Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146963) > Сторінка 405 з 2450

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
6000+9.49 грн
9000+9.03 грн
15000+7.99 грн
21000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G NSS20101JT1G onsemi nss20101j-d.pdf Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G onsemi nss40300d-d.pdf Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.72 грн
5000+23.80 грн
7500+22.82 грн
12500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G onsemi nss40302p-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.22 грн
5000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5411NT4G NTB5411NT4G onsemi ntb5411n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5412NT4G NTB5412NT4G onsemi ntb5412n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5414NT4G NTD5414NT4G onsemi ntd5414n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4G NTD5802NT4G onsemi ntd5802n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.60 грн
5000+62.69 грн
12500+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1G NTGS1135PT1G onsemi ntgs1135p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4823NT1G NTMFS4823NT1G onsemi ntmfs4823n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G onsemi ntud3169cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+10.27 грн
16000+9.25 грн
24000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G onsemi ntud3170nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+16.07 грн
16000+14.41 грн
24000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2G NTZD3156CT2G onsemi ntzd3156c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5G NTZD3156CT5G onsemi ntzd3156c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4105MUTAG NUP4105MUTAG onsemi NUP4105MU.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 14VC 10UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: 10-UDFN (2.6x2.6)
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 450W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WS FCD4N60TM_WS onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS onsemi fdu6n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AC FDS4897AC onsemi fds4897ac-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2268L10X FSA2268L10X onsemi Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Break-Before-Make
Package / Case: 10-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Audio
On-State Resistance (Max): 300mOhm (Typ)
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-MicroPak™
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321LX FSQ321LX onsemi Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Supplier Device Package: 8-LSOP
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Sync
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 12 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WS FCD4N60TM_WS onsemi fcd4n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi fcu5n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
10+83.61 грн
100+68.50 грн
500+56.08 грн
1000+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AC FDS4897AC onsemi fds4897ac-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2268L10X FSA2268L10X onsemi Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Break-Before-Make
Package / Case: 10-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Audio
On-State Resistance (Max): 300mOhm (Typ)
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-MicroPak™
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+73.03 грн
25+61.09 грн
100+44.71 грн
250+38.51 грн
500+34.70 грн
1000+30.99 грн
2500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321LX FSQ321LX onsemi Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Supplier Device Package: 8-LSOP
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Sync
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 12 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L NDB5060L onsemi ndb5060l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.95 грн
10+143.61 грн
100+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240HT1G NSR0240HT1G onsemi nsr0240h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240V2T1G NSR0240V2T1G onsemi nsr0240v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
6000+5.79 грн
9000+5.48 грн
15000+4.82 грн
21000+4.63 грн
30000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340HT1G NSR0340HT1G onsemi nsr0340h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.15 грн
6000+1.98 грн
9000+1.97 грн
15000+1.78 грн
21000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340V2T1G NSR0340V2T1G onsemi nsr0340v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
6000+2.90 грн
9000+2.87 грн
15000+2.68 грн
21000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240HT1G NSR0240HT1G onsemi nsr0240h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.14 грн
45+6.82 грн
100+5.51 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240V2T1G NSR0240V2T1G onsemi nsr0240v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 49585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
17+18.16 грн
100+11.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340HT1G NSR0340HT1G onsemi nsr0340h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 28651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.16 грн
68+4.52 грн
100+4.36 грн
500+3.42 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340V2T1G NSR0340V2T1G onsemi nsr0340v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 26229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.32 грн
35+8.89 грн
100+6.35 грн
500+5.21 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904F3T5G NST3904F3T5G onsemi nst3904f3-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 290 mW
на замовлення 131342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.63 грн
100+10.47 грн
500+7.30 грн
1000+6.48 грн
2000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5G NST847BF3T5G onsemi nst847bf3-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 290 mW
на замовлення 12586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
14+22.84 грн
100+11.53 грн
500+8.83 грн
1000+6.55 грн
2000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0520V2T1G NSR0520V2T1G onsemi nsr0520v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
на замовлення 17101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
26+11.95 грн
100+7.63 грн
500+6.36 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G NSR0530P2T5G onsemi nsr0530p2-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 44528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.30 грн
26+11.95 грн
100+9.69 грн
500+7.00 грн
1000+6.01 грн
