Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147499) > Сторінка 1272 з 2459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1470 1715 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP11N60N FCP11N60N onsemi fcpf11n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC100LVEL33DTG MC100LVEL33DTG onsemi mc100lvel33-d.pdf Description: IC DIVIDER BY 4 1-BIT 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Divide-by-4
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Trigger Type: Positive, Negative
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.8 V
Count Rate: 4 GHz
Number of Bits per Element: 2
на замовлення 27804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+632.67 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G NSV30100LT1G onsemi nss30100l-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G NSV30100LT1G onsemi nss30100l-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MT9M413C36STM-DR MT9M413C36STM-DR onsemi MT9M413_DS.pdf Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 280-PGA
Packaging: Tray
Package / Case: 280-PGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3.3V
Pixel Size: 12µm x 12µm
Active Pixel Array: 1280H x 1024V
Supplier Device Package: 280-PGA
Frames per Second: 500.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G NSVMUN5338DW1T3G onsemi mun5338-d.pdf Description: SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.88 грн
26+12.22 грн
100+7.62 грн
500+5.26 грн
1000+4.65 грн
2000+4.13 грн
5000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1 MUN5330DW1T1 onsemi MUN5311DW1T1_Series.pdf Description: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
Packaging: Bulk
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5336DW1T1G NSVMUN5336DW1T1G onsemi dtc115ep-d.pdf Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5336DW1T1G NSVMUN5336DW1T1G onsemi dtc115ep-d.pdf Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C4V7 BZX85C4V7 onsemi BZX85C3V3-C56.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 1W DO41
Tolerance: ±6%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX4066MELG MC74LVX4066MELG onsemi mc74lvx4066-d.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 20OHM SOEIAJ-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: SOEIAJ-14
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 47344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K3S UF3C120040K3S onsemi UF3C120040K3S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 35655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1728.90 грн
30+1205.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4S UF3C120040K4S onsemi UF3C120040K4S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2097.48 грн
30+1339.98 грн
120+1275.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1660 MBR1660 onsemi MBR1635%20-%2060.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.36 грн
50+96.54 грн
100+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTND31211PZTAG onsemi Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.127A 6XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-XLLGA (0.9x0.65)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHCT14ADR2G NLVHCT14ADR2G onsemi Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 3.98V ~ 5.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.26V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 32ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHCT14ADR2G NLVHCT14ADR2G onsemi Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 3.98V ~ 5.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.26V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 32ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C908NAT3G NTMFS4C908NAT3G onsemi Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C908NAT3G NTMFS4C908NAT3G onsemi Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.64 грн
10+37.27 грн
100+24.10 грн
500+17.30 грн
1000+15.59 грн
2000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C906NBT1G onsemi Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C906NBT1G onsemi Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.65 грн
10+39.90 грн
100+25.90 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C906NBT3G onsemi Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C908NAT1G onsemi Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.93 грн
3000+23.85 грн
4500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WP14P6X NC7WP14P6X onsemi NC7WP14-D.PDF Description: IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP SC88
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Input Logic Level - High: 0.65V ~ 2.6V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.2ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 900 nA
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.03 грн
10+35.73 грн
25+29.51 грн
100+21.12 грн
250+17.90 грн
500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MMBV3401LT3G MMBV3401LT3G onsemi mmbv3401lt1-d.pdf Description: RF DIODE PIN 35V 200MW SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S onsemi da008673 Description: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.53 грн
30+815.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S UF3C120080K3S onsemi da008639 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1300.08 грн
30+775.18 грн
120+674.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S UF3C120080K4S onsemi da008640 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1301.69 грн
30+776.06 грн
120+675.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4S onsemi da008950 Description: 1200V/70MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317MDT LM317MDT onsemi LM317M-D.PDF Description: IC REG LINEAR POS ADJ 500MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB ~ 65dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ19P6X NC7SZ19P6X onsemi nc7sz19-d.pdf Description: IC DECODER/DEMUX 1 X 1:2 SC-88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:2
Type: Decoder/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+3.34 грн
9000+3.13 грн
15000+2.72 грн
21000+2.59 грн
30000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ19P6X NC7SZ19P6X onsemi nc7sz19-d.pdf Description: IC DECODER/DEMUX 1 X 1:2 SC-88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:2
Type: Decoder/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 48333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.23 грн
68+4.56 грн
78+3.99 грн
100+3.15 грн
250+2.86 грн
500+2.69 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S onsemi uj3n065080k3s-d.pdf Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.66 грн
30+424.79 грн
120+405.27 грн
510+361.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S onsemi uf3n170400b7s-d.pdf Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+374.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S UF3N170400B7S onsemi uf3n170400b7s-d.pdf Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 6961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.76 грн
10+530.08 грн
100+441.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S onsemi da008701 Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1301.69 грн
30+776.06 грн
120+675.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S onsemi uj4c075023k4s-d.pdf Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.32 грн
30+773.17 грн
120+725.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S onsemi uj3n120065k3s-d.pdf Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1562.67 грн
30+1138.98 грн
120+1053.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S onsemi uj4c075018k3s-d.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.32 грн
