Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146927) > Сторінка 1932 з 2449

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1927 1928 1929 1930 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521SR2C09SURA0-DR1 ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521SR2C09SURA0-DP ONSEMI AR0521-D.PDF Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14082BDG NLV14082BDG ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14082BDR2G NLV14082BDR2G ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF17N40T FQPF17N40T ONSEMI FQPF17N40-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S320 S320 ONSEMI s320-d.pdf Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.85 грн
16+51.66 грн
100+31.86 грн
500+26.90 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C43LT1G BZX84C43LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3124LT1G NUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUD3124LT1G SZNUD3124LT1G ONSEMI 2337868.pdf Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.98 грн
25+33.84 грн
100+25.01 грн
500+21.76 грн
1000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 FQP85N06 ONSEMI 2304200.pdf Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.33 грн
10+211.27 грн
100+175.79 грн
500+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2742B FOD2742B ONSEMI 2299643.pdf description Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.06 грн
12+71.72 грн
25+66.60 грн
50+57.17 грн
100+48.39 грн
500+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030F QSD2030F ONSEMI qsd2030f-d.pdf Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.62 грн
22+38.46 грн
26+32.85 грн
50+25.37 грн
100+18.60 грн
500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHD FGA30T65SHD ONSEMI ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.95 грн
10+319.38 грн
100+288.02 грн
500+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80C FQPF7N80C ONSEMI 2299854.pdf Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSRD8620CTRG. SSRD8620CTRG. ONSEMI Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 2287996.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.65 грн
22+38.87 грн
100+26.24 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17L6X NC7WZ17L6X ONSEMI 1725704.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.24 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17FHX NC7WZ17FHX ONSEMI NC7WZ17-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI EN694-D.html Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.05 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-F155 ONSEMI FCH041N65F-D.PDF Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60NF FCH47N60NF ONSEMI ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.31 грн
5+918.54 грн
10+859.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60N FCH47N60N ONSEMI ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G NCS20071SN2T1G ONSEMI ncs20071-d.pdf Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.42 грн
20+41.51 грн
100+29.79 грн
500+25.44 грн
1000+20.94 грн
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCS333ASN2T1G NCS333ASN2T1G ONSEMI 2620005.pdf Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.76 грн
13+66.85 грн
100+43.33 грн
500+31.04 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.17 грн
20+42.01 грн
100+31.86 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230P2T5G NSVR0230P2T5G ONSEMI NSR0230P2-D.PDF Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 ONSEMI FDH047AN08A0-D.PDF Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 ONSEMI 3005762.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SURS8360BT3G. SURS8360BT3G. ONSEMI 1879303.pdf Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FOD260L FOD260L ONSEMI 2304068.pdf Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.57 грн
10+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD060L FOD060L ONSEMI 2304068.pdf Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 3.75
Bauform - Optokoppler: SOIC
Übertragungsrate: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.57 грн
10+188.99 грн
25+184.86 грн
50+168.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741ATV FOD2741ATV ONSEMI 2277719.pdf Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
CTR, min.: 100%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bandbreite: 50kHz
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1587ADR2G NCP1587ADR2G ONSEMI 1842137.pdf Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1587ADR2G NCP1587ADR2G ONSEMI 1842137.pdf Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP431BISNT1G NCP431BISNT1G ONSEMI 2236974.pdf Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.95 грн
25+33.75 грн
100+22.28 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NCP431BVSNT1G NCP431BVSNT1G ONSEMI 2236974.pdf Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.99 грн
31+27.07 грн
100+14.86 грн
500+13.10 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 ONSEMI ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.56 грн
500+74.56 грн
1000+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 FDS5672 ONSEMI 706285.pdf Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.34 грн
50+87.48 грн
100+73.12 грн
500+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.68 грн
50+27.23 грн
100+21.70 грн
500+13.64 грн
1500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-D.PDF Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.70 грн
500+13.64 грн
