Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (134766) > Сторінка 606 з 2247

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 224 448 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 672 896 1120 1344 1568 1792 2016 2240 2247  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NRVBB20100CTT4G NRVBB20100CTT4G onsemi mbrb20100ct-d.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
товар відсутній
NRVBS4201T3G NRVBS4201T3G onsemi mbrs4201t3-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.4 грн
10+ 85.84 грн
100+ 68.32 грн
500+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
NRVS1504T3G NRVS1504T3G onsemi mrs1504t3-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.04 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
NSR01F30MXT5G NSR01F30MXT5G onsemi nsr01f30mx-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2X3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 248382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.67 грн
16+ 17.91 грн
100+ 9.06 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 5.14 грн
2000+ 4.33 грн
5000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS60100DMTTBG NSS60100DMTTBG onsemi nss60100dmt-d.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+40.71 грн
10+ 33.86 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSS60101DMTTBG NSS60101DMTTBG onsemi nss60101dmt-d.pdf Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.41 грн
10+ 34.2 грн
100+ 23.77 грн
500+ 17.41 грн
1000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV1C301ET4G-VF01 NSV1C301ET4G-VF01 onsemi nss1c301e-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV20200LT1G NSV20200LT1G onsemi nss20200l-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 623740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.59 грн
11+ 26.23 грн
100+ 18.21 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV40201LT1G NSV40201LT1G onsemi nss40201l-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 10912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.88 грн
12+ 24.33 грн
100+ 16.55 грн
500+ 11.64 грн
1000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60601MZ4T1G NSV60601MZ4T1G onsemi nss60601mz4-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.61 грн
10+ 32.04 грн
100+ 22.2 грн
500+ 17.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVBAS21HT1G NSVBAS21HT1G onsemi bas21ht1-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
32+ 8.65 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.32 грн
1000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBAS21SLT1G NSVBAS21SLT1G onsemi bas21slt1-d.pdf Description: DIODE GP 250V 225MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.67 грн
15+ 18.05 грн
100+ 9.1 грн
500+ 6.97 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAT54LT1G NSVBAT54LT1G onsemi bat54lt1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
на замовлення 26154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.27 грн
14+ 19.94 грн
100+ 10.59 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAV99WT3G NSVBAV99WT3G onsemi bav99wt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.78 грн
15+ 19.06 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.46 грн
2000+ 4.59 грн
5000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC817-16LT1G NSVBC817-16LT1G onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
19+ 14.33 грн
100+ 7.26 грн
500+ 5.56 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBC817-40WT1G NSVBC817-40WT1G onsemi bc817-40w-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.27 грн
16+ 16.9 грн
100+ 8.52 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC846BM3T5G NSVBC846BM3T5G onsemi bc846bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 17860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.16 грн
18+ 15.61 грн
100+ 7.62 грн
500+ 5.97 грн
1000+ 4.15 грн
2000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC847BLT3G NSVBC847BLT3G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.57 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
2000+ 4.02 грн
5000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
32+ 8.45 грн
100+ 4.54 грн
500+ 3.35 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC856BM3T5G NSVBC856BM3T5G onsemi bc856bm3-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.16 грн
18+ 15.61 грн
100+ 7.62 грн
500+ 5.97 грн
1000+ 4.15 грн
2000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC857CWT1G NSVBC857CWT1G onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
32+ 8.58 грн
100+ 4.64 грн
500+ 3.42 грн
1000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858BLT1G NSVBC858BLT1G onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
33+ 8.31 грн
100+ 4.47 грн
500+ 3.3 грн
1000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858CLT1G NSVBC858CLT1G onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.63 грн
32+ 8.65 грн
100+ 4.68 грн
500+ 3.45 грн
1000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBSS63LT1G NSVBSS63LT1G onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.59 грн
12+ 22.85 грн
100+ 12.92 грн
