Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102555) > Сторінка 1485 з 1710
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RFC02MM2STFTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN10BM3SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN10BM3STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN10BM6SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN10BM6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN1L6SDDTE25 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN1LAM6STFTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RFN1LAM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.45V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 0.8A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD128 Max. forward voltage: 1.45V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RFN1LAM7STFTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN1LAM7STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN20NS3SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 350V; 20A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1.35V Mounting: SMD Max. off-state voltage: 350V Max. forward voltage: 1.35V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN20NS3STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 350V; 20A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1.35V Mounting: SMD Max. off-state voltage: 350V Max. forward voltage: 1.35V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN20NS4SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 430V; 20A; 30ns; D2PAK; Ufmax: 1.55V Type of diode: rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 430V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.55V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN20NS6SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN20NS6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RFN2L6SDDTE25 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.55V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Case: SMA Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.55V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
RFN2LAM4STFTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN2LAM4STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN2LAM6STFTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.55V Type of diode: rectifying Case: SOD128 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.55V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RFN2LAM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.55V Type of diode: rectifying Case: SOD128 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1.55V Reverse recovery time: 35ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RFN3BM2SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN5BM2STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFN6BM2DFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFNL15TJ6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFU01SM4ST2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFU02VSM6STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RFU02VSM8STR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.2A; 35ns; SOD323HE; Ufmax: 3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 0.2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD323HE Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFUH10NS4SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR | RFUH10NS4SFHTL SMD universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFUH10NS4STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFUH20NS6SFHTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFUH20NS6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFUH20TF6SFHC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFUH20TJ6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFV30TG6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR | RFV30TG6SGC9 THT universal diodes |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFV8BM6STL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RFVS8TG6SGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGC80TSX8RGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGCL60TS60DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3 Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 68nC Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 30A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 95ns Turn-off time: 479ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 55W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGCL80TS60DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3 Turn-off time: 565ns Type of transistor: IGBT Turn-on time: 114ns Pulsed collector current: 160A Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 600V Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 74W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 98nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGPR30BM40HRTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 30A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 1µs Turn-off time: 9.5µs Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGS00TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGS00TS65EHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGS50TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGS50TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
RGS60TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 111W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 290ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
RGS80TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGS80TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGS80TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT16BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 47W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT16NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT16NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 47W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 21nC Mounting: SMD Case: LPDS кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT30NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT30TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT40NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT50NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT50NS65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: TO262 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT50NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: LPDS Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT50TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 13A Power dissipation: 23W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGT8BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 31W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 12A Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 54ns Turn-off time: 158ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
RGTH00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
RFC02MM2STFTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFC02MM2STFTR SMD universal diodes
RFC02MM2STFTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN10BM3SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN10BM3SFHTL SMD universal diodes
RFN10BM3SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN10BM3STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN10BM3STL SMD universal diodes
RFN10BM3STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN10BM6SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN10BM6SFHTL SMD universal diodes
RFN10BM6SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN10BM6STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN10BM6STL SMD universal diodes
RFN10BM6STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN1L6SDDTE25 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN1L6SDDTE25 SMD universal diodes
RFN1L6SDDTE25 SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN1LAM6STFTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN1LAM6STFTR SMD universal diodes
RFN1LAM6STFTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN1LAM6STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.45V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD128
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.45V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD128
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
14+ | 21.34 грн |
100+ | 12.38 грн |
121+ | 8.90 грн |
333+ | 8.35 грн |
1000+ | 8.07 грн |
RFN1LAM7STFTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN1LAM7STFTR SMD universal diodes
RFN1LAM7STFTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN1LAM7STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN1LAM7STR SMD universal diodes
RFN1LAM7STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN20NS3SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 350V; 20A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1.35V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 350V
