Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146951) > Сторінка 1202 з 2450

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1207 1225 1470 1715 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSB0665B FFSB0665B onsemi ffsb0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B FFSB0665B onsemi ffsb0665b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.46 грн
10+135.10 грн
100+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DFT1 MC74HC1G08DFT1 onsemi mc74hc1g08-d.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SC88A
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 83960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q MC74HC1G08DBVT1G-Q onsemi mc74hc1g08-d.pdf Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-74A
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.21 грн
6000+3.66 грн
9000+3.46 грн
15000+3.05 грн
21000+2.93 грн
30000+2.81 грн
75000+2.52 грн
150000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q MC74HC1G08DBVT1G-Q onsemi mc74hc1g08-d.pdf Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-74A
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
24+12.80 грн
30+10.33 грн
100+7.11 грн
250+5.89 грн
500+5.16 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NS3L500MTTWG NS3L500MTTWG onsemi ns3l500-d.pdf Description: IC ETH LAN SW 2:1GB 8CH 56-WQFN
Features: 10/100/1000 Base-T, LAN, LED
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Networking
On-State Resistance (Max): 7Ohm
-3db Bandwidth: 800MHz
Supplier Device Package: 56-WQFN (5x11)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 8
на замовлення 431751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G NRVHP160SFT3G onsemi nhp160sf-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G NRVHP160SFT3G onsemi nhp160sf-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
13+24.29 грн
100+19.16 грн
500+13.63 грн
1000+11.60 грн
2000+11.04 грн
5000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G NRVB140ESFT3G onsemi mbr140esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G NRVB140ESFT3G onsemi mbr140esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
13+24.83 грн
100+18.55 грн
500+13.42 грн
1000+10.22 грн
2000+9.87 грн
5000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140SFT3G NRVB140SFT3G onsemi mbr140sft1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N4752A 1N4752A onsemi 1N4736AT-D.PDF Description: DIODE ZENER 33V 1W DO41
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 25.1 V
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.73 грн
39+8.05 грн
100+3.68 грн
500+3.38 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1T3G MMSZ5V1T3G onsemi mmsz2v4t1-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 539500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1ET1 MMSZ5V1ET1 onsemi mmsz2v4et1-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5975+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 5975
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC4020ADTR2G NLV74HC4020ADTR2G onsemi ONSMS39177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NLV74HC4020 - 14-STAGE BINARY RI
Packaging: Bulk
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 483
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07ASP onsemi FPF2G120BF07ASP-D.pdf Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS FPF2G120BF07AS onsemi TND6237-D.PDF Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7130.45 грн
10+6202.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1C2P5BF07A FPF1C2P5BF07A onsemi ONSM-S-A0003587275-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
Packaging: Tray
Package / Case: F1 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 5 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: F1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC75812PTS-8565-H LC75812PTS-8565-H onsemi Description: IC DRVR DOT MATRIX 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-TQFP
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Configuration: Dot Matrix
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Digits or Characters: 16 Characters, 240 Characters, 12 Digits, 13 Digits
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Current - Supply: 500 µA
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+211.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5258BLT1G SZMMBZ5258BLT1G onsemi mmbz5221blt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
29+10.81 грн
100+4.45 грн
500+4.11 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5258BLT1 MMBZ5258BLT1 onsemi mmbz5221blt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845EMTF onsemi FJV1845.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845EMTF onsemi FJV1845.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FEP16BTA FEP16BTA onsemi FEP16AT.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4730A 1N4730A onsemi 1N4728A-58A.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYD FCPF1300N80ZYD onsemi fcpf1300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1 FCPF165N65S3L1 onsemi fcpf165n65s3l1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 34060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L onsemi fcpf165n65s3r0l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L FCPF165N65S3R0L onsemi fcpf165n65s3r0l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16TT1 BAS16TT1 onsemi bas16tt1-d.pdf Description: DIODE SS SW 75V 200MA SC-75
