Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146003) > Сторінка 2430 з 2434

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2425 2426 2427 2428 2429 2430 2431 2432 2433 2434  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NC7SZ157P6X NC7SZ157P6X ONSEMI NC7SZ157.pdf Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; multiplexer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC70-6; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Case: SC70-6
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
Kind of integrated circuit: multiplexer; non-inverting
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
125+3.65 грн
132+3.22 грн
144+2.95 грн
152+2.80 грн
157+2.71 грн
250+2.58 грн
500+2.46 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D RS1D ONSEMI RS1x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.19W
на замовлення 6409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.62 грн
36+12.05 грн
39+11.11 грн
50+9.08 грн
100+8.48 грн
250+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DFA RS1DFA ONSEMI rs1afa-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 0.8A; 150ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502W ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504 ONSEMI GBPCxx.PDF Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222M3T5G DAN222M3T5G ONSEMI DAN222M3.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SOT723; Ufmax: 1.2V; 260mW
Capacitance: 3.5pF
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.26W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 0.1mA
Case: SOT723
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
220+2.08 грн
278+1.53 грн
295+1.44 грн
313+1.36 грн
500+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222T1G DAN222T1G ONSEMI DAN222.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.15W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SC75
Capacitance: 3.5pF
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.14 грн
70+6.11 грн
100+4.28 грн
116+3.67 грн
500+2.66 грн
1000+2.30 грн
1500+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222G ONSEMI DAN222-D.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SOT416; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: small signal
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT416
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742G MJE5742G ONSEMI MJE5742G.PDF Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 400V; 8A; 2W; TO220AB
Power dissipation: 2W
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.41 грн
6+80.60 грн
10+76.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X NC7SP125P5X ONSEMI NC7SP125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70-5; 0.9uA
Case: SC70-5
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 0.9µA
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXWA9306L8X ONSEMI FXWA9306L8X.pdf Category: Level translators
Description: IC: digital; 3-state,logic level voltage translator; Ch: 2; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 1...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: MicorPAK8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 2
Number of outputs: 2
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
Kind of output: open drain
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC NTP011N15MC ONSEMI ntp011n15mc-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74.3A; Idm: 374A; 136.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 136.4W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 374A
Gate charge: 37nC
Drain current: 74.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS ONSEMI fdmc0310as-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31C TIP31C ONSEMI TIP31A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJL4315OTU ONSEMI fjl4315-d.pdf FAIR-S-A0002366066-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 17A; 150W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: TO264
Current gain: 55...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4005T1G MRA4005T1G ONSEMI mra4003t3-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; SMA; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV4109V-GT2 CAV4109V-GT2 ONSEMI CAT4109-D.PDF Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO16; 175mA; Ch: 3; 3÷5.5VDC; Iout max: 200mA
Application: automotive industry
Supply voltage: 3...5.5V DC
Maximum output current: 200mA
Output current: 0.175A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO16
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 3
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1M RGF1M ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.15 грн
19+23.42 грн
22+19.85 грн
100+10.86 грн
500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1D RGF1D ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1A RGF1A ONSEMI FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1B RGF1B ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1J RGF1J ONSEMI ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1K RGF1K ONSEMI RGF1M-D.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; reel,tape
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVRGF1D NRVRGF1D ONSEMI rgf1m-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVRGF1J NRVRGF1J ONSEMI rgf1m-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVRGF1M NRVRGF1M ONSEMI rgf1m-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.27µC
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+859.76 грн
5+671.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
 FCH47N60F-F133 ONSEMI FCH47N60F-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+843.31 грн
10+693.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60 ONSEMI FCA47N60-F109-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.27µC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+956.60 грн
10+761.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCP7N60 ONSEMI FCPF7N60-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 ONSEMI FCI7N60-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 ONSEMI FCA47N60.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.27µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ86USG ONSEMI nl27wz86-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 2; IN: 2; SMD; US8; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: dual; 2
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: US8
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6001A-TL-E ONSEMI CPH6001A-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.1A; 0.8W; CPH6