500+ 8.03 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVD4001DR2G NSVD4001DR2G onsemi nud4001-d.pdf Description: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.88 грн
10+ 55.22 грн
25+ 52.43 грн
100+ 37.77 грн
250+ 33.39 грн
500+ 31.63 грн
1000+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVDAN222T1G NSVDAN222T1G onsemi dan222-d.pdf Description: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
15+ 18.72 грн
100+ 10.61 грн
500+ 6.6 грн
1000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVDTC143ZET1G NSVDTC143ZET1G onsemi dtc143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.27 грн
17+ 16.83 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVJ3557SA3T1G NSVJ3557SA3T1G onsemi nsvj3557sa3-d.pdf Description: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.9 грн
10+ 30.62 грн
100+ 21.31 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVMMBT2907AWT1G NSVMMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.57 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.44 грн
500+ 6.46 грн
1000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVMMBT5401LT3G NSVMMBT5401LT3G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.16 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.05 грн
1000+ 4.49 грн
2000+ 3.78 грн
5000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVMMBTH10LT1G NSVMMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 153143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.38 грн
13+ 21.16 грн
25+ 19.39 грн
100+ 13.54 грн
250+ 12.27 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G onsemi dta143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 31836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.36 грн
21+ 13.38 грн
100+ 6.54 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
20+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2232LT1G onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 28431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
20+ 13.52 грн
100+ 6.6 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2235LT1G NSVMMUN2235LT1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
20+ 13.52 грн
100+ 6.6 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.36 грн
20+ 13.52 грн
100+ 6.6 грн
500+ 5.16 грн
1000+ 3.59 грн
2000+ 3.11 грн
5000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5312DW1T2G NSVMUN5312DW1T2G onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.06 грн
20+ 13.65 грн
100+ 6.66 грн
500+ 5.21 грн
1000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVR0170HT1G NSVR0170HT1G onsemi Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.34 грн
29+ 9.46 грн
100+ 5.13 грн
500+ 3.78 грн
1000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 22
NSVR0240V2T1G NSVR0240V2T1G onsemi nsr0240v2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.38 грн
14+ 19.53 грн
100+ 12.19 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVR0340HT1G NSVR0340HT1G onsemi nsr0340h-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
на замовлення 5032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.18 грн
13+ 22.1 грн
100+ 13.75 грн
500+ 8.83 грн
1000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVR05F40NXT5G NSVR05F40NXT5G onsemi nsr05f40-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1566100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.08 грн
14+ 20.62 грн
100+ 12.36 грн
500+ 10.74 грн
1000+ 7.3 грн
2000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVR1020MW2T1G NSVR1020MW2T1G onsemi nsr1020mw2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 68579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
16+ 17.78 грн
100+ 8.96 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVRB521S30T1G NSVRB521S30T1G onsemi rb521s30t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 16019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.57 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.44 грн
500+ 6.46 грн
1000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVRB751S40T1G NSVRB751S40T1G onsemi rb751s40t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.34 грн
30+ 9.13 грн
100+ 4.44 грн
500+ 3.47 грн
1000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTA4151PT1H NTA4151PT1H onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 155939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
16+ 17.91 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTMFD4C20NT1G NTMFD4C20NT1G onsemi ntmfd4c20n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS4985NFT1G NTMFS4985NFT1G onsemi ntmfs4985nf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.85 грн
10+ 70.77 грн
100+ 55.03 грн
500+ 43.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS5C404NLT1G NTMFS5C404NLT1G onsemi ntmfs5c404nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
на замовлення 241096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.77 грн
10+ 369.06 грн
100+ 302.38 грн
500+ 241.57 грн
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G onsemi ntr3a052pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.88 грн
11+ 25.08 грн
100+ 17.45 грн
500+ 12.78 грн
