Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145611) > Сторінка 1221 з 2427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1216 1217 1218 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1452 1694 1936 2178 2420 2427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CM1457-04CP onsemi CM1457-D.PDF Description: FILTR LC(PI) 70NH/12.5PF ESD SMD
Height: 0.027" (0.69mm)
Values: L = 70nH (Total), C = 12.5pF (Total)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Low Pass
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.066" L x 0.041" W (1.67mm x 1.05mm)
Package / Case: 10-WFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Current: 15 mA
Number of Channels: 4
ESD Protection: Yes
Resistance - Channel (Ohms): 45
Center / Cutoff Frequency: 300MHz (Cutoff)
Technology: LC (Pi)
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Filter Order: 5th
Attenuation Value: -35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B FFSB1065B onsemi ffsb1065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B FFSB1065B onsemi ffsb1065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+192.92 грн
100+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+214.96 грн
100+152.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A FFSB1065A onsemi ffsb1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A FFSB1065A onsemi ffsb1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+236.62 грн
100+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32A TIP32A onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCGLA200T75NF8 onsemi PCGLA200T75NF8-D.PDF Description: IGBT TRENCH FS 750V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 200A
Supplier Device Package: Wafer
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 257ns/247.5ns
Test Condition: 400V, 200A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 718 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG NCV6324CMTAAWTBG onsemi ncp6324-d.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Max): 5.5V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Topology: Buck
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 3MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.46 грн
6000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG NCV6324CMTAAWTBG onsemi ncp6324-d.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Max): 5.5V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 3MHz
Current - Output: 2A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
на замовлення 20495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+91.18 грн
25+76.72 грн
100+56.63 грн
250+49.09 грн
500+44.45 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E 50C02MH-TL-E onsemi 50c02mh-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 178450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3109+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPS1M001A-03 onsemi Description: RFID TAG R/W 902-928MHZ INLAY
Frequency: 902MHz ~ 928MHz
Style: Inlay
Size / Dimension: 6.469" L x 0.787" W (165.00mm x 20.00mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Writable Memory: 128b (EPC)
Standards: ISO 18000-6, EPC
Technology: Passive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Read/Write
на замовлення 94765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+701.58 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22E N01S830BAT22E onsemi N01S830HA-D.PDF Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22ET N01S830BAT22ET onsemi N01S830HA-D.PDF Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830HAT22E N01S830HAT22E onsemi N01S830HA-D.PDF Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830HAT22ET N01S830HAT22ET onsemi N01S830HA-D.PDF Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL048N60S5H NTBL048N60S5H onsemi NTBL048N60S5H-D.PDF Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5.6mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5277 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVTH574MTC 74LVTH574MTC onsemi ONSM-S-A0003546531-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 18169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVTH574MTCX 74LVTH574MTCX onsemi ONSM-S-A0003546531-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS365AD SN74LS365AD onsemi sn74ls365a Description: IC BUFF NON-INVERT 5.25V 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Bits per Element: 6
Current - Output High, Low: 2.6mA, 24mA
Supplier Device Package: 16-SOIC
на замовлення 13269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S onsemi UJ3C065080K3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 42223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.89 грн
30+432.39 грн
120+368.58 грн
510+324.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S UF3C065040K4S onsemi DS_UF3C065040K4S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.31 грн
30+737.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+930.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3 onsemi UF3C065030B3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1683.63 грн
10+1172.26 грн
100+1096.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S UF3C065030T3S onsemi uf3c065030t3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1258.02 грн
50+991.41 грн
100+991.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S onsemi UJ3C065030K3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1771.42 грн
30+1089.63 грн
120+954.92 грн
510+889.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S UF3C065030K4S onsemi DS_UF3C065030K4S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.75 грн
30+989.32 грн
120+780.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S onsemi UJ3C120040K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2277.77 грн
30+1445.01 грн
120+1428.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MM74C927N MM74C927N onsemi MM74C925-28.pdf Description: IC DRVR 7 SEGMENT 4 DIGIT 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Display Type: LED
Mounting Type: Through Hole
Interface: BCD
Configuration: 7 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Digits or Characters: 4 Digits
Supplier Device Package: 18-PDIP
Current - Supply: 20 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DTVLT3G NV25080DTVLT3G onsemi nv25080lv-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: SPI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DTVLT3G NV25080DTVLT3G onsemi nv25080lv-d.pdf Description: IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: SPI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT161DR2G MC74ACT161DR2G onsemi mc74ac161-d.pdf Description: IC BINARY COUNTER 4-BIT 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive Edge
Timing: Synchronous
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
Count Rate: 125 MHz