Mounting: SMD
Case: CPH6
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6003A-TL-E ONSEMI CPH6003A-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.15A; 0.8W; CPH6
Mounting: SMD
Case: CPH6
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Frequency: 7GHz
Collector current: 0.15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C2V7-T50A ONSEMI BZX79C.PDF Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; CASE017AG; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: BZX79C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTAG ONSEMI mbr8170tfs-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.89V
Max. forward impulse current: 140A
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSTAG ONSEMI NRVTS360TFS-D.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 60V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.9V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11AV1AM H11AV1AM ONSEMI H11AV1AM.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Mounting: THT
Insulation voltage: 4.17kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 15µs
Case: DIP6
Turn-off time: 15µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 100-300%@10mA
Kind of output: transistor
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.03 грн
16+27.74 грн
50+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300ATR FDH300ATR ONSEMI FDH300-D.PDF fdh300-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.05 грн
73+5.85 грн
110+3.89 грн
500+2.95 грн
1000+2.62 грн
2000+2.36 грн
2500+2.28 грн
5000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300A FDH300A ONSEMI FDH300-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; bulk
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: bulk
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.05 грн
81+5.26 грн
93+4.58 грн
123+3.46 грн
500+2.79 грн
1000+2.53 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300TR ONSEMI FDH300-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333 FDH333 ONSEMI FDH300-D.PDF fdh300-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; Ifsm: 1A; DO35; bulk; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.15V
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.6A
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 6pF
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.14 грн
66+6.45 грн
100+4.73 грн
500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333TR ONSEMI FDH300-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 14369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.84 грн
27+15.95 грн
31+13.91 грн
50+10.18 грн
100+8.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.36 грн
1500+6.02 грн
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR4501NT1G NVR4501NT1G ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.60 грн
16+26.81 грн
100+17.39 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ4708T1G SZMMSZ4708T1G ONSEMI MMSZ4xxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 22V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP110 TIP110 ONSEMI TIP110.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4684T1G MMSZ4684T1G ONSEMI MMSZ4xxxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Zener voltage: 3.3V
Type of diode: Zener
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.05 грн
66+6.45 грн
84+5.09 грн
101+4.21 грн
122+3.50 грн
250+2.80 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G00DTT1GMC74VHC1G00DTT1G
MC74VHC1G00DTT1GMC74VHC1G00DTT1G
 MC74VHC1G00DTT1G ONSEMI mc74vhc1g00-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: VHC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+11.33 грн
50+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3 HUF76423P3 ONSEMI HUF76423P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 85W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 35mΩ
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.75 грн
10+84.84 грн
50+68.72 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1G 2V7002LT1G ONSEMI 2N7002L-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+21.01 грн
29+14.93 грн
33+13.07 грн
50+9.25 грн
100+7.90 грн
500+5.42 грн
1000+4.57 грн
1500+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A NDS7002A ONSEMI NDS7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.45 грн
39+10.94 грн
54+7.96 грн
100+7.01 грн
500+5.41 грн
1000+4.75 грн
3000+3.92 грн
6000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
14+30.37 грн
16+26.81 грн
100+15.95 грн
200+13.74 грн
500+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 ONSEMI FCPF600N65S3R0L-F154-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 24W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 24W
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154 FCPF600N60ZL1-F154 ONSEMI FCPF600N60ZL1-F154-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF600N80S3Z NTPF600N80S3Z ONSEMI ntpf600n80s3z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 21A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68/-0.46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.68 грн
12+37.58 грн
25+33.43 грн
50+29.61 грн
100+25.88 грн
500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ157P6X NC7SZ157.pdf
NC7SZ157P6X
Виробник: ONSEMI
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; multiplexer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC70-6; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Case: SC70-6
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Quiescent current: 10µA
Kind of integrated circuit: multiplexer; non-inverting
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+3.65 грн
132+3.22 грн
144+2.95 грн
152+2.80 грн
157+2.71 грн
250+2.58 грн
500+2.46 грн
1000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D RS1x.pdf
RS1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.19W
на замовлення 6409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.62 грн
36+12.05 грн
39+11.11 грн
50+9.08 грн
100+8.48 грн
250+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DFA rs1afa-d.pdf
RS1DFA
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 0.8A; 150ns; SOD123F; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502W GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC-W
Electrical mounting: THT
Leads: wire Ø 1.0mm
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504 GBPCxx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Square single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; Ufmax: 1.1V; If: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Version: square