1500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDH3595 FDH3595 ONSEMI ONSM-S-A0003589415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 FCP067N65S3 ONSEMI 2304500.pdf Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.51 грн
5+456.38 грн
10+451.43 грн
50+242.16 грн
100+206.56 грн
250+202.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N65S3 FCP099N65S3 ONSEMI 2329397.pdf Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.83 грн
10+245.93 грн
100+206.32 грн
500+172.43 грн
1000+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F ONSEMI FCP150N65F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.39 грн
20+41.59 грн
100+28.55 грн
500+22.53 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.84 грн
500+44.60 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6904-TL-E CPH6904-TL-E ONSEMI ONSMS36621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.19 грн
500+24.98 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3116-TL-E CPH3116-TL-E ONSEMI ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.90 грн
29+28.72 грн
100+14.69 грн
500+12.87 грн
1000+11.18 грн
5000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3116-TL-E CPH3116-TL-E ONSEMI ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.69 грн
500+12.87 грн
1000+11.18 грн
5000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH5517-TL-E CPH5517-TL-E ONSEMI ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.39 грн
20+41.59 грн
100+28.55 грн
500+22.53 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3105-TL-E CPH3105-TL-E ONSEMI 2236994.pdf Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3105-TL-E CPH3105-TL-E ONSEMI 2236994.pdf Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W CPH6341-TL-W ONSEMI 2337999.pdf Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.52 грн
22+38.79 грн
100+28.14 грн
500+21.00 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085 FFSB20120A-F085 ONSEMI 2711354.pdf Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1414.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 FFSB1065B-F085 ONSEMI ONSM-S-A0017607524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.03 грн
10+141.12 грн
100+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 FDD8445 ONSEMI ONSM-S-A0003590214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.34 грн
50+65.69 грн
100+52.16 грн
500+41.23 грн
1000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CAT102TDI-GT3 CAT102TDI-GT3 ONSEMI 2255335.pdf Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.79 грн
12+71.72 грн
50+62.72 грн
100+49.81 грн
250+45.20 грн
500+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F ONSEMI FCP104N60F-D.pdf Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20081SQ2T2G NCS20081SQ2T2G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.86 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DR1 AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0521SR2C09SURA0-DP AR0521-D.PDF
AR0521SR2C09SURA0-DP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14082BDG MC14001B-D.PDF
NLV14082BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14082BDR2G MC14001B-D.PDF
NLV14082BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF17N40T FQPF17N40-D.pdf
FQPF17N40T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S320 s320-d.pdf
S320
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.85 грн
16+51.66 грн
100+31.86 грн
500+26.90 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C43LT1G 2236792.pdf
BZX84C43LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUD3124LT1G 2337868.pdf
NUD3124LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUD3124LT1G 2337868.pdf
SZNUD3124LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3124LT1G - Relaistreiber induktive Last 28V Drain/Source-Spannung, 12V Gate/Source-Spannung, 200mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 200mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.98 грн
25+33.84 грн
100+25.01 грн
500+21.76 грн
1000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQP85N06 2304200.pdf
FQP85N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP85N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.33 грн
10+211.27 грн
100+175.79 грн
500+134.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2742B description 2299643.pdf
FOD2742B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2742B - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, SOIC, 8 Pin(s), 2.5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 100%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 50kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.06 грн
12+71.72 грн
25+66.60 грн
50+57.17 грн
100+48.39 грн
500+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
QSD2030F qsd2030f-d.pdf
QSD2030F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030F - Photodiode, 20°, 10nA, 880nm, T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20°
Dunkelstrom: 0.01µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.62 грн
22+38.46 грн
26+32.85 грн
50+25.37 грн
100+18.60 грн
500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30T65SHD ONSM-S-A0003590852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FGA30T65SHD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.95 грн
10+319.38 грн
100+288.02 грн
500+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N80C 2299854.pdf
FQPF7N80C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF7N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6.6 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSRD8620CTRG.
