Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147001) > Сторінка 1271 з 2451

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1470 1715 1960 2205 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S onsemi uj4sc075018b7s-d.pdf Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S onsemi uj4sc075018b7s-d.pdf Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1672.78 грн
10+1163.10 грн
100+1158.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S onsemi UF3SC120040B7S-D.PDF Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1478.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S onsemi UF3SC120040B7S-D.PDF Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2311.74 грн
10+1743.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8S UJ4SC075005L8S onsemi uj4sc075005l8s-d.pdf Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8S UJ4SC075005L8S onsemi uj4sc075005l8s-d.pdf Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4190.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S onsemi UF3C120400B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S onsemi UF3C120400B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.36 грн
10+376.14 грн
100+309.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S onsemi da008713 Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S onsemi da008713 Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.46 грн
25+416.98 грн
100+359.70 грн
250+311.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S onsemi UF3C120150B7S-D.PDF Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+380.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S onsemi UF3C120150B7S-D.PDF Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+739.44 грн
10+523.08 грн
100+448.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S onsemi da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+422.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S UF3C065080B7S onsemi da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.00 грн
10+580.08 грн
100+437.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S onsemi da008707 Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S onsemi da008707 Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.15 грн
25+622.23 грн
100+537.38 грн
250+464.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S onsemi UF3C120080B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+713.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S onsemi UF3C120080B7S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1180.60 грн
10+799.74 грн
100+687.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S onsemi da008647 Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+842.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S onsemi da008647 Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1259.09 грн
25+1053.72 грн
100+909.41 грн
250+785.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S onsemi uj4sc075011b7s-d.pdf Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S onsemi uj4sc075011b7s-d.pdf Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2126.49 грн
10+1537.57 грн
100+1320.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S NTH4L013N120M3S onsemi nth4l013n120m3s-d.pdf Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2248.16 грн
10+1799.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8102 MOC8102 onsemi CNY17x, CNY17Fx, MOC810x.pdf Description: OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 73% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 117% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC100E137FN MC100E137FN onsemi mc10e137-d.pdf Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.5 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+298.98 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
MC10E137FNR2G MC10E137FNR2G onsemi mc10e137-d.pdf Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.7 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+484.24 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MC100E137FNR2G MC100E137FNR2G onsemi mc10e137-d.pdf Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.5 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+484.24 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MC10E137FNG MC10E137FNG onsemi mc10e137-d.pdf Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.7 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+658.21 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS367ADR2 SN74LS367ADR2 onsemi MOTOD030-5-322.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/LINE DRIVER 6-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MCT6 MCT6 onsemi ONSM-S-A0003546810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 30mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 6944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
50+43.48 грн
100+40.02 грн
500+31.74 грн
1000+29.84 грн
2000+28.23 грн
5000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S onsemi UF3SC120016K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3895.03 грн
30+2749.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K4S UF3SC120016K4S onsemi UF3SC120016K4S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4315.78 грн
30+3719.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DFD05TL-BT onsemi SNYOD003-89.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DFD05 - RECTIFIER DIODE, 0.5A, 8
Packaging: Bulk
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC04ADR2G NLV74HC04ADR2G onsemi mc74hc04a-d.pdf Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 75965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1066+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
BSP50 BSP50 onsemi FAIRS43277-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: TRANS NPN DARL 45V 0.8A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1750+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 1750
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2080CT MBR2080CT onsemi MBR20%2880%2C90%2C100%29CT.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 IRF540 onsemi MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
