Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147021) > Сторінка 1903 з 2451

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1898 1899 1900 1901 1902 1903 1904 1905 1906 1907 1908 1960 2205 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AXDBG-2-GEVK AXDBG-2-GEVK ONSEMI 2339414.pdf Description: ONSEMI - AXDBG-2-GEVK - Debugging-Adapter, DVK-2, AX8052-Mikrocontroller-Debugging-Schnittstelle, äußerst energiesparend
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: Debugging-Adapter
Prozessorserie: -
Merkmale: Äußerst geringe Leistungsaufnahme, sehr flexible Taktung, 2-Kanal-DMA-Engine, SPI-Schnittstelle
IC-Produkttyp: Debugger
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LE25S20XATAG LE25S20XATAG ONSEMI LE25S20XA-D.PDF Description: ONSEMI - LE25S20XATAG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, SPI, WLCSP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 40
Speicherkonfiguration Flash: 256K x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 2
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120ANTU FGL40N120ANTU ONSEMI 2298719.pdf Description: ONSEMI - FGL40N120ANTU - IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
DC-Kollektorstrom: 64
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.11 грн
68+11.91 грн
158+5.12 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TLV271SN1T1G TLV271SN1T1G ONSEMI tlv271-d.pdf Description: ONSEMI - TLV271SN1T1G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 16V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Breitbandverstärker
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 16V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.82 грн
12+68.59 грн
50+57.56 грн
100+43.13 грн
250+37.81 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.37 грн
69+11.67 грн
137+5.88 грн
500+5.24 грн
1500+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT3G NTR4003NT3G ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.84 грн
67+12.16 грн
137+5.88 грн
500+4.95 грн
1000+4.10 грн
5000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI 2255288.pdf Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 73825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.48 грн
1500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHC1G32DFT1G NLVHC1G32DFT1G ONSEMI MC74HC1G32-D.PDF Description: ONSEMI - NLVHC1G32DFT1G - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHC1G32DFT2G NLVHC1G32DFT2G ONSEMI MC74HC1G32-D.PDF Description: ONSEMI - NLVHC1G32DFT2G - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X NC7SP125P5X ONSEMI 2287821.pdf Description: ONSEMI - NC7SP125P5X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.21 грн
500+12.93 грн
1000+9.04 грн
5000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X NC7SP125P5X ONSEMI 2287821.pdf Description: ONSEMI - NC7SP125P5X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.87 грн
30+27.29 грн
100+15.21 грн
500+12.93 грн
1000+9.04 грн
5000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X. NC7SP125P5X. ONSEMI 2287821.pdf Description: ONSEMI - NC7SP125P5X. - INVERTING BUFFER, SC-70-5, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 2 - 1 year
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KA358A KA358A ONSEMI 2304033.pdf description Description: ONSEMI - KA358A - Operationsverstärker, zweifach, 2 Verstärker, ± 1.5V bis ± 16V, DIP, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: -
Versorgungsspannung: ± 1.5V bis ± 16V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: DIP
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1011AP100G ONSEMI 2236898.pdf Description: ONSEMI - NCP1011AP100G - AC/DC CONV, FLYBACK, 8W, -40 TO 125DEGC
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: 8
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81074ADR2G NCP81074ADR2G ONSEMI ncp81074-d.pdf Description: ONSEMI - NCP81074ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 7Aout, 15ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.12 грн
10+99.02 грн
50+89.36 грн
100+74.08 грн
250+59.82 грн
500+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BDR2G NCP81071BDR2G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.44 грн
10+84.52 грн
50+72.29 грн
100+55.69 грн
250+49.13 грн
500+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 FCA47N60-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013185538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.21 грн
5+899.18 грн
10+894.36 грн
50+508.30 грн
100+438.15 грн
250+406.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P FDG6316P ONSEMI fdg6316p-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4454TR 1N4454TR ONSEMI FAIRS05423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4454TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4454
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.68 грн
223+3.61 грн
437+1.84 грн
500+1.57 грн
1000+1.32 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P FDG6304P ONSEMI fdg6304p-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.31 грн
50+26.48 грн
100+21.65 грн
500+16.52 грн
1500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SPZTA42T1G SPZTA42T1G ONSEMI 2353975.pdf Description: ONSEMI - SPZTA42T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.20 грн
500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPZTA42T1G SPZTA42T1G ONSEMI 2353975.pdf Description: ONSEMI - SPZTA42T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.20 грн
33+24.55 грн
100+13.20 грн
500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BCV72 BCV72 ONSEMI 2724454.pdf Description: ONSEMI - BCV72 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV72 BCV72 ONSEMI 2724454.pdf Description: ONSEMI - BCV72 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 ONSEMI 2907367.pdf Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.29 грн
10+94.18 грн
100+68.02 грн
500+51.05 грн
1000+42.57 грн
5000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 FDD86369-F085 ONSEMI 2907367.pdf Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.02 грн
500+51.05 грн
1000+42.57 грн
5000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369 ONSEMI FDD86369-D.pdf Description: ONSEMI - FDD86369 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33074DR2G NCV33074DR2G ONSEMI MC34071-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33074DR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33074ADR2G NCV33074ADR2G ONSEMI MC34071-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33074ADR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4201DR2G NUP4201DR2G ONSEMI ONSM-S-A0015958074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4201DR2G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.60 грн
11+77.60 грн
100+56.35 грн
500+42.98 грн
1000+36.92 грн
5000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 ONSEMI nvh4l020n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3627.33 грн
