Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102266) > Сторінка 1485 з 1705
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGS80TS65DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS80TSX2DHRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGS80TSX2HRC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT16BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT16NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 47W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 27ns Turn-off time: 170ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT16NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT30NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 66W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 204ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT30TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT40NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50NL65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50NS65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: TO262 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50NS65DGTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: LPDS Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT50TM65DGC9 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 13A Power dissipation: 23W Case: TO220NFM Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: tube Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGT8BM65DTL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH40TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH40TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH50TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTH80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTV00TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTV60TK65DGVC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGTVX6TS65GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 80A Pulsed collector current: 320A Turn-on time: 83ns Turn-off time: 298ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 202W Kind of package: tube Gate charge: 171nC Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGW80TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGWX5TS65DGC11 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Mounting: SMD Case: SMT3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RHP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RHP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHP030N03T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RHU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJ1G12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJ1L12BGNTLL | ROHM SEMICONDUCTOR | RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJ1P12BBDTLL | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJK005N03FRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJP020N06FRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJP020N06T100 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: MPT3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJU002N06FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RJU003N03FRAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RK7002AT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SST3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 3nC кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RK7002BMHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SST3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 0.25A On-state resistance: 12Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RK7002BMT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200/350mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN141CMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Case: SOD923 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Capacitance: 0.8pF Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1µA Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN142SMT2R | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V Max. off-state voltage: 60V Load current: 0.1A Case: SC79; SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Capacitance: 0.45pF Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.1µA Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RN731VTE-17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SC90A; SOD323F Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.4pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RN739DT146 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RN739FT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RN771VTE-17 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SC90A; SOD323F Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.1µA Capacitance: 0.9pF кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RN779FT106 | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ1A060ZPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ1A070APTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ1A070ZPFRATR | ROHM SEMICONDUCTOR | RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ1C075UNTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ1E070RPTR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ1E075XNTCR | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ3C150BCTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ3E070BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ3E075ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ3E080BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ3E080GNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RQ3E100BNTB | ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
RGS80TS65DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TS65DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS80TSX2DHRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2DHRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGS80TSX2HRC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
RGS80TSX2HRC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16BM65DTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT16BM65DTL SMD IGBT transistors
RGT16BM65DTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 47W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 170ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT16NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT16NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT16NS65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT30NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 66W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 204ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 66W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 66W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 204ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT30TM65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
RGT30TM65DGC9 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT40NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
RGT40NS65DGTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NL65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NS65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO262
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO262
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: TO262
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50NS65DGTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 97W
Case: LPDS
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT50TM65DGC9 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 13A
Power dissipation: 23W
Case: TO220NFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 13A
Power dissipation: 23W
Case: TO220NFM
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 210ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGT8BM65DTL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGT8BM65DTL SMD IGBT transistors
RGT8BM65DTL SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH00TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH00TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH40TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH40TS65GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
RGTH40TS65GC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH50TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH50TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTH80TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTH80TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTV00TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGTV00TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTV60TK65DGVC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
RGTV60TK65DGVC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGTVX6TS65GC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 83ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 202W
Kind of package: tube
Gate charge: 171nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 202W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 320A
Turn-on time: 83ns
Turn-off time: 298ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 202W
Kind of package: tube
Gate charge: 171nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGW80TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RGWX5TS65DGC11 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
RGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHK003N06FRAT146 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SMT3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SMT3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHP020N06FRAT100 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.71 грн |
11+ | 27.22 грн |
50+ | 23.27 грн |
51+ | 21.33 грн |
139+ | 20.23 грн |
1000+ | 19.59 грн |
RHP020N06T100 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHP030N03T100 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHU002N06FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RHU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RHU003N03FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RHU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJ1G12BGNTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1G12BGNTLL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJ1L12BGNTLL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
RJ1L12BGNTLL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJ1P12BBDTLL |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJ1P12BBDTLL SMD N channel transistors
RJ1P12BBDTLL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJK005N03FRAT146 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
RJK005N03FRAT146 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJP020N06FRAT100 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJP020N06T100 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 2W; MPT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: MPT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJU002N06FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
RJU002N06FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJU003N03FRAT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
RJU003N03FRAT106 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RK7002AT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SST3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3nC
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SST3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3nC
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RK7002BMHZGT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SST3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SST3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 12Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RK7002BMT116 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 200/350mW; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200/350mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.86 грн |
28+ | 10.31 грн |
35+ | 8.09 грн |
58+ | 4.82 грн |
100+ | 3.93 грн |
456+ | 2.40 грн |
1254+ | 2.27 грн |
RN141CMT2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.8pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 0.1A; SOD923; single diode; Ufmax: 1V; 0.8pF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD923
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.8pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
18+ | 16.04 грн |
100+ | 11.22 грн |
199+ | 5.43 грн |
547+ | 5.15 грн |
RN142SMT2R |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.45pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 0.1A; SC79,SOD523; single diode; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.1A
Case: SC79; SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.45pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.84 грн |
25+ | 11.46 грн |
30+ | 9.38 грн |
100+ | 5.58 грн |
318+ | 3.39 грн |
874+ | 3.21 грн |
RN731VTE-17 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.4pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.4pF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN739DT146 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RN739DT146 Diodes - others
RN739DT146 Diodes - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN739FT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RN739FT106 Diodes - others
RN739FT106 Diodes - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN771VTE-17 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.9pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SC90A,SOD323F; single diode; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SC90A; SOD323F
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.1µA
Capacitance: 0.9pF
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RN779FT106 |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RN779FT106 Diodes - others
RN779FT106 Diodes - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ1A060ZPTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
RQ1A060ZPTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ1A070APTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A070APTR SMD P channel transistors
RQ1A070APTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ1A070ZPFRATR |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
RQ1A070ZPFRATR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ1C075UNTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1C075UNTR SMD N channel transistors
RQ1C075UNTR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ1E070RPTR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1E070RPTR SMD P channel transistors
RQ1E070RPTR SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ1E075XNTCR |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ1E075XNTCR SMD N channel transistors
RQ1E075XNTCR SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ3C150BCTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3C150BCTB SMD P channel transistors
RQ3C150BCTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ3E070BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E070BNTB SMD N channel transistors
RQ3E070BNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ3E075ATTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E075ATTB SMD P channel transistors
RQ3E075ATTB SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ3E080BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E080BNTB SMD N channel transistors
RQ3E080BNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ3E080GNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E080GNTB SMD N channel transistors
RQ3E080GNTB SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RQ3E100BNTB |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
RQ3E100BNTB SMD N channel transistors
RQ3E100BNTB SMD N channel transistors
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.54 грн |
73+ | 14.90 грн |
200+ | 14.07 грн |