3MN03SF-TL-E 3MN03SF-TL-E onsemi 3MN03SF-TL-E.pdf?t.download=true&u=axiww2 Description: RF TRANS NPN 20V 320MHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 320MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD485B MMSD485B onsemi FAIRS45395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD SOD123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4365+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4365
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5Z5.0T1G SZESD5Z5.0T1G onsemi Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 240W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
14+21.69 грн
100+12.54 грн
500+8.81 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCS2554DTBR2G NCS2554DTBR2G onsemi ncs2554-d.pdf Description: IC AMP REC FILTR 14TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Reconstruction Filter
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 4.7V ~ 5.3V
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Supply: 40 mA
Current - Output / Channel: 40 mA
-3db Bandwidth: 8 MHz
на замовлення 11275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
CM1457-04CP onsemi cm1457-d.pdf Description: FILTR LC(PI) 70NH/12.5PF ESD SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA, WLCSP
Size / Dimension: 0.066" L x 0.041" W (1.67mm x 1.05mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: L = 70nH (Total), C = 12.5pF (Total)
Height: 0.027" (0.69mm)
Attenuation Value: -35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz
Filter Order: 5th
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: LC (Pi)
Center / Cutoff Frequency: 300MHz (Cutoff)
Resistance - Channel (Ohms): 45
ESD Protection: Yes
Number of Channels: 4
Current: 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CM1457-04CP onsemi cm1457-d.pdf Description: FILTR LC(PI) 70NH/12.5PF ESD SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFBGA, WLCSP
Size / Dimension: 0.066" L x 0.041" W (1.67mm x 1.05mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: L = 70nH (Total), C = 12.5pF (Total)
Height: 0.027" (0.69mm)
Attenuation Value: -35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz
Filter Order: 5th
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: LC (Pi)
Center / Cutoff Frequency: 300MHz (Cutoff)
Resistance - Channel (Ohms): 45
ESD Protection: Yes
Number of Channels: 4
Current: 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B FFSB1065B onsemi ffsb1065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B FFSB1065B onsemi ffsb1065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.35 грн
10+193.21 грн
100+135.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 onsemi ffsb1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.11 грн
10+215.28 грн
100+152.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A FFSB1065A onsemi ffsb1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A FFSB1065A onsemi ffsb1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.21 грн
10+247.10 грн
100+176.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32CTU TIP32CTU onsemi TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf description Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32 TIP32 onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32A TIP32A onsemi tip31a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32BTU TIP32BTU onsemi TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCGLA200T75NF8 onsemi PCGLA200T75NF8-D.PDF Description: IGBT TRENCH FS 750V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 200A
Supplier Device Package: Wafer
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 257ns/247.5ns
Test Condition: 400V, 200A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 718 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG NCV6324CMTAAWTBG onsemi ncp6324-d.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 3MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.52 грн
6000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG NCV6324CMTAAWTBG onsemi ncp6324-d.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 3MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.28 грн
10+91.31 грн
25+76.83 грн
100+56.72 грн
250+49.17 грн
500+44.52 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E 50C02MH-TL-E onsemi 50c02mh-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 178450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3109+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3109
В кошику  од. на суму  грн.
SPS1M001A-03 onsemi Description: RFID TAG R/W 902-928MHZ INLAY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Size / Dimension: 6.469" L x 0.787" W (165.00mm x 20.00mm)
Style: Inlay
Frequency: 902MHz ~ 928MHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Standards: ISO 18000-6, EPC
Writable Memory: 128b (EPC)
на замовлення 94765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+702.62 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22E N01S830BAT22E onsemi N01S830HA-D.PDF Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22ET N01S830BAT22ET onsemi N01S830HA-D.PDF Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S uj4sc075018b7s-d.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S uj4sc075018b7s-d.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1672.78 грн
10+1163.10 грн
100+1158.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1478.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2311.74 грн
10+1743.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8S uj4sc075005l8s-d.pdf
UJ4SC075005L8S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075005L8S uj4sc075005l8s-d.pdf
UJ4SC075005L8S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4190.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.36 грн
10+376.14 грн
100+309.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7S da008713
UJ4C075060B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060B7S da008713
UJ4C075060B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.46 грн
25+416.98 грн
100+359.70 грн
250+311.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S-D.PDF
