-100PSEQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R0-40BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Case: SOT78; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 309A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN8R0-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R3-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R5-100PSQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R5-40MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN8R5-40MSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 76A Pulsed drain current: 303A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R7-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN8R7-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Pulsed drain current: 361A Power dissipation: 170W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN8R9-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R0-25MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R1-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN9R5-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PSMN4R6-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.86 грн |
10+ | 124.80 грн |
11+ | 103.66 грн |
29+ | 98.16 грн |
50+ | 96.33 грн |
100+ | 94.49 грн |
PSMN4R6-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN4R6-60PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN4R8-100BSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 278nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN4R8-100PSEQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
PSMN4R8-100PSEQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN4R8-100YSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
PSMN4R8-100YSEX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R0-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 622A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 622A; 338W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 622A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R0-40MLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
PSMN5R0-40MLHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R0-40MSHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
PSMN5R0-40MSHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R0-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN5R0-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R0-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R2-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R2-60YLX SMD N channel transistors
PSMN5R2-60YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R3-25MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN5R3-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R4-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN5R4-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.83 грн |
10+ | 123.85 грн |
11+ | 99.08 грн |
31+ | 93.57 грн |
100+ | 90.82 грн |
200+ | 89.90 грн |
PSMN5R6-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN5R6-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R6-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN5R6-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R6-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
PSMN5R6-60YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN5R8-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-25YLB,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
PSMN6R0-25YLB.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN6R0-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN6R0-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN6R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R1-25MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 235A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 235A
Power dissipation: 42W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R1-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN6R1-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R3-120PS |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
PSMN6R3-120PS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R4-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN6R4-30MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R5-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN6R5-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R5-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R5-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.64 грн |
8+ | 157.19 грн |
20+ | 143.11 грн |
1000+ | 137.61 грн |
PSMN6R7-40MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
PSMN6R7-40MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R7-40MSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
PSMN6R7-40MSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN6R9-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
PSMN6R9-100YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN7R0-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN7R0-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN7R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R0-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
6+ | 50.30 грн |
25+ | 43.58 грн |
32+ | 34.31 грн |
87+ | 32.48 грн |
PSMN7R0-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.72 грн |
5+ | 93.36 грн |
14+ | 77.98 грн |
39+ | 74.31 грн |
500+ | 72.47 грн |
1500+ | 71.56 грн |
PSMN7R5-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN7R5-30MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R5-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; Idm: 202A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 202A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.57 грн |
5+ | 80.98 грн |
19+ | 58.71 грн |
51+ | 55.96 грн |
PSMN7R6-100BSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
PSMN7R6-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R6-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN7R6-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R6-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN7R6-60PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN7R8-100PSEQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
PSMN7R8-100PSEQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R0-40BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN8R0-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R0-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 309A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 309A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R0-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
PSMN8R0-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R2-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.46 грн |
5+ | 110.51 грн |
13+ | 83.21 грн |
36+ | 78.71 грн |
PSMN8R3-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN8R3-40YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-100PSQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-40MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
PSMN8R5-40MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-40MSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
PSMN8R5-40MSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.77 грн |
5+ | 86.69 грн |
17+ | 66.88 грн |
45+ | 63.21 грн |
500+ | 62.38 грн |
PSMN8R7-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN8R7-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN8R7-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.02 грн |
3+ | 141.00 грн |
10+ | 119.26 грн |
11+ | 107.24 грн |
28+ | 101.46 грн |
250+ | 100.00 грн |
PSMN8R9-100BSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
PSMN8R9-100BSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R0-25MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R0-25MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN9R0-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R1-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R1-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN9R1-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN9R5-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN9R5-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.