Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140418) > Сторінка 2087 з 2341

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2082 2083 2084 2085 2086 2087 2088 2089 2090 2091 2092 2106 2340 2341  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FSBB20CH60F ONSEMI ONSM-S-A0003588375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FSBB20CH60F - IPM, IGBT, 20A, 600V, SPMCA-027
tariffCode: 85415900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660 ONSEMI FAIRS35171-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FSB660 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3562+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
FSB560A ONSEMI FSB560A-D.PDF Description: ONSEMI - FSB560A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50650BS FSB50650BS ONSEMI ONSM-S-A0013297088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FSB50650BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 4 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+396.03 грн
250+388.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G ONSEMI ONSM-S-A0013297074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - GF1G - DIODE, 400V, 1A, DO214AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 59320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.51 грн
32+25.87 грн
100+17.33 грн
500+12.46 грн
1000+9.27 грн
5000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A ONSEMI GF1A-D.PDF Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.44 грн
500+13.75 грн
1000+9.69 грн
5000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DBD10G-E ONSEMI DBD10G.pdf Description: ONSEMI - DBD10G-E - DBD10G-E, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
MDB10SS MDB10SS ONSEMI FAIRS44832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MDB10SS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1030294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SG6742WMRSY SG6742WMRSY ONSEMI s?s=cqzWvY+gmBxjVew2RD7mdw== Description: ONSEMI - SG6742WMRSY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MBR160RLG MBR160RLG ONSEMI ONSM-S-A0013296880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MBR160RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.38 грн
64+12.85 грн
100+12.20 грн
500+10.50 грн
1000+9.13 грн
2500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW72LT1 ONSEMI ONSMS10813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBCW72LT1 - SBCW72LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW30LT1G ONSEMI ONSMS21163-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SBCW30LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 436000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6561+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 6561
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW33LT1G ONSEMI ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SBCW33LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6887+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 6887
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW66GLT1G ONSEMI BCW66X_SER.pdf Description: ONSEMI - SBCW66GLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5952+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 5952
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335ADM330R2G NCP3335ADM330R2G ONSEMI ONSM-S-A0014421687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP3335ADM330R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 12Vin, 260mV Dropout-Spannung, 3.3V/700mAout, -8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: Mikro
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 700mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.19 грн
250+45.18 грн
500+43.02 грн
1000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1G NSVF4015SG4T1G ONSEMI nsvf4015sg4-d.pdf Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.21 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030K4S UF4SC120030K4S ONSEMI 3971400.pdf Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.96 грн
5+1412.13 грн
10+1411.32 грн
50+1167.75 грн
100+945.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S ONSEMI UJ4C075060K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.02 грн
5+837.03 грн
10+632.04 грн
50+572.55 грн
100+515.95 грн
250+502.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S ONSEMI UJ4SC075006K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3649.91 грн
5+3577.51 грн
10+3504.30 грн
50+3186.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S ONSEMI 3971381.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+809.37 грн
5+793.11 грн
10+776.84 грн
50+706.24 грн
100+637.97 грн
250+624.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S ONSEMI 3971379.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.30 грн
5+1278.73 грн
10+1220.98 грн
50+1079.38 грн
100+859.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S ONSEMI 3971377.pdf Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2778.72 грн
5+2555.83 грн
10+2371.18 грн
50+2034.13 грн
100+1805.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S ONSEMI UJ4SC075011K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2146.67 грн
5+1931.92 грн
10+1760.29 грн
50+1475.93 грн
100+1215.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4S UJ4C075044K4S ONSEMI 3971382.pdf Description: ONSEMI - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1076.18 грн
5+1048.53 грн
10+1020.06 грн
50+831.63 грн
100+663.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1232DR2 NCP1232DR2 ONSEMI ONSM-S-A0005940456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1232DR2 - NCP1232DR2, AC / DC OFF LINE CONVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FT7511L6X ONSEMI ONSM-S-A0003587678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FT7511L6X - PROGRAMMABLE TIMER, CMOS, PDSO6
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FTL75939UCX ONSEMI ONSM-S-A0003587694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FTL75939UCX - PROGRAMMABLE TIMER, CMOS, PBGA12
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 183967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC ONSEMI 3213458.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.52 грн
10+348.15 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
