Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147488) > Сторінка 1944 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NGTB25N120SWG NGTB25N120SWG ONSEMI 1955110.pdf Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN FDC655BN ONSEMI 2284254.pdf Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.57 грн
500+15.23 грн
1000+12.63 грн
5000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WG NGTB50N120FL2WG ONSEMI 2354461.pdf Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WG NGTB40N65FL2WG ONSEMI 2354505.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WG NGTB40N65IHL2WG ONSEMI NGTB40N65IHL2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2WG ONSEMI NGTB30N65IHL2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WG NGTB50N65FL2WG ONSEMI NGTB50N65FL2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WG NGTB35N60FL2WG ONSEMI 2354501.pdf Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWG NGTB40N135IHRWG ONSEMI 1794435.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FG NGTB10N60FG ONSEMI 2578351.pdf Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2WG ONSEMI NGTB50N60L2W-D.PDF Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE S1JHE ONSEMI 2572317.pdf Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.40 грн
42+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE S1JHE ONSEMI 2572317.pdf Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1JFL S1JFL ONSEMI 2724426.pdf Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1
Sperrverzögerungszeit: 2
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880 FDP8880 ONSEMI 2277990.pdf Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.22 грн
27+31.40 грн
100+22.32 грн
500+15.08 грн
1000+11.71 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F FDB20N50F ONSEMI 2729321.pdf Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.63 грн
10+224.01 грн
100+159.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G. NCP1607BDR2G. ONSEMI 2355054.pdf Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S ONSEMI da008640 Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.26 грн
5+1187.51 грн
10+1061.77 грн
50+869.16 грн
100+786.60 грн
250+770.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B10LT1G BZX84B10LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.82 грн
45+18.74 грн
100+10.24 грн
500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N6388G 2N6388G ONSEMI ONSM-S-A0014467244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.09 грн
16+54.30 грн
100+43.30 грн
500+33.25 грн
1000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP32P5X NC7SP32P5X ONSEMI 2729162.pdf Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP133G NCP1012AP133G ONSEMI NCP1010-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 ONSEMI 2859336.pdf Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 FCB290N80 ONSEMI 2859336.pdf Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G BZX84B15LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+14.57 грн
99+8.49 грн
215+3.89 грн
500+3.39 грн
1500+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G BZX84B15LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.18 грн
1000+3.23 грн
3000+3.17 грн
6000+3.10 грн
12000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G BZX84B9V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.33 грн
114+7.31 грн
269+3.10 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G BZX84B9V1LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12LT1G BZX84B12LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.07 грн
86+9.74 грн
193+4.33 грн
500+3.09 грн
1000+2.07 грн
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NCV891330PD50R2G NCV891330PD50R2G ONSEMI NCV891330-D.PDF Description: ONSEMI - NCV891330PD50R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 5V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL37WZ17USG NL37WZ17USG ONSEMI 1818214.pdf Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL37WZ17USG NL37WZ17USG ONSEMI 1818214.pdf Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 CAT5113VI-01-GT3 ONSEMI 1750550.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.37 грн
10+286.47 грн
25+246.50 грн
50+205.69 грн
100+156.32 грн
250+139.19 грн
500+136.33 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 CAT5113VI-01-GT3 ONSEMI 1750550.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.76 грн
250+134.19 грн
500+132.05 грн
1000+131.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCL31010GEVK NCL31010GEVK ONSEMI evbum2824-d.pdf Description: ONSEMI - NCL31010GEVK - Evaluationskit, NCL31010, synchron Buck, analog, PWM, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: NCL31010REFGEVB: intelligentes LED-Treiber-Referenzdesign, PoE-Schnittstelle, NCL31010AASGEVB: Shield, Kabel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: NCL31010
Eingangsspannung, max.: -
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Synchron-Abwärtswandler
Eingangsspannung, min.: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16459.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZ FDP5N50NZ ONSEMI 2729258.pdf Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.25 грн
10+110.76 грн
100+86.61 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50FT FDPF5N50FT ONSEMI ONSM-S-A0003584099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU ONSEMI FDPF8N50NZU-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZ FDP8N50NZ ONSEMI FDPF8N50NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ ONSEMI FDPF8N50NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3 HUF75852G3 ONSEMI HUF75852G3-D.pdf Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. FDB7030BL. ONSEMI 2572500.pdf Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. FDB7030BL. ONSEMI 2572500.pdf Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DFT2G NL17SZ16DFT2G ONSEMI 2354014.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 65456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.15 грн
43+19.82 грн
106+7.86 грн
500+5.42 грн
1000+3.26 грн
5000+2.79 грн