UF3C120150B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+380.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S-D.PDF
UF3C120150B7S
Виробник: onsemi
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+739.44 грн
10+523.08 грн
100+448.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+422.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+836.00 грн
10+580.08 грн
100+437.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7S da008707
UJ4C075033B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033B7S da008707
UJ4C075033B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.15 грн
25+622.23 грн
100+537.38 грн
250+464.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S-D.PDF
UF3C120080B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+713.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080B7S UF3C120080B7S-D.PDF
UF3C120080B7S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1180.60 грн
10+799.74 грн
100+687.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: onsemi
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+842.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: onsemi
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1259.09 грн
25+1053.72 грн
100+909.41 грн
250+785.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S uj4sc075011b7s-d.pdf
UJ4SC075011B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011B7S uj4sc075011b7s-d.pdf
UJ4SC075011B7S
Виробник: onsemi
Description: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2126.49 грн
10+1537.57 грн
100+1320.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L013N120M3S nth4l013n120m3s-d.pdf
NTH4L013N120M3S
Виробник: onsemi
Description: DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 682W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 254 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5813 pF @ 800 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2248.16 грн
10+1799.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC8102 CNY17x, CNY17Fx, MOC810x.pdf
MOC8102
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5.3KV TRANS 6-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 5300Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 73% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 117% @ 10mA
Supplier Device Package: 6-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 2µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 1µs, 2µs
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC100E137FN mc10e137-d.pdf
MC100E137FN
Виробник: onsemi
Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.5 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+298.98 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
MC10E137FNR2G mc10e137-d.pdf
MC10E137FNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.7 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+484.24 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MC100E137FNR2G mc10e137-d.pdf
MC100E137FNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.5 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+484.24 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
MC10E137FNG mc10e137-d.pdf
MC10E137FNG
Виробник: onsemi
Description: IC BINARY COUNTER 8-BIT 28PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Binary Counter
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C
Direction: Up
Trigger Type: Positive, Negative
Timing: Asynchronous
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply: 4.2 V ~ 5.7 V
Count Rate: 2.2 GHz
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+658.21 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS367ADR2 MOTOD030-5-322.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SN74LS367ADR2
Виробник: onsemi
Description: BUFFER/LINE DRIVER 6-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
MCT6 ONSM-S-A0003546810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MCT6
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 5KV 2CH TRANS 8-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 30mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Supplier Device Package: 8-DIP
Voltage - Output (Max): 30V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Number of Channels: 2
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 6944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.28 грн
50+43.48 грн
100+40.02 грн
500+31.74 грн
1000+29.84 грн
2000+28.23 грн
5000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S-D.PDF
UF3SC120016K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3895.03 грн
30+2749.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K4S UF3SC120016K4S-D.PDF
UF3SC120016K4S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4315.78 грн
30+3719.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DFD05TL-BT SNYOD003-89.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: DFD05 - RECTIFIER DIODE, 0.5A, 8
Packaging: Bulk
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74HC04ADR2G mc74hc04a-d.pdf
NLV74HC04ADR2G
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 13ns @ 6V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 75965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1066+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
BSP50 description FAIRS43277-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP50
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 45V 0.8A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1750+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 1750
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2080CT MBR20%2880%2C90%2C100%29CT.pdf
MBR2080CT
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY SCHOT 80V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540 MOTOS04825-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
326+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
3MN03SF-TL-E 3MN03SF-TL-E.pdf?t.download=true&u=axiww2
3MN03SF-TL-E
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 20V 320MHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 320MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6662+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 6662
В кошику  од. на суму  грн.
