Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145224) > Сторінка 1275 з 2421

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FKPF8N80 onsemi FAIRS43234-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRIAC 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 80A, 88A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1G NVMFD020N10MCLT1G onsemi nvmfd020n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.63 грн
3000+46.33 грн
4500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1G NVMFD020N10MCLT1G onsemi nvmfd020n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
10+102.76 грн
100+70.34 грн
500+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL023N065M3S NTBL023N065M3S onsemi ntbl023n065m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.64 грн
10+731.34 грн
100+559.88 грн
500+513.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3S onsemi ntt2023n065m3s-d.pdf Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+249.03 грн
1600+234.44 грн
2400+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3S onsemi ntt2023n065m3s-d.pdf Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.27 грн
10+313.36 грн
25+289.81 грн
100+247.65 грн
250+236.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3S onsemi nvt2023n065m3s-d.pdf Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+359.27 грн
1600+338.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3S onsemi nvt2023n065m3s-d.pdf Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.90 грн
10+445.28 грн
25+413.45 грн
100+355.18 грн
250+339.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL023N065M3S NVHL023N065M3S onsemi nvhl023n065m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.16 грн
10+697.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L023N065M3S NVH4L023N065M3S onsemi nvh4l023n065m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1261.25 грн
10+867.60 грн
450+678.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTT2023N065M3S onsemi Description: SIC DISCRETES
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C6V2-T50A BZX85C6V2-T50A onsemi FAIRS45281-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±6.45%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5240+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 5240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C6V2-T50A BZX85C6V2-T50A onsemi BZX85C3V3-C56.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 1W DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±6%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV75651DQ001R2G onsemi Description: MOBD (BOHR) DSI3 MASTER FOR OTHE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+98.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV75651DQ001R2G onsemi Description: MOBD (BOHR) DSI3 MASTER FOR OTHE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.42 грн
5+141.80 грн
10+135.36 грн
25+119.68 грн
50+114.70 грн
100+110.11 грн
500+99.23 грн
1000+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74C00M MM74C00M onsemi MM74C00%2C02%2C04.pdf Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 8V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 60ns @ 10V, 50pF
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DM74S32N DM74S32N onsemi DM74S32.pdf Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14MDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Output High, Low: 1mA, 20mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-MDIP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74C08N MM74C08N onsemi MM74C08.pdf Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14MDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-MDIP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 8V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 70ns @ 10V, 50pF
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SWT1H onsemi Description: SMALL SIGNAL PRODUCTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V1ST1 MM3Z5V1ST1 onsemi MM3ZxxxST1%2CST3.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
Packaging: Bulk
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 14447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAW56WT1G SBAW56WT1G onsemi baw56wt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5340B 1N5340B onsemi 1n5333b-d.pdf Description: DIODE ZENER 6V 5W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Impedance (Max) (Zzt): 1 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5357B 1N5357B onsemi 1n5333b-d.pdf Description: DIODE ZENER 20V 5W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 15.2 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM CNY17F4TVM onsemi cny17f4m-d.pdf Description: OPTOISO 4.17KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3.5µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+30.66 грн
100+22.29 грн
500+17.40 грн
1000+16.24 грн
2000+15.27 грн
5000+13.96 грн
10000+13.30 грн
25000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4SVM CNY17F4SVM onsemi cny17f4m-d.pdf Description: OPTOISO 4.17KV 1CH TRANS 6-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3.5µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4 CNY17F4 onsemi CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4300 CNY17F4300 onsemi CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4300W CNY17F4300W onsemi CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4S CNY17F4S onsemi CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32CTU TIP32CTU onsemi TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf description Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN65008B-GEVB onsemi Description: HIGH PERFORMANCE 65V, 10A VOLTAG
Packaging: Bulk
Voltage - Input: 4.5V ~ 65V
Current - Output: 10A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: FAN65008B
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576T-ADJ LM2576T-ADJ onsemi lm2576-d.pdf description Description: IC REG BUCK ADJ 3A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive or Negative
Frequency - Switching: 52kHz
Voltage - Input (Max): 40V
Topology: Buck
Supplier Device Package: TO-220-5
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.23V
на замовлення 7116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+210.34 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576T-ADJ LM2576T-ADJ onsemi lm2576-d.pdf description Description: IC REG BUCK ADJ 3A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive or Negative
Frequency - Switching: 52kHz
Voltage - Input (Max): 40V
Topology: Buck
Supplier Device Package: TO-220-5
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.23V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5342B 1N5342B onsemi 1n5333b-d.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 1 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5.2 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD677 BD677 onsemi bd675-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD677A onsemi BD675-D.PDF Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EP016AMNG MC100EP016AMNG onsemi mc100ep016a-d.pdf Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Synchronous
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
Count Rate: 1.4 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1346.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2545CT MBR2545CT onsemi MBR2535CT%20Rev11.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 45V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC125ADTG MC74HC125ADTG onsemi mc74hc125a-d.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 14-TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 129574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
768+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 768 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CD40106BCM CD40106BCM onsemi CD40106BC.pdf description Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 4.3V ~ 12.9V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 2.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 160ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+2479.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5136T1G NSVMUN5136T1G onsemi dta115e-d.pdf Description: BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5136T1G NSVMUN5136T1G onsemi dta115e-d.pdf Description: BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
44+6.81 грн
100+4.22 грн