5+3497.72 грн
10+3367.32 грн
50+2523.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 ONSEMI nth4l020n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.32 грн
5+1871.62 грн
10+1870.82 грн
50+1540.60 грн
100+1393.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP19P6X NC7SP19P6X ONSEMI FAIRS35299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw nc7sp19-d.pdf Description: ONSEMI - NC7SP19P6X - TINYLOGIC ULP 1-OF-2 DECODER/DEMULTIPLEX
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4751A-T50A 1N4751A-T50A ONSEMI 2552611.pdf Description: ONSEMI - 1N4751A-T50A - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33072ADR2G NCV33072ADR2G ONSEMI MC34071-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33072ADR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KA7553A KA7553A ONSEMI KA7553A-D.PDF Description: ONSEMI - KA7553A - PWM CONTROLLERS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI ksd2012-d.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.74 грн
19+44.36 грн
100+40.49 грн
500+31.40 грн
1000+25.88 грн
5000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06 FQP7P06 ONSEMI ONSM-S-A0003585406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.63 грн
10+119.94 грн
100+93.38 грн
500+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G BYW29-200G ONSEMI ONSM-S-A0013215132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.84 грн
10+95.80 грн
100+43.79 грн
500+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WT1G BC807-40WT1G ONSEMI ONSM-S-A0014908647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC807-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.89 грн
91+8.94 грн
145+5.57 грн
500+3.78 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G DTC114TET1G ONSEMI ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.26 грн
155+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N ONSEMI 2304097.pdf Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 123050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.30 грн
50+34.21 грн
100+22.22 грн
500+15.70 грн
1500+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 ONSEMI 2907371.pdf Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.50 грн
5+438.72 грн
10+346.15 грн
50+314.70 грн
100+283.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1217AP65G NCP1217AP65G ONSEMI 2160897.pdf Description: ONSEMI - NCP1217AP65G - PWM-Controller, Current-Mode, 16V Versorgungsspannung, 65/100/133kHz, 1.7mAout, DIP-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 6.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.28 грн
11+73.82 грн
50+58.85 грн
100+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1217D100R2G NCP1217D100R2G ONSEMI 2160897.pdf Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 5.6
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1217D100R2G NCP1217D100R2G ONSEMI 2160897.pdf Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14FP SS14FP ONSEMI S110FP-D.pdf Description: ONSEMI - SS14FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.89 грн
46+17.79 грн
100+11.11 грн
500+9.34 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03CTAG ONSEMI NTLJS5D0N03C-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G. NTR4170NT1G. ONSEMI 2354103.pdf Description: ONSEMI - NTR4170NT1G. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N FDC855N ONSEMI 2304870.pdf Description: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5953BG 1N5953BG ONSEMI 1n5913b-d.pdf 10922-sa5-57-datasheet Description: ONSEMI - 1N5953BG - Zener-Diode, 150 V, 3 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5953
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 150V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.30 грн
37+22.06 грн
100+11.99 грн
500+10.46 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G BC858CLT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+7.83 грн
187+4.31 грн
381+2.12 грн
500+1.82 грн
1500+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T1G ONSEMI 699592.pdf Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 420
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC858CLT3G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858CLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 520
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-E 2SC5994-TD-E ONSEMI 2sc5994-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.94 грн
26+31.96 грн
50+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6082-1E 2SC6082-1E ONSEMI 2371185.pdf Description: ONSEMI - 2SC6082-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 15 A, 23 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 195MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.63 грн
12+70.84 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4027T-TL-E 2SC4027T-TL-E ONSEMI en2262-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.80 грн
13+62.71 грн
100+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX04DTR2G NLV74LCX04DTR2G ONSEMI MC74LCX04-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG NJL1302DG ONSEMI ONSM-S-A0013303303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.42 грн
10+390.42 грн
100+261.62 грн
500+204.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AXDBG-2-GEVK 2339414.pdf
AXDBG-2-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AXDBG-2-GEVK - Debugging-Adapter, DVK-2, AX8052-Mikrocontroller-Debugging-Schnittstelle, äußerst energiesparend
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: Debugging-Adapter
Prozessorserie: -
Merkmale: Äußerst geringe Leistungsaufnahme, sehr flexible Taktung, 2-Kanal-DMA-Engine, SPI-Schnittstelle
IC-Produkttyp: Debugger
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LE25S20XATAG LE25S20XA-D.PDF
LE25S20XATAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LE25S20XATAG - Flash-Speicher, Serial-NOR, 2 Mbit, 256K x 8 Bit, SPI, WLCSP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
Flash-Speicher: Serial-NOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Taktfrequenz: 40
Speicherkonfiguration Flash: 256K x 8 Bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 2
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Versorgungsspannung, max.: 1.95
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGL40N120ANTU 2298719.pdf
FGL40N120ANTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL40N120ANTU - IGBT, 64 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
DC-Kollektorstrom: 64
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G 2160727.pdf
BSS63LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.11 грн
68+11.91 грн
158+5.12 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
TLV271SN1T1G tlv271-d.pdf
TLV271SN1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV271SN1T1G - Operationsverstärker, einfach, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 16V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Breitbandverstärker