1000+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTR5105PT1G NTR5105PT1G onsemi ntr5105p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
на замовлення 368688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.46 грн
18+ 15.48 грн
100+ 7.81 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTS10100MFST1G NTS10100MFST1G onsemi nts10100mfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
товар відсутній
NTS260ESFT3G NTS260ESFT3G onsemi nts260esf-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
товар відсутній
NTSB30U100CTT4G NTSB30U100CTT4G onsemi ntst30u100ct-d.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 675 µA @ 100 V
товар відсутній
NTTFS4C06NTWG NTTFS4C06NTWG onsemi nttfs4c06n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C10NTAG NTTFS4C10NTAG onsemi nttfs4c10n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+70.19 грн
10+ 55.16 грн
100+ 42.89 грн
500+ 34.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS4C10NTWG NTTFS4C10NTWG onsemi nttfs4c10n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.96 грн
10+ 46.71 грн
100+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C13NTAG NTTFS4C13NTAG onsemi nttfs4c13n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+40.71 грн
10+ 34.2 грн
100+ 23.66 грн
500+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
NUP2125WTT1G NUP2125WTT1G onsemi nup2125-d.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 50VC SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 26.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 19126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.88 грн
11+ 25.48 грн
100+ 17.68 грн
500+ 12.95 грн
1000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVD3055-150T4G-VF01 NVD3055-150T4G-VF01 onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVD5890NLT4G NVD5890NLT4G onsemi NVD5890NL.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NRVBB20100CTT4G mbrb20100ct-d.pdf
NRVBB20100CTT4G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
товар відсутній
NRVBS4201T3G mbrs4201t3-d.pdf
NRVBS4201T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.4 грн
10+ 85.84 грн
100+ 68.32 грн
500+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
NRVS1504T3G mrs1504t3-d.pdf
NRVS1504T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.04 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товар відсутній
NSR01F30MXT5G nsr01f30mx-d.pdf
NSR01F30MXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2X3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: 2-X3DFN (0.6x0.3) (0201)
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 248382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.67 грн
16+ 17.91 грн
100+ 9.06 грн
500+ 6.93 грн
1000+ 5.14 грн
2000+ 4.33 грн
5000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSS60100DMTTBG nss60100dmt-d.pdf
NSS60100DMTTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 60V 1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.71 грн
10+ 33.86 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSS60101DMTTBG nss60101dmt-d.pdf
NSS60101DMTTBG
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.41 грн
10+ 34.2 грн
100+ 23.77 грн
500+ 17.41 грн
1000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSV1C301ET4G-VF01 nss1c301e-d.pdf
NSV1C301ET4G-VF01
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A 3DPAK
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSV20200LT1G nss20200l-d.pdf
NSV20200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 623740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.59 грн
11+ 26.23 грн
100+ 18.21 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSV40201LT1G nss40201l-d.pdf
NSV40201LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 10912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.88 грн
12+ 24.33 грн
100+ 16.55 грн
500+ 11.64 грн
1000+ 8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSV60601MZ4T1G nss60601mz4-d.pdf
NSV60601MZ4T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.61 грн
10+ 32.04 грн
100+ 22.2 грн
500+ 17.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVBAS21HT1G bas21ht1-d.pdf
NSVBAS21HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
32+ 8.65 грн
100+ 4.24 грн
500+ 3.32 грн
1000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBAS21SLT1G bas21slt1-d.pdf
NSVBAS21SLT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE GP 250V 225MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 225mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.67 грн
15+ 18.05 грн
100+ 9.1 грн
500+ 6.97 грн
1000+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVBAT54LT1G bat54lt1-d.pdf
NSVBAT54LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
на замовлення 26154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.27 грн
14+ 19.94 грн
100+ 10.59 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBAV99WT3G bav99wt1-d.pdf
NSVBAV99WT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.78 грн
15+ 19.06 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.46 грн
2000+ 4.59 грн
5000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVBC817-16LT1G bc817-16lt1-d.pdf
