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PNE20020ERX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PNE20020ERX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 38 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: 38A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCV46-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCV46-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCW71,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCW70,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW70,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCW72,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW72,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCW71,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52-C6V2J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZT52-C6V2J - ZENER DIODESSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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TLVH431NCDBZRR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - TLVH431NCDBZRR - SPANN.REFERENZ SHUNT - EINST, 0 BIS 70°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Referenzspannung, max.: 1.258V isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 1.222V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: - Eingangsspannung, max.: 18V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 70°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 1.5% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLVH431NQDBZRR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - TLVH431NQDBZRR - SPANN.REFER. SHUNT - EINST -40 BIS 125°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Referenzspannung, max.: 1.258V isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 1.222V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: - Eingangsspannung, max.: 18V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 1.5% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74HC2G08DC,125 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 74HC2G08DC,125 - AND-Gatter, 74HC, 2 Eingänge, 2V bis 6V,VSSOP-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 74HC Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: VSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: - IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 74HC2G08 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BUK9Y12-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y19-75B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y153-100E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y4R8-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y19-55B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 13655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y4R4-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y1R3-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y3R5-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 167 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BUK9Y30-75B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y6R0-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 14394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y107-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y21-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y72-80E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y72-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.059 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.7V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y29-40E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y2R8-40HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y25-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y12-100E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y25-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y14-80E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y14-40B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.009 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y8R7-60E,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9Y58-75B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y58-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 20.73 A, 0.047 ohm, SC-100, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20.73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V euEccn: NLR Verlustleistung: 60.4W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84W-C12X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX884S-C12-QYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 365mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX884S-Q productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX884S-C12YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °CZener-Spannung, nom.: 12 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DFN1006BD Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: BZX884S SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84W-C12X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX884S-C12YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °CZener-Spannung, nom.: 12 Verlustleistung: 365 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: DFN1006BD Qualifikation: AEC-Q101 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: BZX884S SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX884S-C12-QYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 365mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX884S-Q productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C12-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12-QR - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450-Q productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C12R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12R - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C12R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12R - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C12-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12-QR - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450-Q productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBHV8140Z,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBHV8140Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 730 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PZT2222A,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PZT2222A,135 - TRANSISTOR, BIPOLARMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BAS101S,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS101S,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 300 V, 200 mA, 1.1 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HEF4047BT-Q100J | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - HEF4047BT-Q100J - IC, LOCMOSMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BZX84-C20,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84-C20,215 - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84J-C20,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84J-C20,115 - Zener-Diode, 20 V, 550 mW, SC-90, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-90 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX84J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84J-C20,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84J-C20,115 - Zener-Diode, 20 V, 550 mW, SC-90, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-90 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX84J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 20V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C20R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20R - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 20V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C20-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20-QR - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 20V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C20R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20R - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 20V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C20-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20-QR - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Zener-Spannung, nom.: 20V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84W-C20F | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84W-C20F - ZENER DIODESSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BZX84J-C27,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84J-C27,135 - ZENER DIODESSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PDTC143XTVL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTC143XTVL - RF TRANSISTORMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PNE20020ERX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PNE20020ERX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