500+2.87 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143XMXWTBG NSBC143XMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+19.97 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
1000+7.96 грн
2000+7.15 грн
5000+6.17 грн
10000+5.64 грн
50000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EMXWTBG NSBC144EMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+21.39 грн
100+13.56 грн
500+9.55 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EMXWTBG NSBC144EMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
6000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EMXWTBG NSBC124EMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+19.97 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
1000+7.96 грн
2000+7.15 грн
5000+6.17 грн
10000+5.64 грн
50000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZMXWTBG NSBC143ZMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+19.97 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
1000+7.96 грн
2000+7.15 грн
5000+6.17 грн
10000+5.64 грн
50000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EMXWTBG NSBA124EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.19 грн
100+12.83 грн
500+9.04 грн
1000+8.06 грн
2000+7.25 грн
5000+6.26 грн
10000+5.72 грн
50000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123YMXWTBG NSBA123YMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.19 грн
100+12.83 грн
500+9.04 грн
1000+8.06 грн
2000+7.25 грн
5000+6.26 грн
10000+5.72 грн
50000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBA114EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBA114EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.60 грн
500+9.58 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EMXWTBG NSVBC144EMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.58 грн
2000+7.72 грн
5000+6.67 грн
10000+6.10 грн
50000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBG NSVBA114EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.78 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
2000+7.82 грн
5000+6.76 грн
10000+6.19 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSVBC143XMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSVBC143XMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
14+22.88 грн
100+14.57 грн
500+10.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZMXWTBG NSVBC143ZMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.58 грн
2000+7.72 грн
5000+6.67 грн
10000+6.10 грн
50000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBG NSVBA124EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.78 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
2000+7.82 грн
5000+6.76 грн
10000+6.19 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBG NSVBA123YMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 59887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.78 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
2000+7.82 грн
5000+6.76 грн
10000+6.19 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EMXWTBG NSVBC124EMXWTBG onsemi NSBCMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.58 грн
2000+7.72 грн
5000+6.67 грн
10000+6.10 грн
50000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT00MTC MM74HCT00MTC onsemi mm74hct00-d.pdf Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 23ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FKPF8N80 FAIRS43234-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: TRIAC 800V 8A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 30 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 80A, 88A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1G nvmfd020n10mcl-d.pdf
NVMFD020N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+51.63 грн
3000+46.33 грн
4500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD020N10MCLT1G nvmfd020n10mcl-d.pdf
NVMFD020N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.20 грн
10+102.76 грн
100+70.34 грн
500+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBL023N065M3S ntbl023n065m3s-d.pdf
NTBL023N065M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1075.64 грн
10+731.34 грн
100+559.88 грн
500+513.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3S ntt2023n065m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+249.03 грн
1600+234.44 грн
2400+231.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTT2023N065M3S ntt2023n065m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.27 грн
10+313.36 грн
25+289.81 грн
100+247.65 грн
250+236.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3S nvt2023n065m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+359.27 грн
1600+338.71 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVT2023N065M3S nvt2023n065m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: ELITESIC, 23 MOHM, 650 V, M3S,T2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 21A, 18V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: T2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+594.90 грн
10+445.28 грн
25+413.45 грн
100+355.18 грн
250+339.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL023N065M3S nvhl023n065m3s-d.pdf
NVHL023N065M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1025.16 грн
10+697.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L023N065M3S nvh4l023n065m3s-d.pdf
NVH4L023N065M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1261.25 грн
10+867.60 грн
450+678.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ENGNTT2023N065M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC DISCRETES
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C6V2-T50A FAIRS45281-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZX85C6V2-T50A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±6.45%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5240+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 5240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C6V2-T50A BZX85C3V3-C56.pdf
BZX85C6V2-T50A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6.2V 1W DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Tolerance: ±6%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV75651DQ001R2G
Виробник: onsemi
Description: MOBD (BOHR) DSI3 MASTER FOR OTHE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+98.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV75651DQ001R2G
Виробник: onsemi
Description: MOBD (BOHR) DSI3 MASTER FOR OTHE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.42 грн
5+141.80 грн
10+135.36 грн
25+119.68 грн
50+114.70 грн
100+110.11 грн
500+99.23 грн
1000+95.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74C00M MM74C00%2C02%2C04.pdf
MM74C00M
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 8V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 60ns @ 10V, 50pF
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DM74S32N DM74S32.pdf
DM74S32N
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14MDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Current - Output High, Low: 1mA, 20mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-MDIP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74C08N MM74C08.pdf
MM74C08N
Виробник: onsemi
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14MDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-MDIP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 8V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 70ns @ 10V, 50pF
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SWT1H
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL PRODUCTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V1ST1 MM3ZxxxST1%2CST3.pdf
MM3Z5V1ST1
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323
Packaging: Bulk
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
на замовлення 14447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7869+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBAW56WT1G baw56wt1-d.pdf
SBAW56WT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5340B 1n5333b-d.pdf
1N5340B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6V 5W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Impedance (Max) (Zzt): 1 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5357B 1n5333b-d.pdf
1N5357B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 20V 5W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 15.2 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4TVM cny17f4m-d.pdf
CNY17F4TVM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3.5µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
