Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147256) > Сторінка 2438 з 2455

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2V7002LT1G 2V7002LT1G ONSEMI 2N7002L-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.67 грн
29+14.69 грн
33+12.85 грн
50+9.10 грн
100+7.77 грн
500+5.33 грн
1000+4.50 грн
1500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.4W
Technology: DMOS
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.25 грн
18+24.53 грн
20+21.94 грн
50+16.02 грн
93+10.35 грн
254+9.76 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 ONSEMI FCPF600N65S3R0L-F154-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 24W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 24W
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154 FCPF600N60ZL1-F154 ONSEMI FCPF600N60ZL1-F154-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF600N80S3Z NTPF600N80S3Z ONSEMI ntpf600n80s3z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 21A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C ONSEMI FDC6321C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.90 грн
14+31.46 грн
25+28.20 грн
50+25.78 грн
100+23.53 грн
250+20.44 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI FDC6303N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.52 грн
17+25.37 грн
50+20.44 грн
100+18.52 грн
500+14.35 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI FDC638APZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.00 грн
12+37.05 грн
50+26.62 грн
100+23.03 грн
500+16.35 грн
1000+14.10 грн
1500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P ONSEMI FDC604P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.22 грн
16+27.37 грн
25+24.78 грн
50+22.86 грн
100+20.94 грн
250+18.36 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI FDC608PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.31 грн
25+17.02 грн
100+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P ONSEMI FDC658P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.96 грн
7+62.91 грн
10+53.99 грн
50+38.05 грн
100+33.38 грн
500+26.28 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N FDC653N ONSEMI FDC653N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.47 грн
8+57.74 грн
10+48.81 грн
50+33.46 грн
100+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI FDC606P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 53mΩ
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.77 грн
8+57.24 грн
10+49.40 грн
27+35.80 грн
50+35.13 грн
74+33.88 грн
100+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.38 грн
8+57.57 грн
10+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI FDC638P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.79 грн
8+52.73 грн
10+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ ONSEMI FDC610PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.52 грн
17+24.62 грн
50+20.69 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P ONSEMI FDC602P-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.19 грн
9+48.23 грн
11+41.55 грн
50+29.70 грн
100+26.03 грн
500+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI FDC637AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.80 грн
11+38.63 грн
100+26.20 грн
500+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI FDC637BNZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.52 грн
13+33.21 грн
15+28.79 грн
100+18.02 грн
500+13.18 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G NRVHP820MFDT1G ONSEMI nhp820mfd-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; 50ns; DFN8; Ufmax: 1.05V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Case: DFN8
Max. forward voltage: 1.05V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT3G NRVHP820MFDT3G ONSEMI nhp820mfd-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; 50ns; DFN8; Ufmax: 1.05V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Case: DFN8
Max. forward voltage: 1.05V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A FFSD08120A ONSEMI ffsd08120a-d.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3 FCB099N65S3 ONSEMI FCB099N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3 FCB199N65S3 ONSEMI FCB199N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 35A; 98W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 98W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 35A
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH099N65S3-F155 FCH099N65S3-F155 ONSEMI FCH099N65S3-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 NVB099N65S3 ONSEMI nvb099n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 ONSEMI FCPF099N65S3-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT099N65S3 ONSEMI FCMT099N65S3-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H848NLT1G ONSEMI ntmfs6h848nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12LT1G BZX84B12LT1G ONSEMI BZX84B_BZX84C.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 12V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84B
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 12V
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84B
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.88 грн
60+7.01 грн
68+6.17 грн
116+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11N1M H11N1M ONSEMI H11N1M.pdf description Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Schmitt trigger; 4.17kV; DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Schmitt trigger
Insulation voltage: 4.17kV
Case: DIP6
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860 FDP8860 ONSEMI fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.8mΩ
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Gate charge: 222nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992 FDS3992 ONSEMI FDS3992.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 123mΩ
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.75 грн
5+115.15 грн
10+99.29 грн
16+63.42 грн
42+59.24 грн
250+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
Gate charge: 2.3nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.46 грн
25+17.27 грн
50+15.60 грн
100+14.10 грн
500+11.51 грн
1000+10.26 грн
1500+9.35 грн
