Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PMZB200UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB290UNE2YL | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 7205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PMZB320UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB350UPE,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB390UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB550UNEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB600UNELYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB670UPE,315 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PMZB950UPEYL | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PNE20010ERX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PNS40010ER,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.4A Max. forward impulse current: 32A Case: SOD123W Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.93V Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.8µs Leakage current: 0.5mA Power dissipation: 2.3W Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: ultrafast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PQMD10Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD12Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD16Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PQMD3Z | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2AX,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6...9V Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT143B Max. off-state voltage: 5.5V Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2F,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886 Mounting: SMD Case: SOT886 Max. off-state voltage: 5.5V Semiconductor structure: unidirectional Breakdown voltage: 6...9V Leakage current: 0.1µA Type of diode: TVS array кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U2X,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 7.5V Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT143B Max. off-state voltage: 5.5V Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PRTR5V0U4D,125 | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6 Type of diode: TVS array Case: SC74; SOT457; TSOP6 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 5V Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 0.1µA Breakdown voltage: 7.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSC1065KQ | NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 42A Leakage current: 120µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN005-75B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN008-75B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN009-100B,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 784 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN010-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN011-100YSFX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN011-60MLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN011-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-100YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN012-60MSX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN012-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN013-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN013-100YSEX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN013-30YLC,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN013-40VLDX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 53A Pulsed drain current: 212A Power dissipation: 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN013-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN014-40YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN014-80YLX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN015-100B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
PSMN015-100YLX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 274A Power dissipation: 195W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN015-60BS,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN015-60PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 201A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 20.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN016-100BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN016-100PS,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN016-100YS,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN017-30BL,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
PSMN017-30PL,127 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 45W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 5.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 44A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PSMN017-80BS,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
PSMN017-80PS,127 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
PSMN018-80YS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 45A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
PMZB200UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
PMZB200UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB290UNE2YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 7205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.37 грн |
250+ | 4.35 грн |
687+ | 4.11 грн |
PMZB320UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
PMZB320UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB350UPE,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
PMZB350UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB390UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
PMZB390UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB550UNEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
PMZB550UNEYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB600UNELYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
PMZB600UNELYL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB670UPE,315 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
PMZB670UPE.315 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PMZB950UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
PMZB950UPEYL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PNE20010ERX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PNE20010ERX SMD universal diodes
PNE20010ERX SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PNS40010ER,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Max. forward impulse current: 32A
Case: SOD123W
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.93V
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 2.3W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Max. forward impulse current: 32A
Case: SOD123W
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.93V
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 2.3W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.98 грн |
13+ | 22.84 грн |
25+ | 16.93 грн |
100+ | 10.40 грн |
236+ | 4.60 грн |
648+ | 4.35 грн |
9000+ | 4.18 грн |
PQMD10Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD10Z Complementary transistors
PQMD10Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD12Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD12Z Complementary transistors
PQMD12Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD16Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD16Z Complementary transistors
PQMD16Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PQMD3Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PQMD3Z Complementary transistors
PQMD3Z Complementary transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PRTR5V0U2AX,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.97 грн |
10+ | 31.32 грн |
62+ | 17.63 грн |
170+ | 16.61 грн |
1000+ | 16.05 грн |
PRTR5V0U2F,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: TVS array
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.29 грн |
25+ | 17.92 грн |
67+ | 16.43 грн |
100+ | 15.22 грн |
500+ | 14.94 грн |
PRTR5V0U2X,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.98 грн |
11+ | 27.56 грн |
72+ | 15.31 грн |
196+ | 14.38 грн |
650+ | 14.01 грн |
1500+ | 13.92 грн |
PRTR5V0U4D,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.97 грн |
11+ | 27.66 грн |
75+ | 14.66 грн |
204+ | 13.92 грн |
500+ | 13.55 грн |
1000+ | 13.27 грн |
PSC1065KQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 284.80 грн |
3+ | 263.07 грн |
6+ | 209.71 грн |
15+ | 197.65 грн |
1000+ | 190.23 грн |
PSMN004-60B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.83 грн |
5+ | 213.92 грн |
7+ | 179.09 грн |
17+ | 168.88 грн |
800+ | 162.39 грн |
PSMN005-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
PSMN005-75B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN008-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
PSMN008-75B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
PSMN009-100B.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN009-100P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.83 грн |
3+ | 221.63 грн |
7+ | 180.02 грн |
17+ | 170.74 грн |
100+ | 169.81 грн |
250+ | 164.24 грн |
PSMN010-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-100YSFX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
PSMN011-100YSFX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN011-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-60MLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
PSMN011-60MLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN011-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.95 грн |
6+ | 53.38 грн |
25+ | 46.40 грн |
27+ | 41.66 грн |
72+ | 39.34 грн |
500+ | 37.86 грн |
PSMN011-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN011-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
PSMN012-100YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.89 грн |
10+ | 112.55 грн |
18+ | 62.91 грн |
48+ | 59.48 грн |
1000+ | 58.74 грн |
1500+ | 57.16 грн |
PSMN012-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
PSMN012-60MSX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN012-60YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN012-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.93 грн |
4+ | 94.43 грн |
10+ | 81.66 грн |
PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.91 грн |
5+ | 110.82 грн |
13+ | 85.37 грн |
35+ | 80.73 грн |
800+ | 79.80 грн |
1600+ | 77.95 грн |
PSMN013-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN013-100PS.127 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-100YSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
PSMN013-100YSEX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.97 грн |
10+ | 33.82 грн |
50+ | 22.08 грн |
136+ | 20.88 грн |
250+ | 20.04 грн |
PSMN013-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-30YLC.115 SMD N channel transistors
PSMN013-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-40VLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN013-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.95 грн |
6+ | 56.85 грн |
25+ | 43.43 грн |
69+ | 41.01 грн |
500+ | 40.74 грн |
PSMN013-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
PSMN013-80YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN014-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN014-40YS.115 SMD N channel transistors
PSMN014-40YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN014-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN014-80YLX SMD N channel transistors
PSMN014-80YLX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN015-100B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN015-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 274A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 274A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 157.89 грн |
10+ | 108.89 грн |
18+ | 63.10 грн |
48+ | 60.32 грн |
500+ | 58.46 грн |
PSMN015-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 147.90 грн |
10+ | 81.91 грн |
38+ | 76.09 грн |
50+ | 73.31 грн |
PSMN016-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
PSMN016-100BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN016-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.87 грн |
10+ | 113.71 грн |
28+ | 103.93 грн |
500+ | 103.00 грн |
PSMN016-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
PSMN016-100YS.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN017-30BL,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-30BL.118 SMD N channel transistors
PSMN017-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN017-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.84 грн |
10+ | 73.31 грн |
16+ | 72.38 грн |
42+ | 68.67 грн |
50+ | 67.74 грн |
PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.26 грн |
25+ | 51.65 грн |
28+ | 39.90 грн |
75+ | 37.77 грн |
1500+ | 37.58 грн |
PSMN017-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN017-80BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PSMN017-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.91 грн |
14+ | 81.57 грн |
37+ | 77.11 грн |
PSMN018-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.95 грн |
10+ | 54.83 грн |
25+ | 47.51 грн |
29+ | 37.86 грн |
79+ | 35.73 грн |
1500+ | 34.43 грн |