Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102920) > Сторінка 1488 з 1716
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFUH10NS4STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFUH20NS6SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFUH20NS6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFUH20TF6SFHC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFUH20TJ6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFV30TG6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | RFV30TG6SGC9 THT universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFV8BM6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RFVS8TG6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGCL60TS60DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 68nC Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 95ns Turn-off time: 479ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 55W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGCL80TS60DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3 Turn-off time: 565ns Type of transistor: IGBT Turn-on time: 114ns Pulsed collector current: 160A Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 600V Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 74W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 98nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGPR30BM40HRTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 30A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level Turn-on time: 1µs Turn-off time: 9.5µs Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS00TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 163W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Turn-on time: 70ns Turn-off time: 292ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS00TS65EHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS50TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS50TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS60TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGS80TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS80TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS80TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT16BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 47W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT16NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT16NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: LPDS кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT30NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT30TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT40NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50NS65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT8BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 31W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 12A Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Turn-on time: 102ns Turn-off time: 221ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH40TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH40TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH50TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 117W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Turn-on time: 84ns Turn-off time: 194ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTV00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTV60TK65DGVC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTVX6TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGW80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGWX5TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RHP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RHP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHP030N03T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJ1G12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJ1L12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJ1P12BBDTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJK005N03FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RK7002AT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.2W Case: SST3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Gate charge: 3nC кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RK7002BMHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 0.25A On-state resistance: 12Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RK7002BMT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200/350mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN141CMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Case: SOD923 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.8pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN142SMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 60V Load current: 0.1A Case: SC79; SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.45pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
RFUH10NS4STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH10NS4STL SMD universal diodes
RFUH10NS4STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20NS6SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20NS6SFHTL SMD universal diodes
RFUH20NS6SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20NS6STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20NS6STL SMD universal diodes
RFUH20NS6STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20TF6SFHC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20TF6SFHC9 THT universal diodes
RFUH20TF6SFHC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20TJ6SGC9 THT universal diodes
RFUH20TJ6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFV30TG6SGC9 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFV30TG6SGC9 THT universal diodes
RFV30TG6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFV8BM6STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFV8BM6STL SMD universal diodes
RFV8BM6STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFVS8TG6SGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFVS8TG6SGC9 THT universal diodes
RFVS8TG6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGC80TSX8RGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGC80TSX8RGC11 THT IGBT transistors
RGC80TSX8RGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGCL60TS60DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 68nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 479ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 68nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 479ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGCL80TS60DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3
Turn-off time: 565ns
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 114ns
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3
Turn-off time: 565ns
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 114ns
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGPR30BM40HRTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS00TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 163W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 292ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 163W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 292ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS00TS65EHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS00TS65EHRC11 THT IGBT transistors
RGS00TS65EHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS50TSX2DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS50TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS50TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS50TSX2HRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS50TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS50TSX2HRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS60TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS60TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS60TS65DHRC11 THT IGBT transistors
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 555.62 грн |
4+ | 352.61 грн |
9+ | 334.06 грн |
RGS80TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS80TSX2DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS80TSX2HRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16BM65DTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT30NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30NL65DGTL SMD IGBT transistors
RGT30NL65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT30TM65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT40NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NL65DGTL SMD IGBT transistors
RGT50NL65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NS65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGC9 THT IGBT transistors
RGT50NS65DGC9 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT50NS65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50TM65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT50TM65DGC9 SMD IGBT transistors
RGT50TM65DGC9 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT8BM65DTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH00TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 102ns
Turn-off time: 221ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 102ns
Turn-off time: 221ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH40TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH40TS65GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH50TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH80TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTV00TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTV60TK65DGVC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTVX6TS65GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTVX6TS65GC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGW80TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGWX5TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHK003N06FRAT146 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHP020N06FRAT100 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.98 грн |
11+ | 27.46 грн |
50+ | 23.48 грн |
51+ | 21.62 грн |
139+ | 20.41 грн |
1000+ | 19.76 грн |
RHP020N06T100 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHP030N03T100 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHU002N06FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHU003N03FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJ1G12BGNTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJ1L12BGNTLL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJ1P12BBDTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 240A; 178W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJK005N03FRAT146 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJP020N06FRAT100 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJP020N06T100 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJU002N06FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJU003N03FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RK7002AT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.2W
Case: SST3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 3nC
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.2W
Case: SST3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 3nC
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RK7002BMHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RK7002BMT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.99 грн |
28+ | 10.41 грн |
35+ | 8.17 грн |
58+ | 4.86 грн |
100+ | 3.96 грн |
449+ | 2.42 грн |
1232+ | 2.29 грн |
RN141CMT2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.8pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.98 грн |
18+ | 16.19 грн |
100+ | 11.32 грн |
199+ | 5.47 грн |
547+ | 5.20 грн |
RN142SMT2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.45pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.45pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.99 грн |
25+ | 11.56 грн |
30+ | 9.46 грн |
100+ | 5.64 грн |
318+ | 3.41 грн |
874+ | 3.23 грн |