Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147021) > Сторінка 1907 з 2451

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1902 1903 1904 1905 1906 1907 1908 1909 1910 1911 1912 1960 2205 2450 2451  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC638TA BC638TA ONSEMI 2572445.pdf Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC638
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.16 грн
50+16.10 грн
100+10.14 грн
500+7.00 грн
1000+5.53 грн
5000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
1N4737ATR 1N4737ATR ONSEMI 3658796.pdf Description: ONSEMI - 1N4737ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 7.5 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.12 грн
92+8.77 грн
186+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ100 FSQ100 ONSEMI FSQ100-D.pdf Description: ONSEMI - FSQ100 - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 ONSEMI 2304189.pdf Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+924.94 грн
5+920.12 грн
10+914.48 грн
50+494.84 грн
100+443.67 грн
250+429.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865B FFSP0865B ONSEMI FFSP0865B-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSPF1065A FFSPF1065A ONSEMI FFSPF1065A-D.PDF Description: ONSEMI - FFSPF1065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.84 грн
10+197.22 грн
100+181.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013669710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.58 грн
5+916.09 грн
10+901.60 грн
50+823.74 грн
100+747.96 грн
250+735.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085 ONSEMI 2859366.pdf Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1221.18 грн
5+1205.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSPF2065A FFSPF2065A ONSEMI ONSM-S-A0017605177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSPF2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 64nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.85 грн
5+412.96 грн
10+367.08 грн
50+272.84 грн
100+224.94 грн
250+220.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 FCB125N65S3 ONSEMI ONSM-S-A0010104092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.18 грн
10+284.16 грн
100+240.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B FFSB1065B ONSEMI 2912996.pdf Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.00 грн
10+115.92 грн
100+112.70 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7340D13R2G NCV7340D13R2G ONSEMI 2236976.pdf Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7340D13R2G NCV7340D13R2G ONSEMI 2236976.pdf Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der RX-Puffer: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ ONSEMI fdd390n15alz-d.pdf Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.85 грн
50+94.99 грн
100+67.94 грн
500+50.16 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3745LS-1E 2SK3745LS-1E ONSEMI 2237060.pdf Description: ONSEMI - 2SK3745LS-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3746-1E ONSEMI 2907341.pdf Description: ONSEMI - 2SK3746-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX125BQX 74LCX125BQX ONSEMI 1785326.pdf Description: ONSEMI - 74LCX125BQX - Puffer, 74LCX125, 2V bis 3.6V, DQFN-14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.24 грн
20+40.73 грн
100+23.02 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG FDPC5018SG ONSEMI 2729283.pdf Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.74 грн
50+78.49 грн
100+69.15 грн
500+64.14 грн
1500+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GF001HN GF001HN ONSEMI GF001H-D.PDF Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14070BDR2G NLV14070BDR2G ONSEMI MC14070B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4070
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH120T1G NCP785AH120T1G ONSEMI 1948370.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450VDC
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 55VDC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.46 грн
10+86.14 грн
50+72.21 грн
100+52.62 грн
250+41.95 грн
500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H 2SD1803T-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0012903225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-E 2SD1805G-E ONSEMI ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E 2SD1803S-E ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-E 2SD1802S-TL-E ONSEMI 2SB1202-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-E 2SD1803T-TL-E ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G NRVBS540T3G ONSEMI ONSM-S-A0003142774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.16 грн
19+44.60 грн
100+33.25 грн
500+24.59 грн
1000+20.36 грн
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G NRVBS540T3G ONSEMI ONSM-S-A0003142774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.25 грн
500+24.59 грн
1000+20.36 грн
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLV27WZ04DFT2G NLV27WZ04DFT2G ONSEMI 1748108.pdf Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.14 грн
24+33.65 грн
100+23.02 грн
500+17.49 грн
1000+13.25 грн
2500+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V7LT1G BZX84C4V7LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+8.77 грн
171+4.72 грн
348+2.32 грн
1000+2.00 грн
15000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.74 грн
10+140.88 грн
100+97.40 грн
500+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. FDS6576. ONSEMI ONSM-S-A0003585418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.96 грн
12+71.64 грн
100+52.49 грн
500+41.93 грн
1000+31.81 грн
5000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. FDS6576. ONSEMI ONSM-S-A0003585418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.49 грн
500+41.93 грн
1000+31.81 грн
5000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 ONSEMI ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.60 грн
10+161.00 грн
100+158.58 грн
500+145.76 грн
1000+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ FDS6898AZ ONSEMI 2304332.pdf Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.58 грн
11+74.22 грн
100+52.00 грн
500+35.21 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74K8X. NC7SZ74K8X. ONSEMI 2277469.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Complementary
Ausgangsstrom: 32
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Edge