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50 FDP20N50 ONSEMI FDP20N50F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25128HU4I-GT3 ONSEMI CAT25128-D.pdf Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 128kbEEPROM; SPI; 16kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Mounting: SMD
Access time: 140ns
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 128kb EEPROM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 16kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: uDFN8
Interface: SPI
Operating voltage: 1.8...5.5V
Kind of memory: EEPROM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1215MTDX ONSEMI FIN1217-D.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; 595Mbps; LVTTL; LVDS; SMD; TSSOP48; IN: 21; 3÷3.6V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Data transfer rate: 595Mbps
Technology: LVTTL
Number of inputs: 21
Case: TSSOP48
Interface: LVDS
Supply voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: interface
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B MMSZ5243B ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243BT1G MMSZ5243BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5243BT1G SZMMSZ5243BT1G ONSEMI MMSZ52xxT1G.PDF Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DG LM358DG ONSEMI LM358DG.PDF Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.1MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO8
Slew rate: 0.6V/μs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS199A2RSQT2G ONSEMI ncs199a1r-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier; 60kHz; Ch: 1; 2.2÷26VDC; SC70-6
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Bandwidth: 60kHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.2...26V DC
Case: SC70-6
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Gain: 100V/V
Input offset voltage: 0.15mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 60µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS199A3RSQT2G ONSEMI ncs199a1r-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier; 40kHz; Ch: 1; 2.2÷26VDC; SC70-6
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Bandwidth: 40kHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.2...26V DC
Case: SC70-6
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Gain: 200V/V
Input offset voltage: 0.15mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 60µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CST33T3G NCV4274CST33T3G ONSEMI ncv4274c-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.4A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.4A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CDT50RKG NCV4274CDT50RKG ONSEMI ncv4274c-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CDT33RKG NCV4274CDT33RKG ONSEMI ncv4274c-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.4A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CST50T3G NCV4274CST50T3G ONSEMI ncv4274c-d.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.02 грн
6+79.94 грн
10+70.01 грн
25+38.80 грн
68+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM ONSEMI fqd30n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.37 грн
10+51.40 грн
25+39.38 грн
67+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102 FDP030N06B-F102 ONSEMI fdp030n06b-f102-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B ONSEMI fdms030n06b-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAG ONSEMI nvtfs030n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1G NTMFD030N06CT1G ONSEMI ntmfd030n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAG ONSEMI nttfs030n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G NVMFWD030N06CT1G ONSEMI nvmfd030n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E ONSEMI fcp165n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 69A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 ONSEMI FCP165N65S3-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 47.5A; 154W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 47.5A
Power dissipation: 154W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ02M5X NC7SZ02M5X ONSEMI NC7SZ02-D.PDF Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC74A; 1.65÷5.5VDC; -40÷85°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of gate: NOR
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SC74A
Number of channels: single; 1
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.88 грн
58+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ02DFT2G NLV17SZ02DFT2G ONSEMI nl17sz02-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of gate: NOR
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 10µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SC88A
Number of channels: single; 1
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+14.20 грн
45+10.28 грн
100+8.08 грн
500+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ02DFT2G-Q ONSEMI nl17sz02-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2V7002LT1G 2N7002L-D.PDF
2V7002LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.67 грн
29+14.69 грн
33+12.85 грн
50+9.10 грн
100+7.77 грн
500+5.33 грн
1000+4.50 грн
1500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.4W
Technology: DMOS
на замовлення 9595 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.25 грн
18+24.53 грн
20+21.94 грн
50+16.02 грн
93+10.35 грн
254+9.76 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF600N65S3R0L-F154
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 24W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 24W
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154 FCPF600N60ZL1-F154-D.PDF
FCPF600N60ZL1-F154
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTPF600N80S3Z ntpf600n80s3z-d.pdf
NTPF600N80S3Z
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 21A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C FDC6321C.pdf
FDC6321C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 0.68/-0.46A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 720/1220mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3/1.5nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.90 грн
14+31.46 грн
25+28.20 грн
50+25.78 грн