10+30.66 грн
100+22.29 грн
500+17.40 грн
1000+16.24 грн
2000+15.27 грн
5000+13.96 грн
10000+13.30 грн
25000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4SVM cny17f4m-d.pdf
CNY17F4SVM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 4.17KV 1CH TRANS 6-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 4µs, 3.5µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4 CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf
CNY17F4
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4300 CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf
CNY17F4300
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4300W CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf
CNY17F4300W
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17F4S CNY17x%2C%20CNY17Fx%2C%20MOC810x.pdf
CNY17F4S
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 5.3KV 1CH TRANS 6-SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 160% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 320% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-SMD
Voltage - Output (Max): 70V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32CTU description TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf
TIP32CTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN65008B-GEVB
Виробник: onsemi
Description: HIGH PERFORMANCE 65V, 10A VOLTAG
Packaging: Bulk
Voltage - Input: 4.5V ~ 65V
Current - Output: 10A
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: FAN65008B
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Isolated Output
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576T-ADJ description lm2576-d.pdf
LM2576T-ADJ
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 3A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive or Negative
Frequency - Switching: 52kHz
Voltage - Input (Max): 40V
Topology: Buck
Supplier Device Package: TO-220-5
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.23V
на замовлення 7116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+210.34 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2576T-ADJ description lm2576-d.pdf
LM2576T-ADJ
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 3A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive or Negative
Frequency - Switching: 52kHz
Voltage - Input (Max): 40V
Topology: Buck
Supplier Device Package: TO-220-5
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Input (Min): 7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.23V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5342B 1n5333b-d.pdf
1N5342B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 1 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5.2 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD677 bd675-d.pdf
BD677
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD677A BD675-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EP016AMNG mc100ep016a-d.pdf
MC100EP016AMNG
Виробник: onsemi
Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Synchronous
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.6 V
Count Rate: 1.4 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+1346.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2545CT MBR2535CT%20Rev11.pdf
MBR2545CT
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY SCHOT 45V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC125ADTG mc74hc125a-d.pdf
MC74HC125ADTG
Виробник: onsemi
Description: IC BUFFER NON-INVERT 6V 14-TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 129574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
768+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 768 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CD40106BCM description CD40106BC.pdf
CD40106BCM
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 4.3V ~ 12.9V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 2.1V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 160ns @ 15V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2479.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5136T1G dta115e-d.pdf
NSVMUN5136T1G
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5136T1G dta115e-d.pdf
NSVMUN5136T1G
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.65 грн
44+6.81 грн
100+4.22 грн
500+2.87 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143XMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSBC143XMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+19.97 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
1000+7.96 грн
2000+7.15 грн
5000+6.17 грн
10000+5.64 грн
50000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSBC144EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
14+21.39 грн
100+13.56 грн
500+9.55 грн
1000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC144EMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSBC144EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.46 грн
6000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC124EMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSBC124EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+19.97 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
1000+7.96 грн
2000+7.15 грн
5000+6.17 грн
10000+5.64 грн
50000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC143ZMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSBC143ZMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+19.97 грн
100+12.67 грн
500+8.92 грн
1000+7.96 грн
2000+7.15 грн
5000+6.17 грн
10000+5.64 грн
50000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA124EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSBA124EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.19 грн
100+12.83 грн
500+9.04 грн
1000+8.06 грн
2000+7.25 грн
5000+6.26 грн
10000+5.72 грн
50000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA123YMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSBA123YMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.17 грн
15+20.19 грн
100+12.83 грн
500+9.04 грн
1000+8.06 грн
2000+7.25 грн
5000+6.26 грн
10000+5.72 грн
50000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSBA114EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.56 грн
6000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSBA114EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.60 грн
500+9.58 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC144EMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC144EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.58 грн
2000+7.72 грн
5000+6.67 грн
10000+6.10 грн
50000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA114EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSVBA114EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.78 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
2000+7.82 грн
5000+6.76 грн
10000+6.19 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC143XMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.05 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143XMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC143XMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.83 грн
14+22.88 грн
100+14.57 грн
500+10.28 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC143ZMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC143ZMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.58 грн
2000+7.72 грн
5000+6.67 грн
10000+6.10 грн
50000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA124EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSVBA124EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.78 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
2000+7.82 грн
5000+6.76 грн
10000+6.19 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBA123YMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSVBA123YMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 59887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.78 грн
500+9.73 грн
1000+8.69 грн
2000+7.82 грн
5000+6.76 грн
10000+6.19 грн
50000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC124EMXWTBG NSBCMXW-D.PDF
NSVBC124EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
14+21.46 грн
100+13.61 грн
500+9.60 грн
1000+8.58 грн
2000+7.72 грн
5000+6.67 грн
10000+6.10 грн
50000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT00MTC mm74hct00-d.pdf
MM74HCT00MTC
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 23ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1452 1694 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]