1000+189.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC NTMTSC4D3N15MC ONSEMI 3213458.pdf Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+348.15 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
1000+189.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R3710-CEAA-E1 ONSEMI ONSM-S-A0003167453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - R3710-CEAA-E1 - R3710-CEAA-E1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SB3230-E1-T SB3230-E1-T ONSEMI ONSMS26087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SB3230-E1-T - Digitaler Signalprozessor, vorkonfiguriert, 1 Core, 4.218MHz, 0V bis 800mV, LGA-25
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kerne: 1Cores
DSP: Vorkonfiguriert
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Anzahl der MIPS: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Programmspeichergröße: 256Kbit
Versorgungsspannung, min.: 0V
Betriebsfrequenz, max.: 4.218MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: -
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Datenbusbreite: -
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 800mV
Schnittstellen: I2C, seriell
Betriebstemperatur, max.: 40°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+2447.64 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FSA3157BL6X ONSEMI FAIRS46569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FSA3157BL6X - MULTIPLEXERS / DEMULTIPLEXERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSA3157BFHX ONSEMI FAIRS46569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FSA3157BFHX - MULTIPLEXERS / DEMULTIPLEXERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-G ONSEMI fdd8896_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD8896-G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+444.14 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-SN00320 ONSEMI fdd8896-d.pdf Description: ONSEMI - FDD8896-SN00320 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-F085 ONSEMI FAIRS45317-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8896-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MC1416BDR2 MC1416BDR2 ONSEMI ONSMS28948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC1416BDR2 - TRANS DARLINGTON NPN 0.5A 16-PIN SOIC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NSCT817-25LT3G NSCT817-25LT3G ONSEMI NSCT817-25LT1-D.pdf Description: ONSEMI - NSCT817-25LT3G - TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1328-ST1 ONSEMI ONSM-S-A0013298770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MSD1328-ST1 - TRANS NPN 20V 0.5A SC-59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H ONSEMI ec4h08c.pdf Description: ONSEMI - EC4H08C-TL-H - TRANS NPN 3.5V 15MA ECSP1008-4
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSCT817-25LT1G NSCT817-25LT1G ONSEMI nsct817-25lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSCT817-25LT1G - TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NSCT817-40LT3G NSCT817-40LT3G ONSEMI NSCT817-25LT1-D.pdf Description: ONSEMI - NSCT817-40LT3G - TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1 ONSEMI Description: ONSEMI - SBCP56T1 - SBCP56 - TRANS NPN 80V 1A SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PCP1203-P-TD-H ONSEMI Description: ONSEMI - PCP1203-P-TD-H - PCP1203 - TRANS NPN 30V 1.5A PCP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 107611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MCH4020-TL-E ONSEMI ENA1280-D.PDF Description: ONSEMI - MCH4020-TL-E - TRANS NPN 8V 150MA MCPH4
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWG NVMYS1D3N04CTWG ONSEMI nvmys1d3n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.74 грн
10+148.86 грн
100+143.17 грн
500+128.41 грн
1000+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWG NVMYS1D3N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013750074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.78 грн
500+121.61 грн
1000+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG ONSEMI nvmjs1d3n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG ONSEMI nvmjs1d3n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS021N06CLTWG NTMYS021N06CLTWG ONSEMI 2850029.pdf Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.86 грн
10+113.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWG NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI 2850038.pdf Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.43 грн
10+127.71 грн
25+114.70 грн
100+94.42 грн
500+71.12 грн
1000+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.39 грн
10+81.34 грн
100+60.60 грн
500+55.74 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS010N04CLTWG NTMYS010N04CLTWG ONSEMI 2850026.pdf Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.79 грн
500+60.58 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWG NTMYS5D3N04CTWG ONSEMI 2850032.pdf Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS021N06CLTWG NTMYS021N06CLTWG ONSEMI 2850029.pdf Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWG NTMYS5D3N04CTWG ONSEMI 2850032.pdf Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.97 грн
14+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS010N04CLTWG NTMYS010N04CLTWG ONSEMI 2850026.pdf Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.18 грн
10+110.63 грн
100+76.79 грн
500+60.58 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.44 грн
10+173.26 грн
100+120.39 грн
500+101.97 грн
1000+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG ONSEMI ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.60 грн
500+55.74 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG ONSEMI 4019769.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.39 грн
500+101.97 грн
1000+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB20CH60F ONSM-S-A0003588375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB20CH60F - IPM, IGBT, 20A, 600V, SPMCA-027
tariffCode: 85415900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660 FAIRS35171-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3562+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