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 16V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.82 грн
12+68.59 грн
50+57.56 грн
100+43.13 грн
250+37.81 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G 2255288.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.37 грн
69+11.67 грн
137+5.88 грн
500+5.24 грн
1500+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT3G 2255288.pdf
NTR4003NT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+18.84 грн
67+12.16 грн
137+5.88 грн
500+4.95 грн
1000+4.10 грн
5000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4003NT1G 2255288.pdf
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 73825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.48 грн
1500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHC1G32DFT1G MC74HC1G32-D.PDF
NLVHC1G32DFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G32DFT1G - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVHC1G32DFT2G MC74HC1G32-D.PDF
NLVHC1G32DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVHC1G32DFT2G - Logik-IC, OR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 74HC1G32
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HC
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 74HC1G32
Versorgungsspannung, max.: 6
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X 2287821.pdf
NC7SP125P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP125P5X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.21 грн
500+12.93 грн
1000+9.04 грн
5000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X 2287821.pdf
NC7SP125P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP125P5X - Puffer, 900mV bis 3.6V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 900mV
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+36.87 грн
30+27.29 грн
100+15.21 грн
500+12.93 грн
1000+9.04 грн
5000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP125P5X. 2287821.pdf
NC7SP125P5X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP125P5X. - INVERTING BUFFER, SC-70-5, FULL REEL
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 2 - 1 year
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 900
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Buffer
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KA358A description 2304033.pdf
KA358A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA358A - Operationsverstärker, zweifach, 2 Verstärker, ± 1.5V bis ± 16V, DIP, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: -
Versorgungsspannung: ± 1.5V bis ± 16V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: DIP
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1011AP100G 2236898.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1011AP100G - AC/DC CONV, FLYBACK, 8W, -40 TO 125DEGC
AC-Eingangsspannung, max.: 250
Nennleistung: 8
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
AC-Eingangsspannung, min.: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81074ADR2G ncp81074-d.pdf
NCP81074ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81074ADR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 7Aout, 15ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 10A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 15ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.12 грн
10+99.02 грн
50+89.36 грн
100+74.08 грн
250+59.82 грн
500+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81071BDR2G 2160773.pdf
NCP81071BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071BDR2G - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 5Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.44 грн
10+84.52 грн
50+72.29 грн
100+55.69 грн
250+49.13 грн
500+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCA47N60-F109 ONSM-S-A0013185538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCA47N60-F109
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCA47N60-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.058 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+903.21 грн
5+899.18 грн
10+894.36 грн
50+508.30 грн
100+438.15 грн
250+406.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6316P fdg6316p-d.pdf
FDG6316P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4454TR FAIRS05423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4454TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4454TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4454
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.68 грн
223+3.61 грн
437+1.84 грн
500+1.57 грн
1000+1.32 грн
5000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.31 грн
50+26.48 грн
100+21.65 грн
500+16.52 грн
1500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SPZTA42T1G 2353975.pdf
SPZTA42T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZTA42T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.20 грн
500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPZTA42T1G 2353975.pdf
SPZTA42T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZTA42T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.20 грн
33+24.55 грн
100+13.20 грн
500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BCV72 2724454.pdf
BCV72
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCV72 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV72 2724454.pdf
BCV72
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCV72 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 2907367.pdf
FDD86369-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.29 грн
10+94.18 грн
100+68.02 грн
500+51.05 грн
1000+42.57 грн
5000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369-F085 2907367.pdf
FDD86369-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86369-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0059 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.02 грн
500+51.05 грн
1000+42.57 грн
5000+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86369 FDD86369-D.pdf
FDD86369
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86369 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33074DR2G MC34071-D.PDF
NCV33074DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33074DR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33074ADR2G MC34071-D.PDF
NCV33074ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33074ADR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4201DR2G ONSM-S-A0015958074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4201DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4201DR2G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOIC, 8 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.60 грн
11+77.60 грн
100+56.35 грн
500+42.98 грн
1000+36.92 грн
5000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 nvh4l020n120sc1-d.pdf
NVH4L020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3627.33 грн
5+3497.72 грн
10+3367.32 грн
50+2523.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1 nth4l020n120sc1-d.pdf