Case: GBPC
Electrical mounting: THT
Leads: connectors FASTON
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222M3T5G DAN222M3.PDF
DAN222M3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SOT723; Ufmax: 1.2V; 260mW
Capacitance: 3.5pF
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.26W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 0.1mA
Case: SOT723
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+2.08 грн
278+1.53 грн
295+1.44 грн
313+1.36 грн
500+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222T1G DAN222.PDF
DAN222T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 2A
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.15W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Max. load current: 0.3A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SC75
Capacitance: 3.5pF
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 4ns
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.14 грн
70+6.11 грн
100+4.28 грн
116+3.67 грн
500+2.66 грн
1000+2.30 грн
1500+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DAN222G DAN222-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 80V; 0.1A; 4ns; SOT416; Ufmax: 1.2V; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: small signal
Max. off-state voltage: 80V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT416
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE5742G MJE5742G.PDF
MJE5742G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 400V; 8A; 2W; TO220AB
Power dissipation: 2W
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector current: 8A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.41 грн
6+80.60 грн
10+76.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X NC7SP125.pdf
NC7SP125P5X
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70-5; 0.9uA
Case: SC70-5
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...85°C
Technology: CMOS
Quiescent current: 0.9µA
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXWA9306L8X FXWA9306L8X.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; 3-state,logic level voltage translator; Ch: 2; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Supply voltage: 1...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: MicorPAK8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 2
Number of outputs: 2
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
Kind of output: open drain
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTP011N15MC ntp011n15mc-d.pdf
NTP011N15MC
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74.3A; Idm: 374A; 136.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 136.4W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 374A
Gate charge: 37nC
Drain current: 74.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC0310AS fdmc0310as-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP31C TIP31A.pdf
TIP31C
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Power dissipation: 40W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FJL4315OTU fjl4315-d.pdf FAIR-S-A0002366066-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 17A; 150W; TO264
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: TO264
Current gain: 55...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRA4005T1G mra4003t3-d.pdf
MRA4005T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; SMA; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAV4109V-GT2 CAT4109-D.PDF
CAV4109V-GT2
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO16; 175mA; Ch: 3; 3÷5.5VDC; Iout max: 200mA
Application: automotive industry
Supply voltage: 3...5.5V DC
Maximum output current: 200mA
Output current: 0.175A
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Case: SO16
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 3
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1M ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.15 грн
19+23.42 грн
22+19.85 грн
100+10.86 грн
500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1D ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1A FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1B ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0002364047-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1J ONSM-S-A0003589565-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RGF1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Capacitance: 8.5pF
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1K RGF1M-D.PDF
RGF1K
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; reel,tape
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVRGF1D rgf1m-d.pdf
NRVRGF1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVRGF1J rgf1m-d.pdf
NRVRGF1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVRGF1M rgf1m-d.pdf
NRVRGF1M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1000V; 1A; 500ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Reverse recovery time: 0.5µs
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Power dissipation: 1.76W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.27µC
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+859.76 грн
5+671.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-D.PDF
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
FCH47N60F-F133FCH47N60F-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+843.31 грн
10+693.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60 FCA47N60-F109-D.PDF
FCA47N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.27µC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+956.60 грн
10+761.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP7N60 FCPF7N60-D.pdf
FCP7N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCI7N60 FCI7N60-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 83W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 83W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 21A
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60.PDF
FCA47N60-F109
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29.7A; Idm: 141A; 417W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29.7A
Power dissipation: 417W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.27µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 141A
Gate charge: 0.21µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ86USG nl27wz86-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 2; IN: 2; SMD; US8; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C; 10uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: dual; 2