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 350V; 20A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1.35V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 350V
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN20NS3STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 350V; 20A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1.35V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 350V
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 350V; 20A; 35ns; D2PAK; Ufmax: 1.35V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 350V
Max. forward voltage: 1.35V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN20NS4SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 430V; 20A; 30ns; D2PAK; Ufmax: 1.55V
Type of diode: rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 430V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 430V; 20A; 30ns; D2PAK; Ufmax: 1.55V
Type of diode: rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 430V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN20NS6SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN20NS6SFHTL SMD universal diodes
RFN20NS6SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN20NS6STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN20NS6STL SMD universal diodes
RFN20NS6STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN2L6SDDTE25 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.55V; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.55V; Ifsm: 40A
Type of diode: rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN2LAM4STFTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN2LAM4STFTR SMD universal diodes
RFN2LAM4STFTR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN2LAM4STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN2LAM4STR SMD universal diodes
RFN2LAM4STR SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN2LAM6STFTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.55V
Type of diode: rectifying
Case: SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.55V
Type of diode: rectifying
Case: SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN2LAM6STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.55V
Type of diode: rectifying
Case: SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.55V
Type of diode: rectifying
Case: SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.55V
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
10+ | 41.06 грн |
50+ | 32.11 грн |
87+ | 12.48 грн |
239+ | 11.83 грн |
RFN3BM2SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN3BM2SFHTL SMD universal diodes
RFN3BM2SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN5BM2STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN5BM2STL SMD universal diodes
RFN5BM2STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFN6BM2DFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFN6BM2DFHTL SMD universal diodes
RFN6BM2DFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFNL15TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFNL15TJ6SGC9 THT universal diodes
RFNL15TJ6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFU01SM4ST2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFU01SM4ST2R SMD universal diodes
RFU01SM4ST2R SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFU02VSM6STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFU02VSM6STR SMD universal diodes
RFU02VSM6STR SMD universal diodes
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 24.98 грн |
235+ | 4.58 грн |
645+ | 4.33 грн |
RFU02VSM8STR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.2A; 35ns; SOD323HE; Ufmax: 3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323HE
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 0.2A; 35ns; SOD323HE; Ufmax: 3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323HE
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH10NS4SFHTL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH10NS4SFHTL SMD universal diodes
RFUH10NS4SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH10NS4STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH10NS4STL SMD universal diodes
RFUH10NS4STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20NS6SFHTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20NS6SFHTL SMD universal diodes
RFUH20NS6SFHTL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20NS6STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20NS6STL SMD universal diodes
RFUH20NS6STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20TF6SFHC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20TF6SFHC9 THT universal diodes
RFUH20TF6SFHC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFUH20TJ6SGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFUH20TJ6SGC9 THT universal diodes
RFUH20TJ6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFV30TG6SGC9 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFV30TG6SGC9 THT universal diodes
RFV30TG6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFV8BM6STL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFV8BM6STL SMD universal diodes
RFV8BM6STL SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFVS8TG6SGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RFVS8TG6SGC9 THT universal diodes
RFVS8TG6SGC9 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGC80TSX8RGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGC80TSX8RGC11 THT IGBT transistors
RGC80TSX8RGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGCL60TS60DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 68nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 479ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 55W; TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 68nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 479ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGCL80TS60DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3
Turn-off time: 565ns
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 114ns
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 74W; TO247-3
Turn-off time: 565ns
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 114ns
Pulsed collector current: 160A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGPR30BM40HRTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 30A; 125W; TO252; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 30A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 1µs
Turn-off time: 9.5µs
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS00TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS00TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS00TS65DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS00TS65EHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS00TS65EHRC11 THT IGBT transistors
RGS00TS65EHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS50TSX2DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS50TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS50TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS50TSX2HRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS50TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS50TSX2HRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS60TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 290ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 111W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 111W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 290ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 521.64 грн |
4+ | 370.59 грн |
9+ | 337.60 грн |
450+ | 324.75 грн |
RGS80TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS80TSX2DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS80TSX2HRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16BM65DTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; LPDS
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 47W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 21nC
Mounting: SMD
Case: LPDS
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT30NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30NL65DGTL SMD IGBT transistors
RGT30NL65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT30TM65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT40NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NS65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO262
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO262
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50TM65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 13A
Power dissipation: 23W
Case: TO220NFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 13A
Power dissipation: 23W
Case: TO220NFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT8BM65DTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 31W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 31W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 158ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH00TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.