Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102555) > Сторінка 1488 з 1710
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RRR030P03HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1W Case: SOT346 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RRR040P03FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RRR040P03FRATL SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RRS100P03HZGTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD Case: SOP8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A On-state resistance: 12.6mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 39nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RS1E150GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E220ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E280BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E280GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E301GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E321GNTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1E350BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G120MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G150MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G180MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8 Case: HSOP8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 57A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G201ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G260MNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1G300GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L120GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L145GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L151ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1L180GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS1P600BETB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3E180ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3G160ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RS3L110ATTB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSA6.1ENTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353 Mounting: SMD Breakdown voltage: 6.1...7.2V Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Peak pulse power dissipation: 0.2kW Case: SOT353 Semiconductor structure: common anode; quadruple кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RSC002P03T316 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF010P05TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF014N03TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF015N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 45V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSF015N06TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH065N06GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH065N06TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH070N05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSH070N05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSH070P05GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RSH070P05TB1 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -45V Drain current: -7A Pulsed drain current: -28A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RSJ151P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ400N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ400N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ550N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSJ650N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSM002N06T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSM002P03T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ015N06TR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6 Mounting: SMD Case: TSMT6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ015P10FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: TSMT6 Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.54Ω Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ015P10HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ020N03HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ025P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ030N08HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; TSMT6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.25W Case: TSMT6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ035N03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RSQ035N03FRATR SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ035N06HZGTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSQ035P03FRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RSQ035P03FRATR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSR010N10FHATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4A Case: TSMT3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 0.58Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSR010N10HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSR015P06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | RSR015P06FRATL SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSR015P06HZGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RSR020N06FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
RRR030P03HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
10+ | 41.25 грн |
56+ | 19.72 грн |
153+ | 18.71 грн |
3000+ | 18.35 грн |
6000+ | 17.98 грн |
RRR040P03FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
RRR040P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RRS100P03HZGTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -40A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E150GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
RS1E150GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E220ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
RS1E220ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E280BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
RS1E280BNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E280GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
RS1E280GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E301GNTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E301GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E321GNTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
RS1E321GNTB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1E350BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
RS1E350BNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G120MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
RS1G120MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G150MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
RS1G150MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G180MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Case: HSOP8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 57A; Idm: 72A; 30W; HSOP8
Case: HSOP8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G201ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
RS1G201ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G260MNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
RS1G260MNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1G300GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
RS1G300GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L120GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
RS1L120GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L145GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
RS1L145GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L151ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
RS1L151ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1L180GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
RS1L180GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1P600BETB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
RS1P600BETB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3E075ATTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
RS3E075ATTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3E180ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
RS3E180ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3G160ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
RS3G160ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS3L110ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
RS3L110ATTB1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSA6.1ENTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Case: SOT353
Semiconductor structure: common anode; quadruple
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.1÷7.2V; 200W; quadruple,common anode; SOT353
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.1...7.2V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.2kW
Case: SOT353
Semiconductor structure: common anode; quadruple
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.40 грн |
10+ | 32.20 грн |
100+ | 20.46 грн |
154+ | 6.97 грн |
423+ | 6.61 грн |
RSC002P03T316 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
RSC002P03T316 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF010P05TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF010P05TL SMD P channel transistors
RSF010P05TL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF014N03TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSF014N03TL SMD N channel transistors
RSF014N03TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF015N06FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSF015N06TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 800mW; TUMT3
Mounting: SMD
Case: TUMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH065N06GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH065N06GZETB SMD N channel transistors
RSH065N06GZETB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH065N06TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH065N06TB1 SMD N channel transistors
RSH065N06TB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070N05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
RSH070N05GZETB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070N05TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
RSH070N05TB1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070P05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSH070P05TB1 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -7A; Idm: -28A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ151P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ151P10TL SMD P channel transistors
RSJ151P10TL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ250P10FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.78 грн |
10+ | 126.71 грн |
12+ | 91.74 грн |
33+ | 87.15 грн |
200+ | 83.48 грн |
RSJ250P10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ400N06FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
RSJ400N06FRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ400N10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
RSJ400N10TL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ550N10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; Idm: 110A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSJ650N10TL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSM002N06T2L |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002N06T2L SMD N channel transistors
RSM002N06T2L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSM002P03T2L |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
RSM002P03T2L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ015N06TR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; Idm: 6A; 1.25W; TSMT6
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ015P10FRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ015P10HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ020N03HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ025P03FRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors
RSQ025P03FRATR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ030N08HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3A; Idm: 12A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.25W
Case: TSMT6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ035N03FRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ035N03FRATR SMD N channel transistors
RSQ035N03FRATR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ035N06HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ035N06HZGTR SMD N channel transistors
RSQ035N06HZGTR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSQ035P03FRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSQ035P03FRATR SMD P channel transistors
RSQ035P03FRATR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSR010N10FHATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4A
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.58Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1A; Idm: 4A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4A
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.58Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSR010N10HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSR010N10HZGTL SMD N channel transistors
RSR010N10HZGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSR015P06FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSR015P06FRATL SMD P channel transistors
RSR015P06FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSR015P06HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RSR015P06HZGTL SMD P channel transistors
RSR015P06HZGTL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSR020N06FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.