30+981.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S onsemi uj4sc075011k4s-d.pdf Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2141.65 грн
30+1377.67 грн
120+1375.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S onsemi uj4sc075009k4s-d.pdf Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2834.65 грн
30+1827.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S onsemi uj3n120035k3s-d.pdf Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2537.53 грн
30+1610.12 грн
120+1591.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S onsemi UJ4SC075006K4S-D.PDF Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3834.41 грн
30+2807.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S onsemi UF3SC120009K4S-D.PDF Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4548.29 грн
30+3305.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S onsemi UF3SC065007K4S-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5073.46 грн
30+3858.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IP5X FAN4174IP5X onsemi FAIRS29511-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 200µA
Slew Rate: 3V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.7 MHz
Current - Input Bias: 5 pA
Voltage - Input Offset: 8 mV
Supplier Device Package: SC-70-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 33 mA
-3db Bandwidth: 3.7 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81102MNTXG NCP81102MNTXG onsemi Description: IC REG BUCK CTLR 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81102MNTXG NCP81102MNTXG onsemi Description: IC REG BUCK CTLR 32QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81102MNTWG NCP81102MNTWG onsemi Description: IC REG BUCK CTLR 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC153DR2 MC74AC153DR2 onsemi MOTOS04874-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MUX 1-ELEMENT 8-IN 16-PIN SOIC
Packaging: Bulk
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 1680
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT151DR2 MC74ACT151DR2 onsemi MOTOS04873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MUX 1-ELEMENT 8-IN 16-PIN SOIC
Packaging: Bulk
на замовлення 56363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
1N4447TR 1N4447TR onsemi CSEMD005-114.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD 100V DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085 FDMS9408-F085 onsemi fdms9408_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085 FDMS9408L-F085 onsemi fdms9408l_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3 FDS4070N3 onsemi FDS4070N3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3 FDS4070N3 onsemi FDS4070N3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7 FDS4070N7 onsemi FDS4070N7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7 FDS4070N7 onsemi FDS4070N7.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1507YTU KSC1507YTU onsemi KSC1507.pdf Description: TRANS NPN 300V 200UA TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLA9306USG NLA9306USG onsemi pca9306-d.pdf Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL US8
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: US8
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N fcpf11n60nt-d.pdf
FCP11N60N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC100LVEL33DTG mc100lvel33-d.pdf
MC100LVEL33DTG
Виробник: onsemi
Description: IC DIVIDER BY 4 1-BIT 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Divide-by-4
Reset: Asynchronous
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Trigger Type: Positive, Negative
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply: 3 V ~ 3.8 V
Count Rate: 4 GHz
Number of Bits per Element: 2
на замовлення 27804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+632.67 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G nss30100l-d.pdf
NSV30100LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV30100LT1G nss30100l-d.pdf
NSV30100LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MT9M413C36STM-DR MT9M413_DS.pdf
MT9M413C36STM-DR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 280-PGA
Packaging: Tray
Package / Case: 280-PGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -5°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3.3V
Pixel Size: 12µm x 12µm
Active Pixel Array: 1280H x 1024V
Supplier Device Package: 280-PGA
Frames per Second: 500.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G mun5338-d.pdf
NSVMUN5338DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.88 грн
26+12.22 грн
100+7.62 грн
500+5.26 грн
1000+4.65 грн
2000+4.13 грн
5000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5330DW1T1 MUN5311DW1T1_Series.pdf
MUN5330DW1T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363
Packaging: Bulk
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5323+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 5323
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5336DW1T1G dtc115ep-d.pdf
NSVMUN5336DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5336DW1T1G dtc115ep-d.pdf
NSVMUN5336DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C4V7 BZX85C3V3-C56.pdf
BZX85C4V7
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 4.7V 1W DO41
Tolerance: ±6%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVX4066MELG mc74lvx4066-d.pdf
MC74LVX4066MELG
Виробник: onsemi
Description: IC SW SPST-NOX4 20OHM SOEIAJ-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
-3db Bandwidth: 160MHz
Supplier Device Package: SOEIAJ-14
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Number of Circuits: 4
на замовлення 47344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
807+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K3S UF3C120040K3S-D.PDF
UF3C120040K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 35655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1728.90 грн
30+1205.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120040K4S UF3C120040K4S-D.PDF
UF3C120040K4S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2097.48 грн
30+1339.98 грн
120+1275.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1660 MBR1635%20-%2060.pdf
MBR1660
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.36 грн
50+96.54 грн
100+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTND31211PZTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.127A 6XLLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.8pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-XLLGA (0.9x0.65)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHCT14ADR2G
NLVHCT14ADR2G
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 3.98V ~ 5.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.26V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 32ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHCT14ADR2G
NLVHCT14ADR2G
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1IN 14SOIC
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOIC
Input Logic Level - High: 3.98V ~ 5.4V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.26V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 32ns @ 5V, 50pF
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C908NAT3G
NTMFS4C908NAT3G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C908NAT3G
NTMFS4C908NAT3G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.64 грн
10+37.27 грн
100+24.10 грн
500+17.30 грн
1000+15.59 грн
2000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C906NBT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C906NBT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.65 грн
10+39.90 грн
100+25.90 грн