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 19658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2589.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL080N60S5H NTBL080N60S5H onsemi NTBL080N60S5H-D.PDF Description: MOSFET - POWERNCHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 3.3mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT080N60S5 onsemi NTMT080N60S5-D.PDF Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3029 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJH1101 FJH1101 onsemi fjh1101-d.pdf Description: DIODE STANDARD 15V 150MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 pA @ 15 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC10EPT20DTG MC10EPT20DTG onsemi mc10ept20-d.pdf Description: IC XLTR MS UNIDIR 8-TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: LVPECL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 1
Input Signal: LVCMOS, LVTTL
Number of Circuits: 1
на замовлення 19249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+592.93 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3021VM MOC3021VM onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 15mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+37.59 грн
100+27.51 грн
500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT9P401I12STC-DP onsemi Description: SENSOR IMAGE CMOS 5MP 48LCC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT9P401I12STC-DR onsemi Description: SENSOR IMAGE CMOS 5MP 48LCC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM7912CT LM7912CT onsemi LM79xx_Rev2011.pdf Description: IC REG LINEAR -12V 1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): -35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): -12V
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S onsemi UJ3N065025K3S-D.PDF Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1386.57 грн
30+933.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S onsemi UJ3C065030T3S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.28 грн
50+930.51 грн
100+911.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX08DTR2G-Q MC74LVX08DTR2G-Q onsemi mc74lvx08-d.pdf Description: LOG CMOS GATE AND QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 2.4V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX08DTR2G-Q MC74LVX08DTR2G-Q onsemi mc74lvx08-d.pdf Description: LOG CMOS GATE AND QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 2.4V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+33.66 грн
25+27.81 грн
100+19.84 грн
250+16.77 грн
500+14.88 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA33CAT3G onsemi Description: 400 W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 190pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: SMA
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 81123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB33CAT3G 1SMB33CAT3G onsemi 1SMB10CAT3-D.pdf Description: ZEN SMB TVS CLP 600W 33V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICTE-010 ICTE-010 onsemi Description: DIODE TVS SINGLE UNI-DIR 10V 1.5
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP362CMUTBG NCP362CMUTBG onsemi ncp362-d.pdf Description: IC OCP TVS ESD USB POS 10-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 20V
Applications: Overvoltage Protection Controller
Supplier Device Package: 10-UDFN (2.5x2)
Current - Supply: 20 µA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP362CMUTBG NCP362CMUTBG onsemi ncp362-d.pdf Description: IC OCP TVS ESD USB POS 10-UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 20V
Applications: Overvoltage Protection Controller
Supplier Device Package: 10-UDFN (2.5x2)
Current - Supply: 20 µA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMI6316FCTBG onsemi emi6316-d.pdf Description: FILTER RC 40 OHMS/7PF ESD SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 15-XFBGA, WLCSP
Size / Dimension: 0.061" L x 0.061" W (1.55mm x 1.55mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: R = 40Ohms, C = 7pF (Total)
Height: 0.020" (0.50mm)
Filter Order: 2nd
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: RC
Resistance - Channel (Ohms): 40
ESD Protection: Yes
Number of Channels: 6
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085C FGB3245G2-F085C onsemi fgd3245g2-f085-d.pdf Description: IGBT 450V 41A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/5.4µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.49 грн
1600+81.29 грн
2400+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085C FGB3245G2-F085C onsemi fgd3245g2-f085-d.pdf Description: IGBT 450V 41A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/5.4µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV onsemi si3443dv-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1GT126MU3TCG MC74VHC1GT126MU3TCG onsemi mc74vhc1g126-d.pdf Description: IC BUFF 1.65V 6-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1x1)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
34+9.06 грн
38+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC100LVEL33DTG MC100LVEL33DTG onsemi mc100lvel33-d.pdf Description: IC DIVIDER BY 4 1-BIT 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Divide-by-4
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Trigger Type: Positive, Negative
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.8 V
Count Rate: 4 GHz
Number of Bits per Element: 2
на замовлення 27641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+630.95 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G NSV30100LT1G onsemi nss30100l-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G NSV30100LT1G onsemi nss30100l-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT9M413C36STM-DR MT9M413C36STM-DR onsemi MT9M413_DS.pdf Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 280-PGA
Frames per Second: 500.0
Supplier Device Package: 280-PGA
Active Pixel Array: 1280H x 1024V
Pixel Size: 12µm x 12µm
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -5°C ~ 60°C
Type: CMOS
Package / Case: 280-PGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G NSVMUN5338DW1T3G onsemi mun5338-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.59 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
2000+3.57 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CM1457-04CP CM1457-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: FILTR LC(PI) 70NH/12.5PF ESD SMD
Height: 0.027" (0.69mm)
Values: L = 70nH (Total), C = 12.5pF (Total)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Low Pass
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.066" L x 0.041" W (1.67mm x 1.05mm)
Package / Case: 10-WFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Current: 15 mA
Number of Channels: 4
ESD Protection: Yes
Resistance - Channel (Ohms): 45
Center / Cutoff Frequency: 300MHz (Cutoff)
Technology: LC (Pi)
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Filter Order: 5th
Attenuation Value: -35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B ffsb1065b-d.pdf
FFSB1065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B ffsb1065b-d.pdf
FFSB1065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.90 грн