NSVBC817-16LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
19+ 14.33 грн
100+ 7.26 грн
500+ 5.56 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVBC817-40WT1G bc817-40w-d.pdf
NSVBC817-40WT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.27 грн
16+ 16.9 грн
100+ 8.52 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC846BM3T5G bc846bm3-d.pdf
NSVBC846BM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 17860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.16 грн
18+ 15.61 грн
100+ 7.62 грн
500+ 5.97 грн
1000+ 4.15 грн
2000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC847BLT3G bc846alt1-d.pdf
NSVBC847BLT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.57 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.41 грн
500+ 6.44 грн
1000+ 4.78 грн
2000+ 4.02 грн
5000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVBC848CLT1G bc846alt1-d.pdf
NSVBC848CLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 10185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
32+ 8.45 грн
100+ 4.54 грн
500+ 3.35 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC856BM3T5G bc856bm3-d.pdf
NSVBC856BM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.16 грн
18+ 15.61 грн
100+ 7.62 грн
500+ 5.97 грн
1000+ 4.15 грн
2000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVBC857CWT1G bc856bwt1-d.pdf
NSVBC857CWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
32+ 8.58 грн
100+ 4.64 грн
500+ 3.42 грн
1000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858BLT1G bc856alt1-d.pdf
NSVBC858BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
33+ 8.31 грн
100+ 4.47 грн
500+ 3.3 грн
1000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBC858CLT1G bc856alt1-d.pdf
NSVBC858CLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.63 грн
32+ 8.65 грн
100+ 4.68 грн
500+ 3.45 грн
1000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSVBSS63LT1G bss63lt1-d.pdf
NSVBSS63LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.59 грн
12+ 22.85 грн
100+ 12.92 грн
500+ 8.03 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSVD4001DR2G nud4001-d.pdf
NSVD4001DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRVR LIN PWM 500MA 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 3.6V
Voltage - Supply (Max): 30V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.88 грн
10+ 55.22 грн
25+ 52.43 грн
100+ 37.77 грн
250+ 33.39 грн
500+ 31.63 грн
1000+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSVDAN222T1G dan222-d.pdf
NSVDAN222T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SW 80V DUAL SC75-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.97 грн
15+ 18.72 грн
100+ 10.61 грн
500+ 6.6 грн
1000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVDTC143ZET1G dtc143z-d.pdf
NSVDTC143ZET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.27 грн
17+ 16.83 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVJ3557SA3T1G nsvj3557sa3-d.pdf
NSVJ3557SA3T1G
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Power - Max: 200 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.9 грн
10+ 30.62 грн
100+ 21.31 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSVMMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
NSVMMBT2907AWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.57 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.44 грн
500+ 6.46 грн
1000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVMMBT5401LT3G mmbt5401lt1-d.pdf
NSVMMBT5401LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 19367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.16 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.05 грн
1000+ 4.49 грн
2000+ 3.78 грн
5000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSVMMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
NSVMMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 153143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.38 грн
13+ 21.16 грн
25+ 19.39 грн
100+ 13.54 грн
250+ 12.27 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVMMUN2133LT1G dta143z-d.pdf
NSVMMUN2133LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 31836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.36 грн
21+ 13.38 грн
100+ 6.54 грн
500+ 5.12 грн
1000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2212LT1G dtc124e-d.pdf
NSVMMUN2212LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
20+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2232LT1G dtc143e-d.pdf
NSVMMUN2232LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 28431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
20+ 13.52 грн
100+ 6.6 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2235LT1G dtc123j-d.pdf
NSVMMUN2235LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
20+ 13.52 грн
100+ 6.6 грн
500+ 5.17 грн
1000+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5211DW1T3G dtc114ed-d.pdf
NSVMUN5211DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.36 грн
20+ 13.52 грн
100+ 6.6 грн
500+ 5.16 грн
1000+ 3.59 грн
2000+ 3.11 грн
5000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5312DW1T2G dtc124ep-d.pdf