FSB560A FSB560A-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB560A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50650BS ONSM-S-A0013297088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FSB50650BS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50650BS - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 500 V, 4 A, 1.5 kV, SPM5Q-023, SPM5
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM5Q-023
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
euEccn: NLR
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Produktpalette: Motion SPM 5 Series
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+396.03 грн
250+388.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GF1G ONSM-S-A0013297074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1G - DIODE, 400V, 1A, DO214AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 59320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.51 грн
32+25.87 грн
100+17.33 грн
500+12.46 грн
1000+9.27 грн
5000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
GF1A GF1A-D.PDF
GF1A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 27341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.44 грн
500+13.75 грн
1000+9.69 грн
5000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DBD10G-E DBD10G.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DBD10G-E - DBD10G-E, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
980+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
MDB10SS FAIRS44832-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MDB10SS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MDB10SS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1030294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
SG6742WMRSY s?s=cqzWvY+gmBxjVew2RD7mdw==
SG6742WMRSY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SG6742WMRSY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MBR160RLG ONSM-S-A0013296880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MBR160RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBR160RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 750 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 750mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.38 грн
64+12.85 грн
100+12.20 грн
500+10.50 грн
1000+9.13 грн
2500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW72LT1 ONSMS10813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCW72LT1 - SBCW72LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW30LT1G ONSMS21163-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCW30LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 436000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6561+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 6561
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW33LT1G ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCW33LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 423000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6887+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 6887
В кошику  од. на суму  грн.
SBCW66GLT1G BCW66X_SER.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCW66GLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 876000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5952+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 5952
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335ADM330R2G ONSM-S-A0014421687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP3335ADM330R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3335ADM330R2G - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 12Vin, 260mV Dropout-Spannung, 3.3V/700mAout, -8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: Mikro
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 12V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 700mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.19 грн
250+45.18 грн
500+43.02 грн
1000+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4015SG4T1G nsvf4015sg4-d.pdf
NSVF4015SG4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.21 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF4SC120030K4S 3971400.pdf
UF4SC120030K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1534.96 грн
5+1412.13 грн
10+1411.32 грн
50+1167.75 грн
100+945.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S-D.PDF
UJ4C075060K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1042.02 грн
5+837.03 грн
10+632.04 грн
50+572.55 грн
100+515.95 грн
250+502.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S-D.PDF
UJ4SC075006K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3649.91 грн
5+3577.51 грн
10+3504.30 грн
50+3186.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033K4S 3971381.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+809.37 грн
5+793.11 грн
10+776.84 грн
50+706.24 грн
100+637.97 грн
250+624.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K4S 3971379.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075018K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1337.30 грн
5+1278.73 грн
10+1220.98 грн
50+1079.38 грн
100+859.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009K4S 3971377.pdf
UJ4SC075009K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2778.72 грн
5+2555.83 грн
10+2371.18 грн
50+2034.13 грн
100+1805.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S-D.PDF
UJ4SC075011K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2146.67 грн
5+1931.92 грн
10+1760.29 грн
50+1475.93 грн
100+1215.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K4S 3971382.pdf
UJ4C075044K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1076.18 грн
5+1048.53 грн
10+1020.06 грн
50+831.63 грн
100+663.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1232DR2 ONSM-S-A0005940456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1232DR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1232DR2 - NCP1232DR2, AC / DC OFF LINE CONVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FT7511L6X ONSM-S-A0003587678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FT7511L6X - PROGRAMMABLE TIMER, CMOS, PDSO6
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FTL75939UCX ONSM-S-A0003587694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FTL75939UCX - PROGRAMMABLE TIMER, CMOS, PBGA12
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 183967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC 3213458.pdf