500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C906NBT3G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C908NAT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 30V NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+26.93 грн
3000+23.85 грн
4500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WP14P6X NC7WP14-D.PDF
NC7WP14P6X
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP SC88
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0.9V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 2.6mA, 2.6mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Input Logic Level - High: 0.65V ~ 2.6V
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.2ns @ 3.3V, 30pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 900 nA
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.03 грн
10+35.73 грн
25+29.51 грн
100+21.12 грн
250+17.90 грн
500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MMBV3401LT3G mmbv3401lt1-d.pdf
MMBV3401LT3G
Виробник: onsemi
Description: RF DIODE PIN 35V 200MW SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K3S da008673
UJ3C120070K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1204.53 грн
30+815.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S da008639
UF3C120080K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1300.08 грн
30+775.18 грн
120+674.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.69 грн
30+776.06 грн
120+675.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120070K4S da008950
Виробник: onsemi
Description: 1200V/70MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM317MDT LM317M-D.PDF
LM317MDT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR POS ADJ 500MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Max): 37V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
PSRR: 80dB ~ 65dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ19P6X nc7sz19-d.pdf
NC7SZ19P6X
Виробник: onsemi
Description: IC DECODER/DEMUX 1 X 1:2 SC-88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:2
Type: Decoder/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.88 грн
6000+3.34 грн
9000+3.13 грн
15000+2.72 грн
21000+2.59 грн
30000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ19P6X nc7sz19-d.pdf
NC7SZ19P6X
Виробник: onsemi
Description: IC DECODER/DEMUX 1 X 1:2 SC-88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 1:2
Type: Decoder/Demultiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 48333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.23 грн
68+4.56 грн
78+3.99 грн
100+3.15 грн
250+2.86 грн
500+2.69 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S uj3n065080k3s-d.pdf
UJ3N065080K3S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.66 грн
30+424.79 грн
120+405.27 грн
510+361.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S uf3n170400b7s-d.pdf
UF3N170400B7S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+374.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
UF3N170400B7S uf3n170400b7s-d.pdf
UF3N170400B7S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 6961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.76 грн
10+530.08 грн
100+441.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S da008701
UJ3N120070K3S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.69 грн
30+776.06 грн
120+675.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K4S uj4c075023k4s-d.pdf
UJ4C075023K4S
Виробник: onsemi
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1042.32 грн
30+773.17 грн
120+725.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S uj3n120065k3s-d.pdf
UJ3N120065K3S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.67 грн
30+1138.98 грн
120+1053.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S uj4c075018k3s-d.pdf
UJ4C075018K3S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1470.32 грн
30+981.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S uj4sc075011k4s-d.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: onsemi
Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2141.65 грн
30+1377.67 грн
120+1375.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4S uj4sc075009k4s-d.pdf
UJ4SC075009K4S
Виробник: onsemi
Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2834.65 грн
30+1827.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120035K3S uj3n120035k3s-d.pdf
UJ3N120035K3S
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2537.53 грн
30+1610.12 грн
120+1591.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S-D.PDF
UJ4SC075006K4S
Виробник: onsemi
Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3834.41 грн
30+2807.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S-D.PDF
UF3SC120009K4S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4548.29 грн
30+3305.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S-D.PDF
UF3SC065007K4S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5073.46 грн
30+3858.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FAN4174IP5X FAIRS29511-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FAN4174IP5X
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Voltage Feedback
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 200µA
Slew Rate: 3V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.7 MHz
Current - Input Bias: 5 pA
Voltage - Input Offset: 8 mV
Supplier Device Package: SC-70-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 33 mA
-3db Bandwidth: 3.7 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.3 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81102MNTXG
NCP81102MNTXG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK CTLR 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81102MNTXG
NCP81102MNTXG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK CTLR 32QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81102MNTWG
NCP81102MNTWG
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK CTLR 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC153DR2 MOTOS04874-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74AC153DR2
Виробник: onsemi
Description: MUX 1-ELEMENT 8-IN 16-PIN SOIC
Packaging: Bulk
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1680+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 1680
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT151DR2 MOTOS04873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74ACT151DR2
Виробник: onsemi
Description: MUX 1-ELEMENT 8-IN 16-PIN SOIC
Packaging: Bulk
на замовлення 56363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1402+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
1N4447TR CSEMD005-114.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1N4447TR
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 100V DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085 fdms9408_f085-d.pdf
FDMS9408-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085 fdms9408l_f085-d.pdf
FDMS9408L-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3 FDS4070N3.pdf
FDS4070N3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N3 FDS4070N3.pdf
FDS4070N3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7 FDS4070N7.pdf
FDS4070N7
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4070N7 FDS4070N7.pdf
FDS4070N7
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC1507YTU KSC1507.pdf
KSC1507YTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 200UA TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLA9306USG pca9306-d.pdf
NLA9306USG
Виробник: onsemi
Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL US8
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: US8
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1470 1715 1960 2205 2450 2459  [ Наступна Сторінка >> ]