Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN1R8-30MLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 110A Power dissipation: 106W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 Pulsed drain current: 624A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R8-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R8-40YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R8-80SSFJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R9-40PLQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R9-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN1R9-80SSEJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-100SSFJ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-25MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-25YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN2R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 667A Power dissipation: 97W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-30YLE,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1015A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN2R0-40YLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 143A On-state resistance: 5.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 166W Polarisation: unipolar Gate charge: 92nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 807A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R0-60PSRQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R1-40PLQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 141W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN2R2-40BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R2-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R2-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R4-30MLDX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: NextPowerS3 Pulsed drain current: 580A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R4-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R5-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R5-60PLQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R6-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN2R6-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 131W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN2R6-60PSQ | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R7-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R7-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R7-30PL | NEXPERIA | PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-25MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-40PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R8-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN2R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R0-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R0-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 497A; 81W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 497A Power dissipation: 81W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.04mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R0-30YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R0-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN3R0-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 306W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 824A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN3R2-40YLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R3-40MLHX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 84A Pulsed drain current: 475A Power dissipation: 101W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R3-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 546A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN3R3-60PLQ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 130A Pulsed drain current: 793A Power dissipation: 293W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 175nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN3R3-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 760A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 111nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN3R3-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 830A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 139nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN3R4-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R4-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R5-25MLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
PSMN3R5-40YSDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN3R5-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A On-state resistance: 7.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 338W Polarisation: unipolar Gate charge: 139nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 803A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN3R5-80YSFX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
PSMN3R7-100BSEJ | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 10.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 405W Polarisation: unipolar Gate charge: 246nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 780A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
PSMN3R8-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Case: D2PAK; SOT404 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 10.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 306W Polarisation: unipolar Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
PSMN3R9-100YSFX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 9.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 294W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 690A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
PSMN1R8-30MLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R8-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R8-40YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN1R8-40YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R8-80SSFJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R9-40PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
PSMN1R9-40PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R9-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN1R9-80SSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-100SSFJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
PSMN2R0-100SSFJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-25MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-25YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 210.85 грн |
3+ | 184.05 грн |
8+ | 139.19 грн |
22+ | 131.77 грн |
250+ | 129.91 грн |
PSMN2R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-30YLE,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.89 грн |
10+ | 115.63 грн |
14+ | 80.73 грн |
38+ | 76.09 грн |
250+ | 75.16 грн |
500+ | 73.31 грн |
PSMN2R0-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 807A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
Technology: NextPowerS3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 807A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN2R0-60PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R0-60PSRQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
PSMN2R0-60PSRQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R1-40PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
PSMN2R1-40PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R2-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.93 грн |
5+ | 83.84 грн |
17+ | 64.96 грн |
46+ | 61.24 грн |
500+ | 59.39 грн |
PSMN2R2-40BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
PSMN2R2-40BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN2R2-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R2-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN2R2-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R4-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 580A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 580A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R4-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R4-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R5-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN2R5-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R5-60PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
PSMN2R5-60PLQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R6-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R6-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 131W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R6-60PSQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
PSMN2R6-60PSQ THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R7-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN2R7-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R7-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN2R7-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R7-30PL |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
PSMN2R730PL-NEX THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-25MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R8-25MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN2R8-40PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN2R8-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R8-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN2R8-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN2R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN2R9-25YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R0-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN3R0-30MLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 497A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 497A
Power dissipation: 81W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.04mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 497A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 497A
Power dissipation: 81W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.04mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN3R0-30YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R0-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R0-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 824A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 824A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 329.77 грн |
3+ | 293.90 грн |
5+ | 237.55 грн |
13+ | 224.56 грн |
250+ | 216.21 грн |
PSMN3R2-40YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
PSMN3R2-40YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R3-40MLHX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R3-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R3-60PLQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R3-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R3-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 830A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 830A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 139nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R4-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R4-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R4-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN3R4-30PL.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R5-25MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
PSMN3R5-25MLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.95 грн |
5+ | 68.42 грн |
17+ | 64.96 грн |
25+ | 59.39 грн |
PSMN3R5-40YSDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
PSMN3R5-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R5-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 139nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 803A; 338W
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 338W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 139nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 803A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R5-80YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R7-100BSEJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 780A; 405W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 405W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 246nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 780A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R8-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Case: D2PAK; SOT404
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 10.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN3R9-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 690A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 294W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.