Durchlassstoßstrom: 38A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PNE20020ERX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 38 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
Durchlassstoßstrom: 38A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 34.11 грн |
| 50+ | 21.42 грн |
| 100+ | 13.59 грн |
| 500+ | 10.78 грн |
| 1500+ | 8.72 грн |
| BCV46-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.14 грн |
| BCV46-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCV46-QR - Darlington-Transistor, PNP, 60 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 55.98 грн |
| 28+ | 32.94 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| BCW71,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.80 грн |
| 75+ | 12.15 грн |
| 120+ | 7.56 грн |
| 500+ | 5.11 грн |
| 1500+ | 3.83 грн |
| BCW70,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW70,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BCW70,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.80 грн |
| 76+ | 11.88 грн |
| 122+ | 7.41 грн |
| 500+ | 5.04 грн |
| 1500+ | 4.13 грн |
| BCW72,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW72,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BCW72,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 18.90 грн |
| 79+ | 11.43 грн |
| 122+ | 7.39 грн |
| 500+ | 5.11 грн |
| 1500+ | 3.83 грн |
| BCW71,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BCW71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.11 грн |
| 1500+ | 3.83 грн |
| TLVH431NCDBZRR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TLVH431NCDBZRR - SPANN.REFERENZ SHUNT - EINST, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - TLVH431NCDBZRR - SPANN.REFERENZ SHUNT - EINST, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 22.23 грн |
| 61+ | 14.94 грн |
| 100+ | 11.34 грн |
| 500+ | 8.61 грн |
| TLVH431NQDBZRR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TLVH431NQDBZRR - SPANN.REFER. SHUNT - EINST -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - TLVH431NQDBZRR - SPANN.REFER. SHUNT - EINST -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 1.258V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.222V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 30.42 грн |
| 44+ | 20.70 грн |
| 100+ | 15.84 грн |
| 500+ | 12.79 грн |
| 1000+ | 10.95 грн |
| 74HC2G08DC,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74HC2G08DC,125 - AND-Gatter, 74HC, 2 Eingänge, 2V bis 6V,VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 74HC2G08
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - 74HC2G08DC,125 - AND-Gatter, 74HC, 2 Eingänge, 2V bis 6V,VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 74HC2G08
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BUK9Y12-40E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 8800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 56.97 грн |
| 18+ | 50.67 грн |
| 100+ | 37.89 грн |
| 500+ | 31.51 грн |
| BUK9Y19-75B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 48.2 A, 0.0147 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.70 грн |
| 10+ | 97.20 грн |
| 100+ | 75.60 грн |
| BUK9Y153-100E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y153-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.117 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 93.60 грн |
| 16+ | 58.59 грн |
| 100+ | 37.89 грн |
| 500+ | 26.83 грн |
| BUK9Y4R8-60E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 238.50 грн |
| 10+ | 174.60 грн |
| 100+ | 155.70 грн |
| 500+ | 137.06 грн |
| 1000+ | 123.43 грн |
| BUK9Y19-55B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y19-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0173 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 13655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 125.10 грн |
| 11+ | 83.07 грн |
| 100+ | 63.18 грн |
| 500+ | 53.74 грн |
| 1000+ | 48.60 грн |
| BUK9Y4R4-40E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R4-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0031 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 107.10 грн |
| 13+ | 73.89 грн |
| 100+ | 57.51 грн |
| 500+ | 43.54 грн |
| 1000+ | 36.49 грн |
| BUK9Y1R3-40HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y1R3-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 960 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 303.30 грн |
| 10+ | 210.60 грн |
| 100+ | 153.00 грн |
| 500+ | 121.18 грн |
| 1000+ | 92.57 грн |
| BUK9Y3R5-40E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BUK9Y30-75B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 104.40 грн |
| 12+ | 78.57 грн |
| 100+ | 59.40 грн |
| 500+ | 46.63 грн |
| 1000+ | 33.09 грн |
| BUK9Y6R0-60E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 86.49 грн |
| 13+ | 70.65 грн |
| 100+ | 54.81 грн |
| 500+ | 48.39 грн |
| 1000+ | 42.97 грн |
| 5000+ | 41.19 грн |
| BUK9Y107-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y107-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 11.8 A, 0.0824 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0824ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 69.84 грн |
| 18+ | 52.83 грн |
| 100+ | 37.17 грн |
| 500+ | 28.75 грн |
| 1000+ | 24.61 грн |
| 5000+ | 22.60 грн |
| BUK9Y21-40E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y21-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 33 A, 0.0144 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 74.79 грн |
| 19+ | 48.33 грн |
| 100+ | 33.21 грн |
| 500+ | 24.49 грн |
| 1000+ | 19.67 грн |
| BUK9Y72-80E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y72-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.059 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y72-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 15 A, 0.059 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 51.84 грн |
| 21+ | 43.74 грн |
| 100+ | 29.88 грн |
| 500+ | 23.65 грн |
| 1000+ | 16.89 грн |
| 5000+ | 16.28 грн |
| BUK9Y29-40E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 88.47 грн |
| 16+ | 56.79 грн |
| 100+ | 37.08 грн |
| 500+ | 26.91 грн |
| 1000+ | 24.69 грн |
| BUK9Y2R8-40HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 314.10 грн |
| 10+ | 198.00 грн |
| 100+ | 141.30 грн |
| 500+ | 106.97 грн |
| 1000+ | 90.26 грн |
| BUK9Y25-60E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.00 грн |
| 14+ | 67.14 грн |
| 50+ | 57.15 грн |
| 200+ | 43.79 грн |
| 500+ | 32.86 грн |
| BUK9Y12-100E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y12-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0091 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.90 грн |
| 10+ | 148.50 грн |
| 100+ | 103.50 грн |
| BUK9Y40-55B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 71.28 грн |
| 19+ | 47.70 грн |
| 100+ | 32.94 грн |
| BUK9Y25-60E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.15 грн |