SSRD8620CTRG.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SSRD8620CTRG. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Anode, 1.3 V, 75 ns
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 45
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: SSRD8620CT
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17L6X 2287996.pdf
NC7WZ17L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logikbaustein: Puffer, Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.65 грн
22+38.87 грн
100+26.24 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17L6X 1725704.pdf
NC7WZ17L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17L6X - Puffer, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.24 грн
500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ17FHX NC7WZ17-D.PDF
NC7WZ17FHX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ17FHX - BUFFERS & TRANSCEIVERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1048-6-TB-E EN694-D.html
2SD1048-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.05 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FCH041N65F-F155 FCH041N65F-D.PDF
FCH041N65F-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH041N65F-F155 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60NF ONSM-S-A0012109438-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60NF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60NF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45.8 A, 0.0575 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 45.8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0575
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+976.31 грн
5+918.54 грн
10+859.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60N ONSM-S-A0012400105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH47N60N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH47N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.0515 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 368
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 368
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0515
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0515
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20071SN2T1G ncs20071-d.pdf
NCS20071SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20071SN2T1G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 1 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.42 грн
20+41.51 грн
100+29.79 грн
500+25.44 грн
1000+20.94 грн
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCS333ASN2T1G 2620005.pdf
NCS333ASN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS333ASN2T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 3.5µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.76 грн
13+66.85 грн
100+43.33 грн
500+31.04 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.4
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.17 грн
20+42.01 грн
100+31.86 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVR0230P2T5G NSR0230P2-D.PDF
NSVR0230P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVR0230P2T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 200 MA, 30 V
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0-D.PDF
FDH047AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 3005762.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SURS8360BT3G. 1879303.pdf
SURS8360BT3G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FOD260L 2304068.pdf
FOD260L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.57 грн
10+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD060L 2304068.pdf
FOD060L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 3.75
Bauform - Optokoppler: SOIC
Übertragungsrate: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.57 грн
10+188.99 грн
25+184.86 грн
50+168.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2741ATV 2277719.pdf
FOD2741ATV
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
CTR, min.: 100%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bandbreite: 50kHz
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1587ADR2G 1842137.pdf
NCP1587ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1587ADR2G 1842137.pdf
NCP1587ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP431BISNT1G 2236974.pdf
NCP431BISNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.95 грн
25+33.75 грн
100+22.28 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NCP431BVSNT1G 2236974.pdf
NCP431BVSNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.99 грн
31+27.07 грн
100+14.86 грн
500+13.10 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 ONSM-S-A0013339610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS5670
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.56 грн
500+74.56 грн
1000+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5672 706285.pdf
FDS5672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.34 грн
50+87.48 грн
100+73.12 грн
500+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.68 грн
50+27.23 грн
100+21.70 грн
500+13.64 грн
1500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.70 грн
500+13.64 грн
1500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDH3595 ONSM-S-A0003589415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDH3595
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP067N65S3 2304500.pdf
FCP067N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+460.51 грн
5+456.38 грн
10+451.43 грн
50+242.16 грн
100+206.56 грн
250+202.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP099N65S3 2329397.pdf
FCP099N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.83 грн
10+245.93 грн
100+206.32 грн
500+172.43 грн
1000+156.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCP150N65F FCP150N65F-D.pdf
FCP150N65F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.39 грн
20+41.59 грн
100+28.55 грн
500+22.53 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G 2711422.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.84 грн
500+44.60 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6904-TL-E ONSMS36621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH6904-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.19 грн
500+24.98 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3116-TL-E ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH3116-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.90 грн
29+28.72 грн
100+14.69 грн
500+12.87 грн
1000+11.18 грн
5000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3116-TL-E ONSMS36465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH3116-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.69 грн
500+12.87 грн
1000+11.18 грн
5000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CPH5517-TL-E ONSMS36276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CPH5517-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.39 грн
20+41.59 грн
100+28.55 грн
500+22.53 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3105-TL-E 2236994.pdf
CPH3105-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH3105-TL-E 2236994.pdf
CPH3105-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CPH6341-TL-W 2337999.pdf
CPH6341-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.52 грн
22+38.79 грн
100+28.14 грн
500+21.00 грн
1000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB20120A-F085 2711354.pdf
FFSB20120A-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1414.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSB1065B-F085 ONSM-S-A0017607524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFSB1065B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.03 грн
10+141.12 грн
100+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8445 ONSM-S-A0003590214-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD8445
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.34 грн
50+65.69 грн
100+52.16 грн
500+41.23 грн
1000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CAT102TDI-GT3 2255335.pdf
CAT102TDI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.79 грн
12+71.72 грн
50+62.72 грн
100+49.81 грн
250+45.20 грн
500+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FCP104N60F FCP104N60F-D.pdf
FCP104N60F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCS20081SQ2T2G 2907099.pdf
NCS20081SQ2T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.86 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 244 488 732 976 1220 1464 1708 1927 1928 1929 1930 1931 1932 1933 1934 1935 1936 1937 1952 2196 2440 2449  [ Наступна Сторінка >> ]