100+23.53 грн
250+20.44 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N.pdf
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.68A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.3nC
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.52 грн
17+25.37 грн
50+20.44 грн
100+18.52 грн
500+14.35 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ.pdf
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.00 грн
12+37.05 грн
50+26.62 грн
100+23.03 грн
500+16.35 грн
1000+14.10 грн
1500+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P.pdf
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
на замовлення 948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.22 грн
16+27.37 грн
25+24.78 грн
50+22.86 грн
100+20.94 грн
250+18.36 грн
500+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ FDC608PZ.pdf
FDC608PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.31 грн
25+17.02 грн
100+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P FDC658P.pdf
FDC658P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.96 грн
7+62.91 грн
10+53.99 грн
50+38.05 грн
100+33.38 грн
500+26.28 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N FDC653N.pdf
FDC653N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.47 грн
8+57.74 грн
10+48.81 грн
50+33.46 грн
100+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P.pdf
FDC606P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 53mΩ
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.77 грн
8+57.24 грн
10+49.40 грн
27+35.80 грн
50+35.13 грн
74+33.88 грн
100+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
FDC645N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.38 грн
8+57.57 грн
10+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P.pdf
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.79 грн
8+52.73 грн
10+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ FDC610PZ.pdf
FDC610PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.52 грн
17+24.62 грн
50+20.69 грн
100+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P-D.PDF
FDC602P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.19 грн
9+48.23 грн
11+41.55 грн
50+29.70 грн
100+26.03 грн
500+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN.pdf
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.80 грн
11+38.63 грн
100+26.20 грн
500+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.52 грн
13+33.21 грн
15+28.79 грн
100+18.02 грн
500+13.18 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G nhp820mfd-d.pdf
NRVHP820MFDT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; 50ns; DFN8; Ufmax: 1.05V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Case: DFN8
Max. forward voltage: 1.05V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT3G nhp820mfd-d.pdf
NRVHP820MFDT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; 50ns; DFN8; Ufmax: 1.05V; Ifsm: 80A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double independent
Case: DFN8
Max. forward voltage: 1.05V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSD08120A ffsd08120a-d.pdf
FFSD08120A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 22.5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 22.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB099N65S3 FCB099N65S3-D.PDF
FCB099N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCB199N65S3 FCB199N65S3-D.PDF
FCB199N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 35A; 98W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 98W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 35A
Gate charge: 30nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCH099N65S3-F155 FCH099N65S3-D.PDF
FCH099N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 nvb099n65s3-d.pdf
NVB099N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 61nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3-D.PDF
FCPF099N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT099N65S3 FCMT099N65S3-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; PQFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: PQFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 75A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H848NLT1G ntmfs6h848nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59A; Idm: 319A; 37W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 319A
Power dissipation: 37W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12LT1G BZX84B_BZX84C.PDF
BZX84B12LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 12V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape; BZX84B
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 12V
Case: SOT23
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: BZX84B
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.88 грн
60+7.01 грн
68+6.17 грн
116+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
H11N1M description H11N1M.pdf
H11N1M
Виробник: ONSEMI
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: Schmitt trigger; 4.17kV; DIP6
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: Schmitt trigger
Insulation voltage: 4.17kV
Case: DIP6
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8860 fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw cd2a566805c21f3b24b835958e72f586.pdf
FDP8860
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.8mΩ
Pulsed drain current: 556A
Power dissipation: 254W
Gate charge: 222nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3992 FDS3992.pdf
FDS3992
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 123mΩ
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.75 грн
5+115.15 грн
10+99.29 грн
16+63.42 грн
42+59.24 грн
250+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
FDG6303N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
Gate charge: 2.3nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.46 грн
25+17.27 грн
50+15.60 грн
100+14.10 грн
500+11.51 грн
1000+10.26 грн
1500+9.35 грн
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50 FDP20N50F.pdf
FDP20N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25128HU4I-GT3 CAT25128-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Serial EEPROM memories - integ. circ.