| 200+ | 43.79 грн |
| 500+ | 32.86 грн |
| BUK9Y14-80E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 162.00 грн |
| 10+ | 112.50 грн |
| BUK9Y14-40B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.009 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y14-40B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 56 A, 0.009 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 87.48 грн |
| 14+ | 64.89 грн |
| 100+ | 46.89 грн |
| BUK9Y25-80E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 32.58 грн |
| 29+ | 31.59 грн |
| 100+ | 31.50 грн |
| 500+ | 26.83 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 5000+ | 23.99 грн |
| BUK9Y8R7-60E,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R7-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.006 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 137.70 грн |
| 11+ | 89.37 грн |
| 100+ | 62.28 грн |
| 500+ | 46.88 грн |
| 1000+ | 39.27 грн |
| BUK9Y58-75B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y58-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 20.73 A, 0.047 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60.4W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9Y58-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 20.73 A, 0.047 ohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60.4W
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 81.63 грн |
| 16+ | 57.78 грн |
| 100+ | 38.79 грн |
| 500+ | 29.00 грн |
| BZX84W-C12X |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 14.58 грн |
| 110+ | 8.24 грн |
| 181+ | 4.99 грн |
| 500+ | 3.59 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| BZX884S-C12-QYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 25.92 грн |
| 52+ | 17.46 грн |
| 132+ | 6.86 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 3.01 грн |
| BZX884S-C12YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 121+ | 7.44 грн |
| 122+ | 7.42 грн |
| 500+ | 6.87 грн |
| BZX84W-C12X |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX84W-C12X - Zener-Diode, 12 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.59 грн |
| 1000+ | 2.35 грн |
| BZX884S-C12YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12YL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 12
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DFN1006BD
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX884S
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.87 грн |
| BZX884S-C12-QYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX884S-C12-QYL - Zener-Diode, 12 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 3.01 грн |
| BZX8450-C12-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12-QR - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12-QR - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.16 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| BZX8450-C12R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12R - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12R - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.56 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| BZX8450-C12R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12R - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12R - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 20.16 грн |
| 63+ | 14.31 грн |
| 113+ | 8.01 грн |
| 500+ | 4.56 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| BZX8450-C12-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12-QR - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C12-QR - Zener-Diode, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 22.05 грн |
| 55+ | 16.56 грн |
| 107+ | 8.47 грн |
| 500+ | 5.16 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| BC846BS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 21.96 грн |
| 80+ | 11.34 грн |
| 110+ | 8.23 грн |
| 500+ | 5.60 грн |
| 1500+ | 4.57 грн |
| PBHV8140Z,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBHV8140Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - PBHV8140Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 730 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| PZT2222A,135 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PZT2222A,135 - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - PZT2222A,135 - TRANSISTOR, BIPOLAR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BAS101S,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS101S,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 300 V, 200 mA, 1.1 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BAS101S,215 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 300 V, 200 mA, 1.1 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 34.47 грн |
| 38+ | 23.94 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| 500+ | 8.02 грн |
| 1000+ | 6.25 грн |
| HEF4047BT-Q100J |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HEF4047BT-Q100J - IC, LOCMOS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - HEF4047BT-Q100J - IC, LOCMOS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| BZX84-C20,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84-C20,215 - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BZX84-C20,215 - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 103+ | 8.77 грн |
| 164+ | 5.52 грн |
| 368+ | 2.45 грн |
| 500+ | 2.20 грн |
| 1500+ | 1.88 грн |
| BZX84J-C20,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84J-C20,115 - Zener-Diode, 20 V, 550 mW, SC-90, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-90
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX84J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BZX84J-C20,115 - Zener-Diode, 20 V, 550 mW, SC-90, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-90
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX84J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 11.16 грн |
| 124+ | 7.30 грн |
| 219+ | 4.12 грн |
| 500+ | 3.67 грн |
| 1000+ | 3.24 грн |
| BZX84J-C20,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84J-C20,115 - Zener-Diode, 20 V, 550 mW, SC-90, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-90
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX84J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BZX84J-C20,115 - Zener-Diode, 20 V, 550 mW, SC-90, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-90
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX84J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 20V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.67 грн |
| 1000+ | 3.24 грн |
| BZX8450-C20R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20R - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20R - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.27 грн |
| 70+ | 12.96 грн |
| 135+ | 6.67 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| BZX8450-C20-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20-QR - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20-QR - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.65 грн |
| 1000+ | 2.55 грн |
| BZX8450-C20R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20R - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20R - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| BZX8450-C20-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20-QR - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Description: NEXPERIA - BZX8450-C20-QR - Zener-Diode, 20 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 20V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 19.26 грн |
| 67+ | 13.59 грн |
| 128+ | 7.05 грн |
| 500+ | 4.65 грн |
| 1000+ | 2.55 грн |
| PDTC143XTVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTC143XTVL - RF TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - PDTC143XTVL - RF TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

