10000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16XV5T2G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16DBVT1G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV553SQ30T1G NCV553SQ30T1G ONSEMI NCP553-D.PDF Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114BSN300T1G NCV8114BSN300T1G ONSEMI NCV8114-D.PDF Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115YI-50-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.06 грн
250+119.92 грн
500+117.78 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.49 грн
10+149.06 грн
25+146.57 грн
50+133.78 грн
100+122.06 грн
250+119.92 грн
500+117.78 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 ONSEMI 2850010.pdf Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5060 RHRG5060 ONSEMI 1863521.pdf Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.97 грн
10+251.49 грн
100+174.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18DBVT1G ONSEMI NL7SZ18-D.PDF Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX138DR2G NLV74LCX138DR2G ONSEMI MC74LCX138-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19L6X ONSEMI NC7SV19-D.pdf Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. ONSEMI SGF23N60UF-D.pdf Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX FSAL200QSCX ONSEMI 2299862.pdf Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.59 грн
10+94.93 грн
100+74.62 грн
500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 55104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.48 грн
50+30.65 грн
100+21.32 грн
500+15.54 грн
1500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWG 1955110.pdf
NGTB25N120SWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN 2284254.pdf
FDC655BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC655BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 60666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.57 грн
500+15.23 грн
1000+12.63 грн
5000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N120FL2WG 2354461.pdf
NGTB50N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N120FL2WG - IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65FL2WG 2354505.pdf
NGTB40N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65FL2WG - IGBT, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 366
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N65IHL2WG NGTB40N65IHL2W-D.PDF
NGTB40N65IHL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N65IHL2WG - IGBT, 650V 40A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WG NGTB30N65IHL2W-D.PDF
NGTB30N65IHL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N65FL2WG NGTB50N65FL2W-D.PDF
NGTB50N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WG - IGBT, 650V 50A FS2 SOLAR/UPS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WG 2354501.pdf
NGTB35N60FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N135IHRWG 1794435.pdf
NGTB40N135IHRWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N135IHRWG - IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 394
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB10N60FG 2578351.pdf
NGTB10N60FG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB10N60FG - IGBT, 20 A, 1.5 V, 40 W, 600 V, SC-67, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 40
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
Bauform - Transistor: SC-67
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB50N60L2WG NGTB50N60L2W-D.PDF
NGTB50N60L2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB50N60L2WG - IGBT, 600V, 100A, 175°C, 500W, TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE 2572317.pdf
S1JHE
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.40 грн
42+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
S1JHE 2572317.pdf
S1JHE
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JHE - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 782 ns, 20 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323HE
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 782ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S1JFL 2724426.pdf
S1JFL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S1JFL - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 2 µs, 30 A
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1
Sperrverzögerungszeit: 2
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8880 2277990.pdf
FDP8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0116 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 54
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0116
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
FDN352AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.22 грн
27+31.40 грн
100+22.32 грн
500+15.08 грн
1000+11.71 грн
5000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDB20N50F 2729321.pdf
FDB20N50F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+300.63 грн
10+224.01 грн
100+159.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1607BDR2G. 2355054.pdf
NCP1607BDR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1607BDR2G. - IC, PFC-Controller, Leistungsfaktor Eins, -300mV-20V & 2.1mA Versorgung, -300mV Abschaltung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 70kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -300mV
euEccn: NLR
Frequenzmodus: -
PFC-Betriebsmodus: CrCM - Critical Conduction Mode
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Spannung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1313.26 грн
5+1187.51 грн
10+1061.77 грн
50+869.16 грн
100+786.60 грн
250+770.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B10LT1G 2236792.pdf
BZX84B10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B10LT1G - Zener-Diode, 10 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.82 грн
45+18.74 грн
100+10.24 грн
500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2N6388G ONSM-S-A0014467244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N6388G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.09 грн
16+54.30 грн
100+43.30 грн
500+33.25 грн
1000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP32P5X 2729162.pdf