MMSD485B FAIRS45395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMSD485B
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD SOD123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4365+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 4365
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD5Z5.0T1G
SZESD5Z5.0T1G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 80pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOD-523
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.6V
Power - Peak Pulse: 240W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
14+21.69 грн
100+12.54 грн
500+8.81 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCS2554DTBR2G ncs2554-d.pdf
NCS2554DTBR2G
Виробник: onsemi
Description: IC AMP REC FILTR 14TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Reconstruction Filter
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 4.7V ~ 5.3V
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Supply: 40 mA
Current - Output / Channel: 40 mA
-3db Bandwidth: 8 MHz
на замовлення 11275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
952+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
CM1457-04CP cm1457-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: FILTR LC(PI) 70NH/12.5PF ESD SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFBGA, WLCSP
Size / Dimension: 0.066" L x 0.041" W (1.67mm x 1.05mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: L = 70nH (Total), C = 12.5pF (Total)
Height: 0.027" (0.69mm)
Attenuation Value: -35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz
Filter Order: 5th
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: LC (Pi)
Center / Cutoff Frequency: 300MHz (Cutoff)
Resistance - Channel (Ohms): 45
ESD Protection: Yes
Number of Channels: 4
Current: 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CM1457-04CP cm1457-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: FILTR LC(PI) 70NH/12.5PF ESD SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFBGA, WLCSP
Size / Dimension: 0.066" L x 0.041" W (1.67mm x 1.05mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Low Pass
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Values: L = 70nH (Total), C = 12.5pF (Total)
Height: 0.027" (0.69mm)
Attenuation Value: -35dB @ 800MHz ~ 2.7GHz
Filter Order: 5th
Applications: Data Lines for Mobile Devices
Technology: LC (Pi)
Center / Cutoff Frequency: 300MHz (Cutoff)
Resistance - Channel (Ohms): 45
ESD Protection: Yes
Number of Channels: 4
Current: 15 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B ffsb1065b-d.pdf
FFSB1065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B ffsb1065b-d.pdf
FFSB1065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.35 грн
10+193.21 грн
100+135.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 ffsb1065b-f085-d.pdf
FFSB1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 ffsb1065b-f085-d.pdf
FFSB1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.11 грн
10+215.28 грн
100+152.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A ffsb1065a-d.pdf
FFSB1065A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+142.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065A ffsb1065a-d.pdf
FFSB1065A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.21 грн
10+247.10 грн
100+176.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32CTU description TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf
TIP32CTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32 tip31a-d.pdf
TIP32
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32A tip31a-d.pdf
TIP32A
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TIP32BTU TIP31_A_B_C%2C%20TIP32_A_B_C.pdf
TIP32BTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCGLA200T75NF8 PCGLA200T75NF8-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 750V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 200A
Supplier Device Package: Wafer
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 257ns/247.5ns
Test Condition: 400V, 200A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 718 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG ncp6324-d.pdf
NCV6324CMTAAWTBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 3MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.52 грн
6000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6324CMTAAWTBG ncp6324-d.pdf
NCV6324CMTAAWTBG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK ADJ 2A 8WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 2A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 3MHz
Voltage - Input (Max): 5.5V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-WDFNW (2x2)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.28 грн
10+91.31 грн
25+76.83 грн
100+56.72 грн
250+49.17 грн
500+44.52 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
50C02MH-TL-E 50c02mh-d.pdf
50C02MH-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.5A 3-MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-MCPH
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 178450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3109+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3109
В кошику  од. на суму  грн.
SPS1M001A-03
Виробник: onsemi
Description: RFID TAG R/W 902-928MHZ INLAY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Size / Dimension: 6.469" L x 0.787" W (165.00mm x 20.00mm)
Style: Inlay
Frequency: 902MHz ~ 928MHz
Memory Type: Read/Write
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: Passive
Standards: ISO 18000-6, EPC
Writable Memory: 128b (EPC)
на замовлення 94765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+702.62 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22E N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22E
Виробник: onsemi
Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
N01S830BAT22ET N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22ET
Виробник: onsemi
Description: SERIAL SRAM MEMORY, 1 MB, ULTRA-
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Single Port, Synchronous, Standard
Clock Frequency: 16 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 32 ns
Memory Organization: 128K x 8
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1470 1715 1960 2205 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]