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NG onsemi nxh100t120l3q0s1ng-d.pdf Description: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 122 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4450.17 грн
24+3895.79 грн
48+3765.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG NXH011F120M3F2PTHG onsemi nxh011f120m3f2pt-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 244W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8020.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG NXH007F120M3F2PTHG onsemi nxh007f120m3f2-d.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10926.47 грн
20+10253.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG NXH004P120M3F2PTNG onsemi nxh004p120m3f2ptng-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13787.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG NXH004P120M3F2PNG onsemi nxh004p120m3f2png-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14595.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SG1577ASY SG1577ASY onsemi Description: IC REG CTRLR BUCK/BOOST 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 15V
Supplier Device Package: 20-SOIC
Duty Cycle (Max): 95%
Number of Outputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD0504T-P-TL-H RD0504T-P-TL-H onsemi Description: DIODE STANDARD 400V 5A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TP-FA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 400 V
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RD0506LS-SB-1H RD0506LS-SB-1H onsemi Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220F2FS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220F-2FS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5136DW1T1G MUN5136DW1T1G onsemi DTA115ED-D.PDF Description: MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8663+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 8663
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121P MC10H121P onsemi MC10H121-D.pdf Description: IC GATE OR/AND 4WIDE 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 16-PDIP
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121M MC10H121M onsemi MC10H121-D.pdf Description: IC GATE OR/AND 4WIDE 16-SOEIAJ
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 16-SOEIAJ
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121FNR2 MC10H121FNR2 onsemi MC10H121-D.pdf Description: IC OR/AND INVERTER GATE 20PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121FNR2G MC10H121FNR2G onsemi MC10H121-D.pdf Description: IC OR/AND INVERTER GATE 20PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H124P MC10H124P onsemi Description: IC XLATOR QUAD TTL-MECL 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Differential
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C (TA)
Supplier Device Package: 16-PDIP
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: MECL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 4
Input Signal: TTL
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H125L MC10H125L onsemi Description: IC TRANSLATOR UNIDIR 16CDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C (TA)
Supplier Device Package: 16-CDIP
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: TTL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 4
Input Signal: MECL
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NIV3071MTW4TWG NIV3071MTW4TWG onsemi nis3071-d.pdf Description: EFUSE, 4 CHANNEL, 48V, 2.5A WETT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WQFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 60V
Current - Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 16-WQFN (5x6)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+218.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NIV3071MTW4TWG NIV3071MTW4TWG onsemi nis3071-d.pdf Description: EFUSE, 4 CHANNEL, 48V, 2.5A WETT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WQFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 60V
Current - Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 16-WQFN (5x6)
на замовлення 23208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.96 грн
10+340.48 грн
100+262.79 грн
500+213.16 грн
1000+197.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+524.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 onsemi ntbg045n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1037.74 грн
10+699.66 грн
100+530.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 onsemi nvbg045n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 onsemi nvbg045n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1231.91 грн
10+1045.05 грн
100+903.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8768CD33ABR2G NCV8768CD33ABR2G onsemi NCV8768C.PDF Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 14-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 35 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable, Reset, Watchdog
Grade: Automotive
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.11 грн
5000+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8768CD33ABR2G NCV8768CD33ABR2G onsemi NCV8768C.PDF Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 35 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable, Reset, Watchdog
Grade: Automotive
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.79 грн
10+115.95 грн
25+98.09 грн
100+73.06 грн
250+63.73 грн
500+57.98 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FJV992PMTF FJV992PMTF onsemi FJV992.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 8876
В кошику  од. на суму  грн.