NTMTSC4D3N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+503.52 грн
10+348.15 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
1000+189.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTSC4D3N15MC 3213458.pdf
NTMTSC4D3N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+348.15 грн
100+255.42 грн
500+209.98 грн
1000+189.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R3710-CEAA-E1 ONSM-S-A0003167453-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - R3710-CEAA-E1 - R3710-CEAA-E1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SB3230-E1-T ONSMS26087-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SB3230-E1-T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB3230-E1-T - Digitaler Signalprozessor, vorkonfiguriert, 1 Core, 4.218MHz, 0V bis 800mV, LGA-25
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kerne: 1Cores
DSP: Vorkonfiguriert
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
usEccn: EAR99
Anzahl der MIPS: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Programmspeichergröße: 256Kbit
Versorgungsspannung, min.: 0V
Betriebsfrequenz, max.: 4.218MHz
euEccn: NLR
RAM-Speichergröße: -
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
Datenbusbreite: -
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 800mV
Schnittstellen: I2C, seriell
Betriebstemperatur, max.: 40°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2447.64 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FSA3157BL6X FAIRS46569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA3157BL6X - MULTIPLEXERS / DEMULTIPLEXERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSA3157BFHX FAIRS46569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA3157BFHX - MULTIPLEXERS / DEMULTIPLEXERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-G fdd8896_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896-G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+444.14 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-SN00320 fdd8896-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896-SN00320 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8896-F085 FAIRS45317-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8896-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MC1416BDR2 ONSMS28948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC1416BDR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC1416BDR2 - TRANS DARLINGTON NPN 0.5A 16-PIN SOIC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NSCT817-25LT3G NSCT817-25LT1-D.pdf
NSCT817-25LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSCT817-25LT3G - TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
MSD1328-ST1 ONSM-S-A0013298770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MSD1328-ST1 - TRANS NPN 20V 0.5A SC-59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 519000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H ec4h08c.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EC4H08C-TL-H - TRANS NPN 3.5V 15MA ECSP1008-4
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSCT817-25LT1G nsct817-25lt1-d.pdf
NSCT817-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSCT817-25LT1G - TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
NSCT817-40LT3G NSCT817-25LT1-D.pdf
NSCT817-40LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSCT817-40LT3G - TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
SBCP56T1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBCP56T1 - SBCP56 - TRANS NPN 80V 1A SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PCP1203-P-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCP1203-P-TD-H - PCP1203 - TRANS NPN 30V 1.5A PCP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 107611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MCH4020-TL-E ENA1280-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCH4020-TL-E - TRANS NPN 8V 150MA MCPH4
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1400+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWG nvmys1d3n04c-d.pdf
NVMYS1D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.74 грн
10+148.86 грн
100+143.17 грн
500+128.41 грн
1000+113.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D3N04CTWG ONSM-S-A0013750074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMYS1D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.78 грн
500+121.61 грн
1000+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG nvmjs1d3n04c-d.pdf
NVMJS1D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG nvmjs1d3n04c-d.pdf
NVMJS1D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS021N06CLTWG 2850029.pdf
NTMYS021N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.86 грн
10+113.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWG 2850038.pdf
NVMJS2D5N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.43 грн
10+127.71 грн
25+114.70 грн
100+94.42 грн
500+71.12 грн
1000+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.39 грн
10+81.34 грн
100+60.60 грн
500+55.74 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS010N04CLTWG 2850026.pdf
NTMYS010N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.79 грн
500+60.58 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWG 2850032.pdf
NTMYS5D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS021N06CLTWG 2850029.pdf
NTMYS021N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS5D3N04CTWG 2850032.pdf
NTMYS5D3N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.97 грн
14+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS010N04CLTWG 2850026.pdf
NTMYS010N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.18 грн
10+110.63 грн
100+76.79 грн
500+60.58 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG 4019769.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.44 грн
10+173.26 грн
100+120.39 грн
500+101.97 грн
1000+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG ONSM-S-A0013299858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.60 грн
500+55.74 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWG 4019769.pdf
NTMJS1D4N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+120.39 грн
500+101.97 грн
1000+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2082 2083 2084 2085 2086 2087 2088 2089 2090 2091 2092 2106 2340 2341  [ Наступна Сторінка >> ]