2000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40 FDP15N40 onsemi fdp15n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40 FDP19N40 onsemi fdp19n40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N33BTTU FGPF70N33BTTU onsemi FGPF70N33BT.pdf Description: IGBT 330V 48W TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-220F-3
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 49 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5361UC12X FAN5361UC12X onsemi FAN5361%20rev2008.pdf Description: IC REG BUCK 1.2V 600MA 6WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z onsemi fdms6681z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5361UC12X FAN5361UC12X onsemi FAN5361%20rev2008.pdf Description: IC REG BUCK 1.2V 600MA 6WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z onsemi fdms6681z-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50F FDA28N50F onsemi fda28n50f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5387 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZ FDMA3023PZ onsemi fdma3023pz-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.96 грн
6000+21.37 грн
9000+20.54 грн
15000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ onsemi fdmc6675bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7670 FDMS7670 onsemi fdms7670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B onsemi FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78M08CT LM78M08CT onsemi LM78Mxx.pdf Description: IC REG LINEAR 8V 500MA TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 8V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78M18CT LM78M18CT onsemi LM78Mxx.pdf Description: IC REG LINEAR 18V 500MA TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 18V
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78T05CT LM78T05CT onsemi LM78T05.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 75dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2.5V @ 3A
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78T12CT LM78T12CT onsemi LM78T05.pdf Description: IC REG LINEAR 12V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 12V
PSRR: 67dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2.5V @ 3A
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78T15CT LM78T15CT onsemi LM78T05.pdf Description: IC REG LINEAR 15V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 15V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2.5V @ 3A
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZ FDMA3023PZ onsemi fdma3023pz-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+56.71 грн
100+37.40 грн
500+27.33 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ FDMC6675BZ onsemi fdmc6675bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.21 грн
10+72.65 грн
100+50.29 грн
500+40.43 грн
1000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ FDMS6673BZ onsemi fdms6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.94 грн
10+107.36 грн
100+76.83 грн
500+59.41 грн
1000+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
NSS1C201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
6000+9.49 грн
9000+9.03 грн
15000+7.99 грн
21000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20101JT1G nss20101j-d.pdf
NSS20101JT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300DDR2G nss40300d-d.pdf
NSS40300DDR2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.72 грн
5000+23.80 грн
7500+22.82 грн
12500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2G nss40302p-d.pdf
NSS40302PDR2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.22 грн
5000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5411NT4G ntb5411n-d.pdf
NTB5411NT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB5412NT4G ntb5412n-d.pdf
NTB5412NT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5414NT4G ntd5414n-d.pdf
NTD5414NT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5802NT4G ntd5802n-d.pdf
NTD5802NT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.60 грн
5000+62.69 грн
12500+60.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS1135PT1G ntgs1135p-d.pdf
NTGS1135PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4823NT1G ntmfs4823n-d.pdf
NTMFS4823NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G ntud3169cz-d.pdf
NTUD3169CZT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+10.27 грн
16000+9.25 грн
24000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G ntud3170nz-d.pdf
NTUD3170NZT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+16.07 грн
16000+14.41 грн
24000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2G ntzd3156c-d.pdf
NTZD3156CT2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5G ntzd3156c-d.pdf
NTZD3156CT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUP4105MUTAG NUP4105MU.pdf
NUP4105MUTAG
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 3.3VWM 14VC 10UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: 10-UDFN (2.6x2.6)
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14V
Power - Peak Pulse: 450W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WS fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM_WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6N50TM-WS fdu6n50-d.pdf
FDD6N50TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AC fds4897ac-d.pdf
FDS4897AC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2268L10X
FSA2268L10X
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Break-Before-Make
Package / Case: 10-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Audio
On-State Resistance (Max): 300mOhm (Typ)
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-MicroPak™
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321LX
FSQ321LX
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Supplier Device Package: 8-LSOP
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Sync
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 12 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM_WS fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM_WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM-WS fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+83.61 грн
100+68.50 грн
500+56.08 грн
1000+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897AC fds4897ac-d.pdf
FDS4897AC
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA2268L10X
FSA2268L10X
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MICROPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Break-Before-Make
Package / Case: 10-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Audio
On-State Resistance (Max): 300mOhm (Typ)
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-MicroPak™
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 2
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+73.03 грн
25+61.09 грн
100+44.71 грн
250+38.51 грн
500+34.70 грн
1000+30.99 грн
2500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321LX