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ74USG NL17SZ74USG ONSEMI 2013787.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.67 грн
33+24.55 грн
100+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2D ONSEMI S2A-S2M(HSMB).PDF S2M-D.PDF FAIR-S-A0001351929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw s2a.pdf S2A%20SERIES_N2102.pdf S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.96 грн
61+13.36 грн
117+6.91 грн
500+6.10 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2D ONSEMI S2A-S2M(HSMB).PDF S2M-D.PDF FAIR-S-A0001351929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw s2a.pdf S2A%20SERIES_N2102.pdf S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.10 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G ONSEMI 2850003.pdf Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G ONSEMI 2850003.pdf Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G SBAS40LT1G ONSEMI bas40lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.64 грн
1000+2.20 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G SBAS40LT1G ONSEMI bas40lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.79 грн
114+7.08 грн
256+3.16 грн
500+2.64 грн
1000+2.20 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT3G BAS40LT3G ONSEMI BAS40LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BAS40LT3G - 40 V SCHOTTKY DIODE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116LT1G BAS116LT1G ONSEMI 2337844.pdf Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS116
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+10.14 грн
110+7.37 грн
257+3.14 грн
500+2.47 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-5-TB-E 2SC5227A-5-TB-E ONSEMI ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: SC-59
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-4-TL-E ONSEMI 2SC5245A-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E ONSEMI ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E ONSEMI ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - HF-Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-4-TB-E 2SC5227A-4-TB-E ONSEMI ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-5-TL-E 2SC5226A-5-TL-E ONSEMI ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17P6X. NC7WZ17P6X. ONSEMI 2304120.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.77 грн
42+19.40 грн
105+7.73 грн
500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 FDD4141-F085 ONSEMI 2724461.pdf Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.82 грн
10+90.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 2013363.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 FDD4141 ONSEMI 4409139.pdf Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.42 грн
50+56.27 грн
100+43.71 грн
500+34.46 грн
1000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 FDD4141-F085 ONSEMI 2724461.pdf Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ONSEMI ONSM-S-A0013296914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.75 грн
35+23.18 грн
100+14.01 грн
500+10.46 грн
1000+8.28 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RURG8060 RURG8060 ONSEMI ONSM-S-A0013274375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RURG8060 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 80 A, Einfach, 1.6 V, 85 ns, 800 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 800
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6
Sperrverzögerungszeit: 85
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RURG8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.42 грн
10+350.98 грн
100+287.38 грн
500+227.24 грн
1000+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25 FQP9P25 ONSEMI 2572548.pdf Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.02 грн
10+134.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTU ONSEMI 2907446.pdf Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.00 грн
15+56.75 грн
100+43.47 грн
500+31.92 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC638TA 2572445.pdf
BC638TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC638TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC638
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+26.16 грн
50+16.10 грн
100+10.14 грн
500+7.00 грн
1000+5.53 грн
5000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
1N4737ATR 3658796.pdf
1N4737ATR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4737ATR - Zener-Diode, Baureihe 1N47, 7.5 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N47xxA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.12 грн
92+8.77 грн
186+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ100 FSQ100-D.pdf
FSQ100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ100 - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH040N65S3-F155 2304189.pdf
FCH040N65S3-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH040N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.0354 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0354ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.94 грн
5+920.12 грн
10+914.48 грн
50+494.84 грн
100+443.67 грн
250+429.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0865B FFSP0865B-D.PDF
FFSP0865B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP0865B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSPF1065A FFSPF1065A-D.PDF
FFSPF1065A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSPF1065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.84 грн
10+197.22 грн
100+181.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTH027N65S3F-F155 ONSM-S-A0013669710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTH027N65S3F-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.58 грн
5+916.09 грн
10+901.60 грн
50+823.74 грн
100+747.96 грн
250+735.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGY120T65SPD-F085 2859366.pdf
FGY120T65SPD-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGY120T65SPD-F085 - IGBT, 120 A, 1.5 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 882W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1221.18 грн
5+1205.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSPF2065A ONSM-S-A0017605177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFSPF2065A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSPF2065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220FP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Kapazitive Gesamtladung: 64nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+458.85 грн