LC72722PM-TLM-E LC72722PM-TLM-E onsemi LC72722PM.pdf Description: RF DEMODULATOR IC 24MFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.311", 7.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 31dB
Supplier Device Package: 24-MFP
Current - Supply: 9 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G-001 NTJD4401NT1G-001 onsemi Description: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4154 1N4154 onsemi 1N4154.pdf Description: DIODE STANDARD 35V 100MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4154TR 1N4154TR onsemi 1N4154.pdf Description: DIODE STANDARD 35V 100MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZ FDP5N60NZ onsemi FDP5N60NZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS006N06CLTWG NVTYS006N06CLTWG onsemi nvtys006n06cl-d.pdf Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B ffsb0665b-d.pdf
FFSB0665B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB0665B ffsb0665b-d.pdf
FFSB0665B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.46 грн
10+135.10 грн
100+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DFT1 mc74hc1g08-d.pdf
MC74HC1G08DFT1
Виробник: onsemi
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SC88A
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
на замовлення 83960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5323+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q mc74hc1g08-d.pdf
MC74HC1G08DBVT1G-Q
Виробник: onsemi
Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-74A
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.21 грн
6000+3.66 грн
9000+3.46 грн
15000+3.05 грн
21000+2.93 грн
30000+2.81 грн
75000+2.52 грн
150000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC1G08DBVT1G-Q mc74hc1g08-d.pdf
MC74HC1G08DBVT1G-Q
Виробник: onsemi
Description: SINGLE 2-INPUT AND GATE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-74A
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 17ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
24+12.80 грн
30+10.33 грн
100+7.11 грн
250+5.89 грн
500+5.16 грн
1000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NS3L500MTTWG ns3l500-d.pdf
NS3L500MTTWG
Виробник: onsemi
Description: IC ETH LAN SW 2:1GB 8CH 56-WQFN
Features: 10/100/1000 Base-T, LAN, LED
Packaging: Bulk
Package / Case: 56-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Networking
On-State Resistance (Max): 7Ohm
-3db Bandwidth: 800MHz
Supplier Device Package: 56-WQFN (5x11)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 8
на замовлення 431751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G nhp160sf-d.pdf
NRVHP160SFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP160SFT3G nhp160sf-d.pdf
NRVHP160SFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
13+24.29 грн
100+19.16 грн
500+13.63 грн
1000+11.60 грн
2000+11.04 грн
5000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G mbr140esf-d.pdf
NRVB140ESFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140ESFT3G mbr140esf-d.pdf
NRVB140ESFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
13+24.83 грн
100+18.55 грн
500+13.42 грн
1000+10.22 грн
2000+9.87 грн
5000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NRVB140SFT3G mbr140sft1-d.pdf
NRVB140SFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123FL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N4752A 1N4736AT-D.PDF
1N4752A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 33V 1W DO41
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 25.1 V
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
39+8.05 грн
100+3.68 грн
500+3.38 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1T3G mmsz2v4t1-d.pdf
MMSZ5V1T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 539500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6662+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5V1ET1 mmsz2v4et1-d.pdf
MMSZ5V1ET1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5975+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 5975
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC4020ADTR2G ONSMS39177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NLV74HC4020ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: NLV74HC4020 - 14-STAGE BINARY RI
Packaging: Bulk
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
483+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 483
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07ASP FPF2G120BF07ASP-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPF2G120BF07AS TND6237-D.PDF
FPF2G120BF07AS
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: F2
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7130.45 грн
10+6202.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FPF1C2P5BF07A ONSM-S-A0003587275-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FPF1C2P5BF07A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
Packaging: Tray
Package / Case: F1 Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 5 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: F1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC75812PTS-8565-H
LC75812PTS-8565-H
Виробник: onsemi
Description: IC DRVR DOT MATRIX 100TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-TQFP
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Serial
Configuration: Dot Matrix
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Digits or Characters: 16 Characters, 240 Characters, 12 Digits, 13 Digits
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Current - Supply: 500 µA
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+211.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5258BLT1G mmbz5221blt1-d.pdf
SZMMBZ5258BLT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
29+10.81 грн
100+4.45 грн
500+4.11 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5258BLT1 mmbz5221blt1-d.pdf
MMBZ5258BLT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9458+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 9458
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845.pdf
FJV1845EMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJV1845EMTF FJV1845.pdf
FJV1845EMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FEP16BTA FEP16AT.pdf
FEP16BTA
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4730A 1N4728A-58A.pdf
1N4730A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYD fcpf1300n80z-d.pdf
FCPF1300N80ZYD
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1 fcpf165n65s3l1-d.pdf
FCPF165N65S3L1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 34060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L fcpf165n65s3r0l-d.pdf
FCPF165N65S3R0L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0L fcpf165n65s3r0l-d.pdf
FCPF165N65S3R0L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16TT1 bas16tt1-d.pdf
BAS16TT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE SS SW 75V 200MA SC-75
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NG nxh100t120l3q0s1ng-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 122 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4450.17 грн