10+192.92 грн
100+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 ffsb1065b-f085-d.pdf
FFSB1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 ffsb1065b-f085-d.pdf
FFSB1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+338.61 грн
10+214.96 грн
100+152.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A ffsb1065a-d.pdf
FFSB1065A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A ffsb1065a-d.pdf
FFSB1065A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.96 грн
10+236.62 грн
100+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32A tip31a-d.pdf
TIP32A
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCGLA200T75NF8 PCGLA200T75NF8-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 750V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 200A
Supplier Device Package: Wafer
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 257ns/247.5ns
Test Condition: 400V, 200A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 718 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG ncp6324-d.pdf
NCV6324CMTAAWTBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Max): 5.5V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Topology: Buck
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 3MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output: 2A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.46 грн
6000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG ncp6324-d.pdf
NCV6324CMTAAWTBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Max): 5.5V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 3MHz
Current - Output: 2A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Output Type: Adjustable
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
на замовлення 20495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.06 грн
10+91.18 грн
25+76.72 грн
100+56.63 грн
250+49.09 грн
500+44.45 грн
1000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E 50c02mh-d.pdf
50C02MH-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 178450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3109+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPS1M001A-03
Виробник: onsemi
Description: RFID TAG R/W 902-928MHZ INLAY
Frequency: 902MHz ~ 928MHz
Style: Inlay
Size / Dimension: 6.469" L x 0.787" W (165.00mm x 20.00mm)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Writable Memory: 128b (EPC)
Standards: ISO 18000-6, EPC
Technology: Passive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: Read/Write
на замовлення 94765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+701.58 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22E N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22E
Виробник: onsemi
Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22ET N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22ET
Виробник: onsemi
Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830HAT22E N01S830HA-D.PDF
N01S830HAT22E
Виробник: onsemi
Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830HAT22ET N01S830HA-D.PDF
N01S830HAT22ET
Виробник: onsemi
Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL048N60S5H NTBL048N60S5H-D.PDF
NTBL048N60S5H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5.6mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5277 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVTH574MTC ONSM-S-A0003546531-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVTH574MTC
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 18169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
617+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVTH574MTCX ONSM-S-A0003546531-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVTH574MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 150 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
337+66.78 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS365AD sn74ls365a
SN74LS365AD
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.25V 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Bits per Element: 6
Current - Output High, Low: 2.6mA, 24mA
Supplier Device Package: 16-SOIC
на замовлення 13269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+74.28 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S-D.PDF
UJ3C065080K3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 42223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+750.89 грн
30+432.39 грн
120+368.58 грн
510+324.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S DS_UF3C065040K4S.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+934.31 грн
30+737.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3-D.PDF
UF3C065030B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+930.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030B3 UF3C065030B3-D.PDF
UF3C065030B3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1683.63 грн
10+1172.26 грн
100+1096.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S uf3c065030t3s-d.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1258.02 грн
50+991.41 грн
100+991.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S-D.PDF
UJ3C065030K3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1771.42 грн
30+1089.63 грн
120+954.92 грн
510+889.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030K4S DS_UF3C065030K4S.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1280.75 грн
30+989.32 грн
120+780.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S-D.PDF
UJ3C120040K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2277.77 грн
30+1445.01 грн
120+1428.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MM74C927N MM74C925-28.pdf
MM74C927N
Виробник: onsemi
Description: IC DRVR 7 SEGMENT 4 DIGIT 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Display Type: LED
Mounting Type: Through Hole
Interface: BCD
Configuration: 7 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 6V
Digits or Characters: 4 Digits
Supplier Device Package: 18-PDIP
Current - Supply: 20 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DTVLT3G nv25080lv-d.pdf
NV25080DTVLT3G
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: SPI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DTVLT3G nv25080lv-d.pdf
NV25080DTVLT3G
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 4ms
Memory Interface: SPI
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 1K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT161DR2G mc74ac161-d.pdf
MC74ACT161DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC BINARY COUNTER 4-BIT 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive Edge
Timing: Synchronous
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply: 4.5 V ~ 5.5 V
Count Rate: 125 MHz
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 19658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2589.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL080N60S5H NTBL080N60S5H-D.PDF