5+412.96 грн
10+367.08 грн
50+272.84 грн
100+224.94 грн
250+220.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB125N65S3 ONSM-S-A0010104092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCB125N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB125N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+416.18 грн
10+284.16 грн
100+240.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B 2912996.pdf
FFSB1065B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 27 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.00 грн
10+115.92 грн
100+112.70 грн
500+100.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7340D13R2G 2236976.pdf
NCV7340D13R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7340D13R2G 2236976.pdf
NCV7340D13R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7340D13R2G - CAN-Bus, ISO 11898, CAN, 4.75 V, 5.25 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der RX-Puffer: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ fdd390n15alz-d.pdf
FDD390N15ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0334 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0334ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.85 грн
50+94.99 грн
100+67.94 грн
500+50.16 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3745LS-1E 2237060.pdf
2SK3745LS-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3745LS-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3746-1E 2907341.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3746-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX125BQX 1785326.pdf
74LCX125BQX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX125BQX - Puffer, 74LCX125, 2V bis 3.6V, DQFN-14
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: DQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.24 грн
20+40.73 грн
100+23.02 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDPC5018SG 2729283.pdf
FDPC5018SG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPC5018SG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 29W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 29W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.74 грн
50+78.49 грн
100+69.15 грн
500+64.14 грн
1500+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GF001HN GF001H-D.PDF
GF001HN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF001HN - GREEN-MODE FAIRCHILD POWER SWITCH (FPS)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14070BDR2G MC14070B-D.PDF
NLV14070BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14070BDR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4070
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4070
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH120T1G 1948370.pdf
NCP785AH120T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH120T1G - Linearer Festspannungsregler, 55V DC bis 450V DCin, 12Vout und 10mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
Nennausgangsspannung: 12V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450VDC
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 55VDC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7812 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.46 грн
10+86.14 грн
50+72.21 грн
100+52.62 грн
250+41.95 грн
500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-H ONSM-S-A0012903225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1803T-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1805G-E ONSMS36409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1805G-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805G-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-E EN2085-D.PDF
2SD1803S-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802S-TL-E 2SB1202-D.PDF
2SD1802S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802S-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-TL-E EN2085-D.PDF
2SD1803T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G ONSM-S-A0003142774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NRVBS540T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.16 грн
19+44.60 грн
100+33.25 грн
500+24.59 грн
1000+20.36 грн
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS540T3G ONSM-S-A0003142774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NRVBS540T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVBS540T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 5 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 190A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.25 грн
500+24.59 грн
1000+20.36 грн
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NLV27WZ04DFT2G 1748108.pdf
NLV27WZ04DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV27WZ04DFT2G - Inverter, 27WZ, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 27WZ04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.14 грн
24+33.65 грн
100+23.02 грн
500+17.49 грн
1000+13.25 грн
2500+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V7LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C4V7LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+8.77 грн
171+4.72 грн
348+2.32 грн
1000+2.00 грн
15000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 2304715.pdf
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.74 грн
10+140.88 грн
100+97.40 грн
500+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. ONSM-S-A0003585418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6576.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+90.96 грн
12+71.64 грн
100+52.49 грн
500+41.93 грн
1000+31.81 грн
5000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576. ONSM-S-A0003585418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6576.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.49 грн
500+41.93 грн
1000+31.81 грн
5000+31.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 ONSM-S-A0003585508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP2532
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2532 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 79 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+290.60 грн
10+161.00 грн
100+158.58 грн
500+145.76 грн
1000+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898AZ 2304332.pdf
FDS6898AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6898AZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.58 грн
11+74.22 грн
100+52.00 грн