24+3895.79 грн
48+3765.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHG nxh011f120m3f2pt-d.pdf
NXH011F120M3F2PTHG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 244W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8020.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHG nxh007f120m3f2-d.pdf
NXH007F120M3F2PTHG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10926.47 грн
20+10253.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNG nxh004p120m3f2ptng-d.pdf
NXH004P120M3F2PTNG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13787.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNG nxh004p120m3f2png-d.pdf
NXH004P120M3F2PNG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14595.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SG1577ASY
SG1577ASY
Виробник: onsemi
Description: IC REG CTRLR BUCK/BOOST 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 15V
Supplier Device Package: 20-SOIC
Duty Cycle (Max): 95%
Number of Outputs: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD0504T-P-TL-H
RD0504T-P-TL-H
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 5A TPFA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TP-FA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 400 V
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
650+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
RD0506LS-SB-1H
RD0506LS-SB-1H
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220F2FS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220F-2FS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5136DW1T1G DTA115ED-D.PDF
MUN5136DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8663+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 8663
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121P MC10H121-D.pdf
MC10H121P
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR/AND 4WIDE 16-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 16-PDIP
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121M MC10H121-D.pdf
MC10H121M
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR/AND 4WIDE 16-SOEIAJ
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 16-SOEIAJ
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121FNR2 MC10H121-D.pdf
MC10H121FNR2
Виробник: onsemi
Description: IC OR/AND INVERTER GATE 20PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H121FNR2G MC10H121-D.pdf
MC10H121FNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC OR/AND INVERTER GATE 20PLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Output Type: Single-Ended
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND/OR/INVERT Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Number of Inputs: 4
Schmitt Trigger Input: No
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H124P
MC10H124P
Виробник: onsemi
Description: IC XLATOR QUAD TTL-MECL 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Differential
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C (TA)
Supplier Device Package: 16-PDIP
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: MECL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 4
Input Signal: TTL
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H125L
MC10H125L
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLATOR UNIDIR 16CDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C (TA)
Supplier Device Package: 16-CDIP
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: TTL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 4
Input Signal: MECL
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NIV3071MTW4TWG nis3071-d.pdf
NIV3071MTW4TWG
Виробник: onsemi
Description: EFUSE, 4 CHANNEL, 48V, 2.5A WETT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WQFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 60V
Current - Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 16-WQFN (5x6)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+218.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NIV3071MTW4TWG nis3071-d.pdf
NIV3071MTW4TWG
Виробник: onsemi
Description: EFUSE, 4 CHANNEL, 48V, 2.5A WETT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WQFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 8V ~ 60V
Current - Output: 2.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 16-WQFN (5x6)
на замовлення 23208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.96 грн
10+340.48 грн
100+262.79 грн
500+213.16 грн
1000+197.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+524.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 ntbg045n065sc1-d.pdf
NTBG045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
на замовлення 4216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1037.74 грн
10+699.66 грн
100+530.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 nvbg045n065sc1-d.pdf
NVBG045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 nvbg045n065sc1-d.pdf
NVBG045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1231.91 грн
10+1045.05 грн
100+903.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8768CD33ABR2G NCV8768C.PDF
NCV8768CD33ABR2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 14-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 35 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable, Reset, Watchdog
Grade: Automotive
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.11 грн
5000+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8768CD33ABR2G NCV8768C.PDF
NCV8768CD33ABR2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 14-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 35 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable, Reset, Watchdog
Grade: Automotive
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.79 грн
10+115.95 грн
25+98.09 грн
100+73.06 грн
250+63.73 грн
500+57.98 грн
1000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FJV992PMTF FJV992.pdf
FJV992PMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8876+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 8876
В кошику  од. на суму  грн.
LC72722PM-TLM-E LC72722PM.pdf
LC72722PM-TLM-E
Виробник: onsemi
Description: RF DEMODULATOR IC 24MFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SOIC (0.311", 7.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 31dB
Supplier Device Package: 24-MFP
Current - Supply: 9 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4401NT1G-001
NTJD4401NT1G-001
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4154 1N4154.pdf
1N4154
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 35V 100MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4154TR 1N4154.pdf
1N4154TR
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 35V 100MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N60NZ FDP5N60NZ-D.pdf
FDP5N60NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS006N06CLTWG nvtys006n06cl-d.pdf
NVTYS006N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1207 1225 1470 1715 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]