NC7SP32P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP32P5X - OR-Gatter, NC7SP32, 2 Eingänge, 2.6mA, 0.9V bis 3.6V, TinyLogic, äußerst energiesparend, SC70-5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP133G NCP1010-D.PDF
NCP1012AP133G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP133G - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 2859336.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB290N80 2859336.pdf
FCB290N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB290N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.259 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 17
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 212
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.259
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.259
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B15LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.57 грн
99+8.49 грн
215+3.89 грн
500+3.39 грн
1500+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B15LT1G 2236792.pdf
BZX84B15LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.18 грн
1000+3.23 грн
3000+3.17 грн
6000+3.10 грн
12000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B9V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.33 грн
114+7.31 грн
269+3.10 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B9V1LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84B9V1LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B9V1LT1G - Zener-Diode, 9.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12LT1G 2236792.pdf
BZX84B12LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B12LT1G - Zener-Diode, 12 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+16.07 грн
86+9.74 грн
193+4.33 грн
500+3.09 грн
1000+2.07 грн
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
NCV891330PD50R2G NCV891330-D.PDF
NCV891330PD50R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV891330PD50R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 5V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL37WZ17USG 1818214.pdf
NL37WZ17USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: 37WZ
Bauform - Logikbaustein: US8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL37WZ17USG 1818214.pdf
NL37WZ17USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL37WZ17USG - Puffer, 1.65V bis 5.5V, US8-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 1750550.pdf
CAT5113VI-01-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+436.37 грн
10+286.47 грн
25+246.50 грн
50+205.69 грн
100+156.32 грн
250+139.19 грн
500+136.33 грн
1000+133.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 1750550.pdf
CAT5113VI-01-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+147.76 грн
250+134.19 грн
500+132.05 грн
1000+131.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCL31010GEVK evbum2824-d.pdf
NCL31010GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31010GEVK - Evaluationskit, NCL31010, synchron Buck, analog, PWM, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: NCL31010REFGEVB: intelligentes LED-Treiber-Referenzdesign, PoE-Schnittstelle, NCL31010AASGEVB: Shield, Kabel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: NCL31010
Eingangsspannung, max.: -
Dimmsteuerung: Analog, PWM
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Synchron-Abwärtswandler
Eingangsspannung, min.: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16459.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZ 2729258.pdf
FDP5N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.25 грн
10+110.76 грн
100+86.61 грн
500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50FT ONSM-S-A0003584099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF5N50FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU-D.pdf
FDPF8N50NZU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZ FDPF8N50NZ-D.pdf
FDP8N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ-D.pdf
FDPF8N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3 HUF75852G3-D.pdf
HUF75852G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. 2572500.pdf
FDB7030BL.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. 2572500.pdf
FDB7030BL.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DFT2G 2354014.pdf
NL17SZ16DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 65456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.15 грн
43+19.82 грн
106+7.86 грн
500+5.42 грн
1000+3.26 грн
5000+2.79 грн
10000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16XV5T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV553SQ30T1G NCP553-D.PDF
NCV553SQ30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114BSN300T1G NCV8114-D.PDF
NCV8114BSN300T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115YI-50-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.06 грн
250+119.92 грн
500+117.78 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: No
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.49 грн
10+149.06 грн
25+146.57 грн
50+133.78 грн
100+122.06 грн
250+119.92 грн
500+117.78 грн
1000+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 2850010.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5060 1863521.pdf
RHRG5060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.97 грн
10+251.49 грн
100+174.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18-D.PDF
NL7SZ18DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX138DR2G MC74LCX138-D.PDF
NLV74LCX138DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19-D.pdf
NC7SV19L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. SGF23N60UF-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX 2299862.pdf
FSAL200QSCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.59 грн
10+94.93 грн
100+74.62 грн
500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P 2304102.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 55104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.48 грн
50+30.65 грн
100+21.32 грн
500+15.54 грн
1500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1939 1940 1941 1942 1943 1944 1945 1946 1947 1948 1949 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]