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: US8
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6001A-TL-E CPH6001A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.1A; 0.8W; CPH6
Mounting: SMD
Case: CPH6
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6003A-TL-E CPH6003A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.15A; 0.8W; CPH6
Mounting: SMD
Case: CPH6
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Frequency: 7GHz
Collector current: 0.15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C2V7-T50A BZX79C.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.7V; CASE017AG; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.7V
Case: CASE017AG
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Manufacturer series: BZX79C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR8170TFSTAG mbr8170tfs-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.89V
Max. forward impulse current: 140A
Leakage current: 30µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS360ETFSTAG NRVTS360TFS-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 60V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.9V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11AV1AM H11AV1AM.pdf
H11AV1AM
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 4.17kV; Uce: 70V
Mounting: THT
Insulation voltage: 4.17kV
Max. off-state voltage: 6V
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 15µs
Case: DIP6
Turn-off time: 15µs
Number of channels: 1
Collector-emitter voltage: 70V
CTR@If: 100-300%@10mA
Kind of output: transistor
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.03 грн
16+27.74 грн
50+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300ATR FDH300-D.PDF fdh300-d.pdf
FDH300ATR
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.05 грн
73+5.85 грн
110+3.89 грн
500+2.95 грн
1000+2.62 грн
2000+2.36 грн
2500+2.28 грн
5000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300A FDH300-D.PDF
FDH300A
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; bulk
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: bulk
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.05 грн
81+5.26 грн
93+4.58 грн
123+3.46 грн
500+2.79 грн
1000+2.53 грн
2000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH300TR FDH300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333 FDH300-D.PDF fdh300-d.pdf
FDH333
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.2A; Ifsm: 1A; DO35; bulk; Ufmax: 1.15V
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 1A
Case: DO35
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.15V
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.6A
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 6pF
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.14 грн
66+6.45 грн
100+4.73 грн
500+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDH333TR FDH300-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 125V; 0.5A; Ifsm: 4A; DO35; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 125V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward impulse current: 4A
Case: DO35
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G NxR4501N.PDF
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 14369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.84 грн
27+15.95 грн
31+13.91 грн
50+10.18 грн
100+8.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.36 грн
1500+6.02 грн
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVR4501NT1G NxR4501N.PDF
NVR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.60 грн
16+26.81 грн
100+17.39 грн
500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ4708T1G MMSZ4xxxT1G.PDF
SZMMSZ4708T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 22V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP110 TIP110.pdf
TIP110
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ4684T1G MMSZ4xxxT1G.PDF
MMSZ4684T1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.3V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Manufacturer series: MMSZ4xxTxG
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Zener voltage: 3.3V
Type of diode: Zener
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.05 грн
66+6.45 грн
84+5.09 грн
101+4.21 грн
122+3.50 грн
250+2.80 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G00DTT1G mc74vhc1g00-d.pdf
MC74VHC1G00DTT1GMC74VHC1G00DTT1G
MC74VHC1G00DTT1GMC74VHC1G00DTT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; TSOP5; 2÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Supply voltage: 2...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Family: VHC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+11.33 грн
50+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76423P3 HUF76423P3.pdf
HUF76423P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 85W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 35mΩ
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+150.75 грн
10+84.84 грн
50+68.72 грн
100+61.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2V7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+21.01 грн
29+14.93 грн
33+13.07 грн
50+9.25 грн
100+7.90 грн
500+5.42 грн
1000+4.57 грн
1500+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A NDS7002A.pdf
NDS7002A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.45 грн
39+10.94 грн
54+7.96 грн
100+7.01 грн
500+5.41 грн
1000+4.75 грн
3000+3.92 грн
6000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.29 грн
14+30.37 грн
16+26.81 грн
100+15.95 грн
200+13.74 грн
500+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF600N65S3R0L-F154
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 24W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 24W
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154 FCPF600N60ZL1-F154-D.PDF
FCPF600N60ZL1-F154
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF600N80S3Z ntpf600n80s3z-d.pdf
NTPF600N80S3Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 21A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C.pdf
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 2.3/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.68/-0.46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.68 грн
12+37.58 грн
25+33.43 грн
50+29.61 грн
100+25.88 грн
500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1215 1458 1701 1944 2187 2425 2426 2427 2428 2429 2430 2431 2432 2433 2434  [ Наступна Сторінка >> ]