Description: IC: EEPROM memory; 128kbEEPROM; SPI; 16kx8bit; 1.8÷5.5V; 20MHz
Mounting: SMD
Access time: 140ns
Type of integrated circuit: EEPROM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 128kb EEPROM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 16kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: uDFN8
Interface: SPI
Operating voltage: 1.8...5.5V
Kind of memory: EEPROM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FIN1215MTDX FIN1217-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; 595Mbps; LVTTL; LVDS; SMD; TSSOP48; IN: 21; 3÷3.6V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Data transfer rate: 595Mbps
Technology: LVTTL
Number of inputs: 21
Case: TSSOP48
Interface: LVDS
Supply voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5243B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
MMSZ5243BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMSZ5243BT1G MMSZ52xxT1G.PDF
SZMMSZ5243BT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 13V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MMSZ52xxB
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358DG LM358DG.PDF
LM358DG
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1.1MHz; Ch: 2; ±1.5÷16VDC,3÷32VDC; SO8
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1.1MHz
Number of channels: dual; 2
Mounting: SMT
Voltage supply range: ± 1.5...16V DC; 3...32V DC
Case: SO8
Slew rate: 0.6V/μs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS199A2RSQT2G ncs199a1r-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier; 60kHz; Ch: 1; 2.2÷26VDC; SC70-6
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Bandwidth: 60kHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.2...26V DC
Case: SC70-6
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Gain: 100V/V
Input offset voltage: 0.15mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 60µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS199A3RSQT2G ncs199a1r-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: instrumentation amplifier; 40kHz; Ch: 1; 2.2÷26VDC; SC70-6
Type of integrated circuit: instrumentation amplifier
Bandwidth: 40kHz
Number of channels: single; 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 2.2...26V DC
Case: SC70-6
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Gain: 200V/V
Input offset voltage: 0.15mV
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 60µA
Input offset current: 100nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CST33T3G ncv4274c-d.pdf
NCV4274CST33T3G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.4A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.4A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CDT50RKG ncv4274c-d.pdf
NCV4274CDT50RKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CDT33RKG ncv4274c-d.pdf
NCV4274CDT33RKG
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.4A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4274CST50T3G ncv4274c-d.pdf
NCV4274CST50T3G
Виробник: ONSEMI
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; SOT223; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.02 грн
6+79.94 грн
10+70.01 грн
25+38.80 грн
68+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM fqd30n06-d.pdf
FQD30N06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.3A; Idm: 90.8A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 90.8A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.37 грн
10+51.40 грн
25+39.38 грн
67+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP030N06B-F102 fdp030n06b-f102-d.pdf
FDP030N06B-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS030N06B fdms030n06b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 104W; Power56
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAG nvtfs030n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD030N06CT1G ntmfd030n06c-d.pdf
NTMFD030N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS030N06CTAG nttfs030n06c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G nvmfd030n06c-d.pdf
NVMFWD030N06CT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 69A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 47.5A; 154W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 47.5A
Power dissipation: 154W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ02M5X NC7SZ02-D.PDF
NC7SZ02M5X
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC74A; 1.65÷5.5VDC; -40÷85°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of gate: NOR
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SC74A
Number of channels: single; 1
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.88 грн
58+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ02DFT2G nl17sz02-d.pdf
NLV17SZ02DFT2G
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of gate: NOR
Type of integrated circuit: digital
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 10µA
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SC88A
Number of channels: single; 1
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+14.20 грн
45+10.28 грн
100+8.08 грн
500+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ02DFT2G-Q nl17sz02-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.