NTH4L020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2079.32 грн
5+1871.62 грн
10+1870.82 грн
50+1540.60 грн
100+1393.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SP19P6X FAIRS35299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw nc7sp19-d.pdf
NC7SP19P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SP19P6X - TINYLOGIC ULP 1-OF-2 DECODER/DEMULTIPLEX
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4751A-T50A 2552611.pdf
1N4751A-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4751A-T50A - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33072ADR2G MC34071-D.PDF
NCV33072ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33072ADR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 4.5 MHz, 13 V/µs, 3V bis 44V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 3V bis 44V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KA7553A KA7553A-D.PDF
KA7553A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA7553A - PWM CONTROLLERS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+73.74 грн
19+44.36 грн
100+40.49 грн
500+31.40 грн
1000+25.88 грн
5000+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQP7P06 ONSM-S-A0003585406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP7P06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP7P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.63 грн
10+119.94 грн
100+93.38 грн
500+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYW29-200G description ONSM-S-A0013215132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYW29-200G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BYW29-200G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220B
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYW29
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.84 грн
10+95.80 грн
100+43.79 грн
500+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40WT1G ONSM-S-A0014908647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC807-40WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+14.89 грн
91+8.94 грн
145+5.57 грн
500+3.78 грн
1500+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114TET1G ONSM-S-A0013933713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114TET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.26 грн
155+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N 2304097.pdf
FDC6303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 123050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.30 грн
50+34.21 грн
100+22.22 грн
500+15.70 грн
1500+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDH45N50F-F133 2907371.pdf
FDH45N50F-F133
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+530.50 грн
5+438.72 грн
10+346.15 грн
50+314.70 грн
100+283.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1217AP65G 2160897.pdf
NCP1217AP65G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1217AP65G - PWM-Controller, Current-Mode, 16V Versorgungsspannung, 65/100/133kHz, 1.7mAout, DIP-7
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 65kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 6.9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 16V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.28 грн
11+73.82 грн
50+58.85 грн
100+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1217D100R2G 2160897.pdf
NCP1217D100R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
Bauform - Controller-IC: SOIC
Ausgangsstrom: 500
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 5.6
Eingangsspannung: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1217D100R2G 2160897.pdf
NCP1217D100R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1217D100R2G - PWM-Controller, 13.8V-5.6V Versorgungsspannung, 100kHz, 500mAout, SOIC-8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14FP S110FP-D.pdf
SS14FP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS14FP - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-123HE, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123HE
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+26.89 грн
46+17.79 грн
100+11.11 грн
500+9.34 грн
1000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS5D0N03CTAG NTLJS5D0N03C-D.PDF
NTLJS5D0N03CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS5D0N03CTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G. 2354103.pdf
NTR4170NT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR4170NT1G. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC855N 2304870.pdf
FDC855N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC855N - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0207
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5953BG 1n5913b-d.pdf 10922-sa5-57-datasheet
1N5953BG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5953BG - Zener-Diode, 150 V, 3 W, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5953
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 150V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.30 грн
37+22.06 грн
100+11.99 грн
500+10.46 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT1G 2353764.pdf
BC858CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+7.83 грн
187+4.31 грн
381+2.12 грн
500+1.82 грн
1500+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CDXV6T1G 699592.pdf
BC858CDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 420
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC858CLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858CLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 520
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5994-TD-E 2sc5994-d.pdf
2SC5994-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5994-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.94 грн
26+31.96 грн
50+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6082-1E 2371185.pdf
2SC6082-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6082-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 15 A, 23 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 195MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.63 грн
12+70.84 грн
100+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4027T-TL-E en2262-d.pdf
2SC4027T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC4027T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.80 грн
13+62.71 грн
100+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX04DTR2G MC74LCX04-D.PDF
NLV74LCX04DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX04DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LCX04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LCX04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DG ONSM-S-A0013303303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJL1302DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+518.42 грн
10+390.42 грн
100+261.62 грн
500+204.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1898 1899 1900 1901 1902 1903 1904 1905 1906 1907 1908 1960 2205 2450 2451  [ Наступна Сторінка >> ]