NTBL080N60S5H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWERNCHANNEL, SUPERFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 3.3mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3127 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT080N60S5 NTMT080N60S5-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3029 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJH1101 fjh1101-d.pdf
FJH1101
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 15V 150MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 pA @ 15 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1207.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC10EPT20DTG mc10ept20-d.pdf
MC10EPT20DTG
Виробник: onsemi
Description: IC XLTR MS UNIDIR 8-TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: LVPECL
Translator Type: Mixed Signal
Channels per Circuit: 1
Input Signal: LVCMOS, LVTTL
Number of Circuits: 1
на замовлення 19249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+592.93 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3021VM moc3023m-d.pdf
MOC3021VM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 15mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.43 грн
10+37.59 грн
100+27.51 грн
500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT9P401I12STC-DP
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE CMOS 5MP 48LCC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT9P401I12STC-DR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE CMOS 5MP 48LCC
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM7912CT LM79xx_Rev2011.pdf
LM7912CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR -12V 1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Negative
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): -35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): -12V
PSRR: 60dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S-D.PDF
UJ3N065025K3S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1386.57 грн
30+933.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S-D.PDF
UJ3C065030T3S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1594.28 грн
50+930.51 грн
100+911.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX08DTR2G-Q mc74lvx08-d.pdf
MC74LVX08DTR2G-Q
Виробник: onsemi
Description: LOG CMOS GATE AND QUAD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 2.4V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX08DTR2G-Q mc74lvx08-d.pdf
MC74LVX08DTR2G-Q
Виробник: onsemi
Description: LOG CMOS GATE AND QUAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 2.4V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.79 грн
10+33.66 грн
25+27.81 грн
100+19.84 грн
250+16.77 грн
500+14.88 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA33CAT3G
Виробник: onsemi
Description: 400 W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESS
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 190pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: SMA
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 81123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
757+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB33CAT3G 1SMB10CAT3-D.pdf
1SMB33CAT3G
Виробник: onsemi
Description: ZEN SMB TVS CLP 600W 33V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICTE-010
ICTE-010
Виробник: onsemi
Description: DIODE TVS SINGLE UNI-DIR 10V 1.5
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
807+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP362CMUTBG ncp362-d.pdf
NCP362CMUTBG
Виробник: onsemi
Description: IC OCP TVS ESD USB POS 10-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 20V
Applications: Overvoltage Protection Controller
Supplier Device Package: 10-UDFN (2.5x2)
Current - Supply: 20 µA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP362CMUTBG ncp362-d.pdf
NCP362CMUTBG
Виробник: onsemi
Description: IC OCP TVS ESD USB POS 10-UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 20V
Applications: Overvoltage Protection Controller
Supplier Device Package: 10-UDFN (2.5x2)
Current - Supply: 20 µA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
567+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EMI6316FCTBG emi6316-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: FILTER RC 40 OHMS/7PF ESD SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 15-XFBGA, WLCSP
Size / Dimension: 0.061" L x 0.061" W (1.55mm x 1.55mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: R = 40Ohms, C = 7pF (Total)
Height: 0.020" (0.50mm)
Filter Order: 2nd
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: RC
Resistance - Channel (Ohms): 40
ESD Protection: Yes
Number of Channels: 6
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1095+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085C fgd3245g2-f085-d.pdf
FGB3245G2-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 450V 41A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/5.4µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+90.49 грн
1600+81.29 грн
2400+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3245G2-F085C fgd3245g2-f085-d.pdf
FGB3245G2-F085C
Виробник: onsemi
Description: IGBT 450V 41A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/5.4µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV si3443dv-d.pdf
SI3443DV
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1GT126MU3TCG mc74vhc1g126-d.pdf
MC74VHC1GT126MU3TCG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF 1.65V 6-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1x1)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
34+9.06 грн
38+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC100LVEL33DTG mc100lvel33-d.pdf
MC100LVEL33DTG
Виробник: onsemi
Description: IC DIVIDER BY 4 1-BIT 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Divide-by-4
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Trigger Type: Positive, Negative
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.8 V
Count Rate: 4 GHz
Number of Bits per Element: 2
на замовлення 27641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+630.95 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G nss30100l-d.pdf
NSV30100LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G nss30100l-d.pdf
NSV30100LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 710 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT9M413C36STM-DR MT9M413_DS.pdf
MT9M413C36STM-DR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 280-PGA
Frames per Second: 500.0
Supplier Device Package: 280-PGA
Active Pixel Array: 1280H x 1024V
Pixel Size: 12µm x 12µm
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -5°C ~ 60°C
Type: CMOS
Package / Case: 280-PGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G mun5338-d.pdf
NSVMUN5338DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.03 грн
29+10.57 грн
100+6.59 грн
500+4.55 грн
1000+4.02 грн
2000+3.57 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1216 1217 1218 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1452 1694 1936 2178 2420 2427  [ Наступна Сторінка >> ]