NSVMUN5312DW1T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.06 грн
20+ 13.65 грн
100+ 6.66 грн
500+ 5.21 грн
1000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVR0170HT1G
NSVR0170HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.34 грн
29+ 9.46 грн
100+ 5.13 грн
500+ 3.78 грн
1000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 22
NSVR0240V2T1G nsr0240v2t1-d.pdf
NSVR0240V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.38 грн
14+ 19.53 грн
100+ 12.19 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVR0340HT1G nsr0340h-d.pdf
NSVR0340HT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD323
на замовлення 5032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
13+ 22.1 грн
100+ 13.75 грн
500+ 8.83 грн
1000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVR05F40NXT5G nsr05f40-d.pdf
NSVR05F40NXT5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: 2-DSN (1x0.6), (0402)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1566100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.08 грн
14+ 20.62 грн
100+ 12.36 грн
500+ 10.74 грн
1000+ 7.3 грн
2000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSVR1020MW2T1G nsr1020mw2t1-d.pdf
NSVR1020MW2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 68579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.97 грн
16+ 17.78 грн
100+ 8.96 грн
500+ 7.46 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSVRB521S30T1G rb521s30t1-d.pdf
NSVRB521S30T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 16019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.57 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.44 грн
500+ 6.46 грн
1000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSVRB751S40T1G rb751s40t1-d.pdf
NSVRB751S40T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: SOD-523
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.34 грн
30+ 9.13 грн
100+ 4.44 грн
500+ 3.47 грн
1000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTA4151PT1H nta4151p-d.pdf
NTA4151PT1H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 155939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.97 грн
16+ 17.91 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTMFD4C20NT1G ntmfd4c20n-d.pdf
NTMFD4C20NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS4985NFT1G ntmfs4985nf-d.pdf
NTMFS4985NFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.85 грн
10+ 70.77 грн
100+ 55.03 грн
500+ 43.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTMFS5C404NLT1G ntmfs5c404nl-d.pdf
NTMFS5C404NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 370A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12168 pF @ 25 V
на замовлення 241096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.77 грн
10+ 369.06 грн
100+ 302.38 грн
500+ 241.57 грн
NTR3A052PZT1G ntr3a052pz-d.pdf
NTR3A052PZT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.88 грн
11+ 25.08 грн
100+ 17.45 грн
500+ 12.78 грн
1000+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V
на замовлення 368688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.46 грн
18+ 15.48 грн
100+ 7.81 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTS10100MFST1G nts10100mfs-d.pdf
NTS10100MFST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 100 V
товар відсутній
NTS260ESFT3G nts260esf-d.pdf
NTS260ESFT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FL
товар відсутній
NTSB30U100CTT4G ntst30u100ct-d.pdf
NTSB30U100CTT4G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 675 µA @ 100 V
товар відсутній
NTTFS4C06NTWG nttfs4c06n-d.pdf
NTTFS4C06NTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C10NTAG nttfs4c10n-d.pdf
NTTFS4C10NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.19 грн
10+ 55.16 грн
100+ 42.89 грн
500+ 34.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS4C10NTWG nttfs4c10n-d.pdf
NTTFS4C10NTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.96 грн
10+ 46.71 грн
100+ 36.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C13NTAG nttfs4c13n-d.pdf
NTTFS4C13NTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+40.71 грн
10+ 34.2 грн
100+ 23.66 грн
500+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
NUP2125WTT1G nup2125-d.pdf
NUP2125WTT1G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 24VWM 50VC SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: CAN
Capacitance @ Frequency: 10pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min)
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Bidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 26.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
на замовлення 19126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.88 грн
11+ 25.48 грн
100+ 17.68 грн
500+ 12.95 грн
1000+ 10.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVD3055-150T4G-VF01 ntd3055-150-d.pdf
NVD3055-150T4G-VF01
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVD5890NLT4G NVD5890NL.pdf
NVD5890NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 224 448 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 672 896 1120 1344 1568 1792 2016 2240 2247  Наступна Сторінка >> ]