500+35.21 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74K8X. 2277469.pdf
NC7SZ74K8X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74K8X. - IC, FLIP FLOP, D, 2.6NS, US8-8, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: US8
IC-Ausgang: Complementary
Ausgangsstrom: 32
Frequenz: 200
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: 2.6
Triggertyp: Positive Edge
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ74USG 2013787.pdf
NL17SZ74USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ74USG - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, D, 2.6 ns, 250 MHz, 32 mA, US8
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: US8
usEccn: EAR99
Frequenz: 250MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 2.6ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.67 грн
33+24.55 грн
100+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2A-S2M(HSMB).PDF S2M-D.PDF FAIR-S-A0001351929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw s2a.pdf S2A%20SERIES_N2102.pdf S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf
S2D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+19.96 грн
61+13.36 грн
117+6.91 грн
500+6.10 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
S2D S2A-S2M(HSMB).PDF S2M-D.PDF FAIR-S-A0001351929-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw s2a.pdf S2A%20SERIES_N2102.pdf S2A-S2M%20N0562%20REV.A.pdf
S2D
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2D - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.1 V, 60 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 60A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.10 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G 2850003.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LV8316HGR2G 2850003.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV8316HGR2G - MOTOR DRIVERS / CONTROLLERS IC
Ausgangsstrom: 2
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: TSSOP-EP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G bas40lt1-d.pdf
SBAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.64 грн
1000+2.20 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBAS40LT1G bas40lt1-d.pdf
SBAS40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40LT1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 120 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 27425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+10.79 грн
114+7.08 грн
256+3.16 грн
500+2.64 грн
1000+2.20 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40LT3G BAS40LT1-D.PDF
BAS40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40LT3G - 40 V SCHOTTKY DIODE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116LT1G 2337844.pdf
BAS116LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS116LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS116
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+10.14 грн
110+7.37 грн
257+3.14 грн
500+2.47 грн
1500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-5-TB-E ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5227A-5-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5227A-5-TB-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 200 mW, 70 mA, SC-59
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: SC-59
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5245A-4-TL-E 2SC5245A-D.PDF
2SC5245A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5245A-4-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5226A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-4-TL-E ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5226A-4-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-4-TL-E - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 7 GHz, 150 mW, 70 mA, SC-70
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - HF-Transistor: SC-70
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Übergangsfrequenz: 7
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5227A-4-TB-E ONSMS36599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5227A-4-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5227A-4-TB-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5226A-5-TL-E ONSMS36071-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5226A-5-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5226A-5-TL-E - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17P6X. 2304120.pdf
NC7WZ17P6X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17P6X. - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+27.77 грн
42+19.40 грн
105+7.73 грн
500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 2724461.pdf
FDD4141-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.82 грн
10+90.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 2013363.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141 4409139.pdf
FDD4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.42 грн
50+56.27 грн
100+43.71 грн
500+34.46 грн
1000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085 2724461.pdf
FDD4141-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ONSM-S-A0013296914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSD1616AGBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.75 грн
35+23.18 грн
100+14.01 грн
500+10.46 грн
1000+8.28 грн
5000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RURG8060 ONSM-S-A0013274375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RURG8060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RURG8060 - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 80 A, Einfach, 1.6 V, 85 ns, 800 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 800
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6
Sperrverzögerungszeit: 85
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: RURG8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+390.42 грн
10+350.98 грн
100+287.38 грн
500+227.24 грн
1000+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQP9P25 2572548.pdf
FQP9P25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 9.4 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.02 грн
10+134.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQU20N06LTU 2907446.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.00 грн
15+56.75 грн
100+43.47 грн
500+31.92 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1902 1903 1904 1905 1906 1907 1908 1909 1910 1911 1912 1960 2205 2450 2451  Наступна Сторінка >> ]