FSQ321LX
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Supplier Device Package: 8-LSOP
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Sync
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 12 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDB5060L ndb5060l-d.pdf
NDB5060L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.95 грн
10+143.61 грн
100+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240HT1G nsr0240h-d.pdf
NSR0240HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240V2T1G nsr0240v2t1-d.pdf
NSR0240V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.64 грн
6000+5.79 грн
9000+5.48 грн
15000+4.82 грн
21000+4.63 грн
30000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340HT1G nsr0340h-d.pdf
NSR0340HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.15 грн
6000+1.98 грн
9000+1.97 грн
15000+1.78 грн
21000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340V2T1G nsr0340v2t1-d.pdf
NSR0340V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.19 грн
6000+2.90 грн
9000+2.87 грн
15000+2.68 грн
21000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240HT1G nsr0240h-d.pdf
NSR0240HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.14 грн
45+6.82 грн
100+5.51 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0240V2T1G nsr0240v2t1-d.pdf
NSR0240V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 49585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
17+18.16 грн
100+11.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340HT1G nsr0340h-d.pdf
NSR0340HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 28651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.16 грн
68+4.52 грн
100+4.36 грн
500+3.42 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0340V2T1G nsr0340v2t1-d.pdf
NSR0340V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 40 V
на замовлення 26229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
35+8.89 грн
100+6.35 грн
500+5.21 грн
1000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904F3T5G nst3904f3-d.pdf
NST3904F3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT-1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 290 mW
на замовлення 131342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.85 грн
19+16.63 грн
100+10.47 грн
500+7.30 грн
1000+6.48 грн
2000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NST847BF3T5G nst847bf3-d.pdf
NST847BF3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 290 mW
на замовлення 12586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+22.84 грн
100+11.53 грн
500+8.83 грн
1000+6.55 грн
2000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0520V2T1G nsr0520v2t1-d.pdf
NSR0520V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 20 V
на замовлення 17101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
26+11.95 грн
100+7.63 грн
500+6.36 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G nsr0530p2-d.pdf
NSR0530P2T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 44528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
26+11.95 грн
100+9.69 грн
500+7.00 грн
1000+6.01 грн
2000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40 fdp15n40-d.pdf
FDP15N40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40 fdp19n40-d.pdf
FDP19N40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N33BTTU FGPF70N33BT.pdf
FGPF70N33BTTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 330V 48W TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-220F-3
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 49 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 48 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5361UC12X FAN5361%20rev2008.pdf
FAN5361UC12X
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK 1.2V 600MA 6WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z fdms6681z-d.pdf
FDMS6681Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5361UC12X FAN5361%20rev2008.pdf
FAN5361UC12X
Виробник: onsemi
Description: IC REG BUCK 1.2V 600MA 6WLCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z fdms6681z-d.pdf
FDMS6681Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50F fda28n50f-d.pdf
FDA28N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5387 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZ fdma3023pz-d.pdf
FDMA3023PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.96 грн
6000+21.37 грн
9000+20.54 грн
15000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ fdmc6675bz-d.pdf
FDMC6675BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7670 fdms7670-d.pdf
FDMS7670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4105 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8958B
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78M08CT LM78Mxx.pdf
LM78M08CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 8V 500MA TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 8V
PSRR: 80dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78M18CT LM78Mxx.pdf
LM78M18CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 18V 500MA TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 18V
PSRR: 70dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78T05CT LM78T05.pdf
LM78T05CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 5V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Part Status: Obsolete
PSRR: 75dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2.5V @ 3A
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78T12CT LM78T05.pdf
LM78T12CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 12V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 35V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 12V
PSRR: 67dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2.5V @ 3A
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM78T15CT LM78T05.pdf
LM78T15CT
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 15V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 3A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 15V
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2.5V @ 3A
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMA3023PZ fdma3023pz-d.pdf
FDMA3023PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+56.71 грн
100+37.40 грн
500+27.33 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC6675BZ fdmc6675bz-d.pdf
FDMC6675BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.21 грн
10+72.65 грн
100+50.29 грн
500+40.43 грн
1000+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6673BZ fdms6673bz-d.pdf
FDMS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5915 pF @ 15 V
на замовлення 58344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.94 грн
10+107.36 грн
100+76.83 грн
500+59.41 грн
1000+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2450  [ Наступна Сторінка >> ]